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2025-05-02 18:16 本頁面
【正文】 ? 6試說明 JEFT的工作原理。 ? 19畫出正偏 PN結(jié)少子注入分布圖象并作說明。 ? 11試證明單邊結(jié)勢壘區(qū)的電子電勢能表達(dá)式。 ? 4作圖說明 PN結(jié)空間電荷區(qū)中的電荷分布情況。 ? 當(dāng)外加一足夠大的正電壓于柵極上時(shí) ，MOS結(jié)構(gòu)均將被反型 ， 以致形成溝道（ 反型層建立 ） 源柵和漏柵通過柵級電壓的變化來加以調(diào)節(jié) 。 551 基本特性 2 .溝道在 VD,VG作用下變化情況 ? 柵及施加一偏壓 ， 并使半導(dǎo)體表面反型 , 若在漏極加一小電壓 , 電子將會(huì)由原極經(jīng)溝道流向漏極 (電流由漏 → 流 ) 551 基本特性 ? 溝道的作用如同電阻 ? 如圖所示： VGVT ? ID與 VD呈線性 耗盡層 ID VD 551 基本特性 ? 當(dāng)漏極電壓持續(xù)增加，達(dá)到 VDSST ，導(dǎo)電溝道從 OL逐漸變窄，到 y＝ L處，溝道寬度減小至零 ——這種現(xiàn)象為溝道夾斷，溝道夾斷發(fā)生的點(diǎn)為夾斷點(diǎn)，此時(shí)電壓為 VDSST。 ? 5泊松方程是描述什么情況？ ? 6PN結(jié) P型中性區(qū)和 N型中性區(qū)中的電勢表達(dá)式如何？ ? 7試推導(dǎo)平衡 PN結(jié)的自建電勢 ψ0表達(dá)式。 ? 12關(guān)于非平衡結(jié) . ? 14試作圖說明外加電壓對費(fèi)米能級的影響。 ? 20試從空穴（少子）的擴(kuò)散方程推導(dǎo)正偏下的空穴電流式。 ? 16什么是溝道長度調(diào)制效應(yīng)？ ? 17JEFT的飽和區(qū)電流在實(shí)際上并不飽和，為什么？ ? 18作圖說明： VD↗ ΔLL’――G0’――ID↗ （飽和區(qū)），并說明夾斷后飽和電流如何修正？ ? 第五章 ? 2試說明 N溝 MOS晶體管的工作原理？ ? 3為簡化討論，理想 MOS的假設(shè)包括那些？ ? 4外加電壓在 MOS三層結(jié)構(gòu)中分布如何？作圖說明？ ? 5外加電壓在深入半導(dǎo)體表面層產(chǎn)生的電場有何影響？ ? 6什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子積累態(tài)？（從濃度公式說明） ? 7發(fā)生積累態(tài)時(shí)，半導(dǎo)體能帶如何？ ? 8什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子耗盡態(tài)？ ? 9發(fā)生耗盡態(tài)時(shí)，半導(dǎo)體能帶如何？ ? 10什么情況屬于半導(dǎo)體表面的載流子反型態(tài)？ ? 11發(fā)生反型態(tài)時(shí)，半導(dǎo)體能帶如何？ ? 13什么是感生 PN結(jié)？它與 MOS管有何關(guān)系？ ? 14什么是弱反型及強(qiáng)反型？強(qiáng)反型條件是什么？ ? 15試說明強(qiáng)反型的 “ 臨界條
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