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半導體畢嵐ppt課件-wenkub.com

2025-05-03 12:45 本頁面
   

【正文】 3. pn結(jié)的應用 Chapter 15. 量子物理 167。 擊穿電壓 V(伏 ) 10 20 30 I (微安) 反向 20 30 ☆ pn結(jié)正向?qū)?,反向截止,這種特性即稱之為 pn結(jié)的 單向?qū)щ娦?。 半導體 P. 25 / 29 (2)反向偏壓 在 pn結(jié)的 p型區(qū) 接電源 負極 ,n區(qū)接電源 正極 ,叫 反向偏壓 。 內(nèi)建場 阻止電子 和空穴進一步擴散, 記作 . 阻E? 內(nèi)建場大到一定程度 ,不再有凈電荷的流動,達到了新的 動態(tài)平衡。 四 .pn 結(jié) 擴散前, n、 p型半導體都是電中性。 半導體 P. 20 / 29 Si Si Si Si Si Si Si B ?由于該局部能級是收容從滿價帶中躍遷來的電子,該能級稱 受主能級 。 空 帶 滿 帶 施主能級 ?ED ?Eg 在 n型 半導體中 : 電子 …… 多 數(shù)載流 子 空穴 …… 少 數(shù)載流 子 Chapter 15. 量子物理 167。 量子力學的計算表明,這種摻雜后 多余的電子的能級在禁帶中 緊靠空(導)帶處 , ?ED~ 102eV,稱之為 局部能級 。例如,在半導體鍺( Ge)中摻入百萬分之一的砷( As),它的導電率將提高數(shù)萬倍。 半導體 P. 15 / 29 鍺晶體中的正常鍵 eG eG eG eG eGeG eG eG eG三 .本征半導體和雜質(zhì)半導體 1. 本征半導體: 純凈的無雜質(zhì)的半導體 gE導帶 禁帶 滿帶 e?e?空穴 電子 電子被激發(fā),晶體中出現(xiàn)空穴 e?e?eG eG eG eG eGeG eG eG eG Chapter 15. 量子物理 167。因此滿價帶中的電子比絕緣體容易被激發(fā)到最鄰近的空帶上去。 從能級圖上來看,是因為滿價帶與空帶之間有一個 較寬的禁帶 ( ?Eg:約 3~ 6 eV),共有化電子很難從低能級(滿帶)躍遷到高能級(空帶)上去。 半導體 P. 11 / 29 它們的導電性能不同, 是因為它們的能帶結(jié)構(gòu)不同。當加上外電場時,每個電子都獲得動量增量 ?P而離開原來占據(jù)的低能態(tài)進入較高的能態(tài)(子能級)上。 半導體 P. 9 / 29 電子在能帶中的填充運動 ( 1) 滿帶中,由于所有量子態(tài)完全被電子所占據(jù),無論是熱運動還是在外場中的運動,電子向各個方向運動的幾率都相同,故不能形成電流 。 正常情況下沒有電子填入。滿帶中電子 不參與導電過程。 半導體 P. 6 / 29
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