betbjhhktplot催化劑比表面積-wenkub.com
2025-05-11 08:17 本頁(yè)面
【正文】 3)不存在任何低壓區(qū)可檢出的微孔填充現(xiàn)象 。 d:XRD面間距 。 0 ,1ln LarVpp RT r??? ? ? ?????0 ,2 1ln LaRVpp RT R??? ? ? ?????2Rr? 0 ,ln aRpp?????? 0 ,ln arpp??????0 ,2 1ln LdrVpp RT r??? ? ? ?????2Rr? 0 ,ln aRpp?????? 0 ,ln arpp??????n0 p / p0ErR 中孔孔結(jié)構(gòu)分析 1)IV型吸附等溫線 中孔孔結(jié)構(gòu) 2)Kelvein 方程 ln(p/p0)=2? Vm/rmRT ? 為吸附液體表面張力， r m為孔半徑， Vm為吸附質(zhì)液體的摩爾體積 p/p0＜ ， Kelvein 方程適用 , p/p0=， Kelvein 方程不適用。發(fā)生脫附時(shí)，當(dāng)相對(duì)壓力降至與小口處半徑 r相應(yīng)的值時(shí)，開(kāi)始發(fā)生凝聚液的蒸發(fā)， 。與平行板模型相同，只有當(dāng)壓力接近飽和蒸汽壓時(shí)才開(kāi)始發(fā)生毛細(xì)孔凝聚，蒸發(fā)時(shí)，由于板間不平行，Kelvin半徑是變化的，因此，曲線并不像平行板孔那樣急劇下降，而是緩慢下降。 Ap / p 0p a / p op d / p 0n001ln LkdVpp RT r???? ? ?????Bnp / p 00 開(kāi) 始 凝 聚 開(kāi) 始 蒸 發(fā)C類回線：典型的例子是具有錐形管孔結(jié)構(gòu)的吸附劑。具有這類回線的吸附劑最典型的是兩端開(kāi)口的圓筒孔。發(fā)生蒸發(fā)時(shí)，氣液界面是球形，相對(duì)壓力都可以表示為 。當(dāng)吸附劑與吸附質(zhì)之間的作用比較弱時(shí)，就會(huì)出現(xiàn) Ⅴ 型等溫線。當(dāng)相對(duì)壓力達(dá)到與發(fā)生毛細(xì)凝聚的 Kelvin半徑所對(duì)應(yīng)的某一特定值，開(kāi)始發(fā)生毛細(xì)孔凝聚。 Kelvin方程是從熱力學(xué)公式中推導(dǎo)出來(lái)的，對(duì)于具有分子尺度孔徑的孔并不適用（不適于微孔）。而且孔越大發(fā)生凝聚所需的壓力越大，當(dāng) 時(shí)， ，表明當(dāng)大平面上發(fā)生凝聚時(shí)，壓力等于飽和蒸汽壓。 3)密度函數(shù)法（ DFT） 無(wú)須任何校正 微孔固體吸附表征 HKDFT法 HK法和 DFT法計(jì)算活性炭樣品的微孔分布 毛細(xì)孔凝聚理論 ?Kelvin方程 液體在毛細(xì)管內(nèi)會(huì)形成彎曲液面，彎曲液面的附加壓力可以用 Laplace方程表示 （ 宋世謨等，物理化學(xué) ） 2mp r??? (12) 如果要描述一個(gè)曲面，一般用兩個(gè)曲率半徑 r 1r 2因此， 應(yīng)為 平均曲率半徑 ，表示為： 球形曲面： 圓柱形曲面： ， mr122 1 1mr r r??12mr r r??2r?? 2mrr? 中孔孔結(jié)構(gòu)分析 設(shè)一單組分體系，處于氣（ ）液（ ）兩相平衡中。 σ 氣體原子與零相互作用能處表面的核間距 。 k為 DR圖的斜率 . r e fr e fMM??? ?例 :活性炭的氮吸附等溫線、吸附勢(shì)分布 和微孔體積分布 Colloid and Surface A, 1996,118:203 2)HorvaihKawazoe (Ｈ Ｋ )方程 : 假設(shè) :① 依照吸附壓力大于或小于對(duì)應(yīng)的孔尺寸的一定值 ,微孔完全充滿或完全倒空 。 ｎ為系數(shù) , (活性炭 苯體系的ｎ為 2)。 )/(=)/(?=?= 0c0cmm ppFppfttntT圖法 計(jì)算微孔分子篩的總表面積和微孔體積 采用標(biāo)準(zhǔn)化的 v— t圖法 (1)根據(jù)氮吸附數(shù)據(jù)計(jì)算 i=1,2,…,n 各點(diǎn)的 t值 。 當(dāng) C值很大時(shí) (C值大于 100, B點(diǎn)容易確定 。 一點(diǎn)法 氮吸附時(shí) C常數(shù)通常都在 50～ 200之間，由于 C常數(shù)較大，所以在 BET作圖時(shí)的截距 1/ (vmC)很小，在比較粗略的計(jì)算中可以忽略，即可以把 p/p0在 ~連，由它的斜率的倒數(shù)計(jì)算 vm值，通常稱為一點(diǎn)法或單點(diǎn)法。 *當(dāng) C值很大時(shí)，就可以由實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)確定 vm的值。 /gm = 2mg vS常數(shù) c作參數(shù)， 以吸附重量或吸附體積（ W/Wm或 V/Vm）對(duì) x=P/P0作圖 。直線的斜率 m = (C1) /(vmC),在縱軸上的截距為 b=1/(vmC)，所以 (113) (114) ommo1( ppCvCCvppvp ?? －＝－1)根據(jù)直線的斜率和截距 ,可求出形成單分子層的吸附量 Vm=1/(斜率 +截距 )和常數(shù) C=斜率 /截距 +1. 以 P/V(P0P)對(duì) P/P0作圖 ,得一直線 5 ? ? 0011PPCVCCVPPVPmm????? 1+/= bmC )+1 / (=m bmv 表面積計(jì)算 常用的計(jì)算方法有： BET法 B點(diǎn)法 經(jīng)驗(yàn)作圖法 其它方法 BET法 BET吸附等溫方程（ 112） ―――― 單層飽和吸附量 vm： (113) 設(shè)每一個(gè)吸附分子的平均截面積為 Am(nm2) ，此 Am就是該吸附分子在吸附劑表面上占據(jù)的表面積： (114) 式中 NA—— 阿伏伽德羅常數(shù)（ ）。為了解決這個(gè)困難，布朗諾爾（ Brunauer）、埃米特（ Emmett）和泰勒（ Teller）提出了多分子層吸附模型，并且建立了相應(yīng)的吸附等溫方程，通常稱為 BET等溫方程。 da )(1 ?? kpk ?KpKppkkpkθ+1=+= ada為吸附熱
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