第1章課后習(xí)題參考題答案(文件)
【正文】 i =12V時 即ugs= 12V Ugs(th)=4V，查得ID=Uds=VDDIdRD==由于Uds Ugs Ugs(th)=124=8V，所以場效應(yīng)管工作在可變電阻區(qū)（即歐姆區(qū)）22．如圖是一種CMOS反相器電路，若NMOS管和PMOS管開啟電壓|UT| = 4V，導(dǎo)通電阻ron =500Ω，試問：( l ) u i分別為0V和10V時，uo等于多少? ( 2 ) 若將PMOS管改成10kΩ電阻，上述輸入電壓下uo等于多少?解：1）當(dāng)ui=0V時，ugsn=0V，NMOS管夾斷；ugsp=10V，PMOS管導(dǎo)通，由于ron171。解：（a）是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管 （b）圖是P溝道結(jié)型場效應(yīng)管 （c）是N溝道耗盡型場效應(yīng)管 （d）是N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管（e）是P溝道耗盡型場效應(yīng)管 （f）是P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管 電源VDD的極性如圖所示。（b）圖中，若發(fā)射結(jié)正偏，則UB=UE+UBE=+=，UBC=UBUC==，集電結(jié)將燒毀；所以三極管集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)反偏，T2工作在倒置放大狀態(tài)。1極為c極，2極為b極，3極為e極4） U1= 6V，U2=，U3=12V因?yàn)?U1＜U2＜U3,且U23= –所以 它是PNP型硅管。1）U1=，U2=，U3 = 12V2）U1= 3V，U2=，U3 = 12V3）U1= 6V，U2=，U3=12V4）U1= 6V，U2=，U3=12V解：放大電路中的晶體三極管必須工作在放大狀態(tài)，對于NPN型三極管，要求UBE＞0，UBC＜0，即UC＞UB＞UE；對于PNP型三極管，則要求UBE＜0，UBC＞0，即UC＜UB＜UE。由此可繪制出臨界飽和線如圖，臨界飽和線的左端（即縱坐標(biāo)附近）為飽和區(qū)；2）臨界損耗線PC的繪制臨界損耗線是指UCEIC=PC（=400mW）的點(diǎn)所連接的曲線。 1） 求β值：IB ~ mA區(qū)間 IB mA ~ mA區(qū)間 IB mA ~ mA區(qū)間 IB mA ~ mA區(qū)間 2）求 根據(jù)得 將特性曲線查得的IB、IC、ICEO的值和對應(yīng)的填入下表IB(mA)IC(mA)3545526166β5565908516． 某三極管輸出特性如圖所示。又由于二極管正向接法時，電流較大，所以電流表應(yīng)用毫安表，且直流電源和測量儀表的極性如圖（a）所示。13．試分析如圖所示單相全波整流電路：L）若整流二極管D2虛焊，輸出電壓uO為多少? 2）如果變壓器副邊中心抽頭虛焊，uO為多少? 3）若把D2的極性接反，能否正常工作?會出現(xiàn)什么問題? 4）若D2因過載而擊穿，會出現(xiàn)什么問題? 5）如果把D1和D2都反接，是否仍有整流作用? 所不同的是什么? 解：設(shè)，則：1）電路工作在半波整流狀態(tài)，uo=；2）不論u狀態(tài)如何，DD2總有一個是截止的，所以uo=0V；
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