半導體畢嵐ppt課件-wenkub.com
2025-05-03 12:45 本頁面
【正文】 3. pn結(jié)的應用 Chapter 15. 量子物理 167。 擊穿電壓 V(伏 ) １０ ２０ ３０ I （微安） 反向 20 30 ☆ pn結(jié)正向?qū)?，反向截止，這種特性即稱之為 pn結(jié)的 單向?qū)щ娦?。 半導體 P. 25 / 29 (2)反向偏壓 在 pn結(jié)的 ｐ型區(qū) 接電源 負極 ,n區(qū)接電源 正極 ，叫 反向偏壓 。 內(nèi)建場 阻止電子 和空穴進一步擴散， 記作 ． 阻E? 內(nèi)建場大到一定程度 ,不再有凈電荷的流動，達到了新的 動態(tài)平衡。 四 .pn 結(jié) 擴散前， n、 p型半導體都是電中性。 半導體 P. 20 / 29 Si Si Si Si Si Si Si B ?由于該局部能級是收容從滿價帶中躍遷來的電子，該能級稱 受主能級 。 空 帶 滿 帶 施主能級 ?ED ?Eg 在 n型 半導體中 : 電子 …… 多 數(shù)載流 子 空穴 …… 少 數(shù)載流 子 Chapter 15. 量子物理 167。 量子力學的計算表明，這種摻雜后 多余的電子的能級在禁帶中 緊靠空（導）帶處 , ?ED～ 102eV，稱之為 局部能級 。例如，在半導體鍺（ Ge）中摻入百萬分之一的砷（ As），它的導電率將提高數(shù)萬倍。 半導體 P. 15 / 29 鍺晶體中的正常鍵 eG eG eG eG eGeG eG eG eG三 .本征半導體和雜質(zhì)半導體 1. 本征半導體： 純凈的無雜質(zhì)的半導體 gE導帶 禁帶 滿帶 e?e?空穴 電子 電子被激發(fā)，晶體中出現(xiàn)空穴 e?e?eG eG eG eG eGeG eG eG eG Chapter 15. 量子物理 167。因此滿價帶中的電子比絕緣體容易被激發(fā)到最鄰近的空帶上去。 從能級圖上來看，是因為滿價帶與空帶之間有一個 較寬的禁帶 （ ?Eg：約 3～ 6 eV），共有化電子很難從低能級（滿帶）躍遷到高能級（空帶）上去。 半導體 P. 11 / 29 它們的導電性能不同， 是因為它們的能帶結(jié)構(gòu)不同。當加上外電場時，每個電子都獲得動量增量 ?P而離開原來占據(jù)的低能態(tài)進入較高的能態(tài)（子能級）上。 半導體 P. 9 / 29 電子在能帶中的填充運動 （ 1） 滿帶中，由于所有量子態(tài)完全被電子所占據(jù)，無論是熱運動還是在外場中的運動，電子向各個方向運動的幾率都相同，故不能形成電流 。 正常情況下沒有電子填入。滿帶中電子 不參與導電過程。 半導體 P. 6 / 29
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1