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2025-05-02 18:16 本頁面
【正文】 這時候 ， 如果在漏極和源極間外加電壓vDS， 漏區(qū)到源區(qū)之間始終不會有電流流過 。 圖 NMOS管 ， 它是在適度摻雜的P型襯底上制作兩個摻雜濃度較高的 N型區(qū) ， 分別作為漏區(qū)和源區(qū) ， 在漏區(qū)和源區(qū)之間的區(qū)域上面制作一層絕緣層 （ 一般是二氧化硅物質(zhì) ） ， 絕緣層上面沉積一層多晶硅作為柵區(qū) 。 MOS器件基于表面感應(yīng)的原理 ， 是利用垂直的柵壓 vGS實(shí)現(xiàn)對水平 iDS的控制 。在模擬電路中 ， 由于 MOS晶體管具有很高的輸入阻抗 ， 從而可提高它作為電壓放大器的性能 。集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論 云南大學(xué)信息學(xué)院電子工程系 梁竹關(guān) 第一部分 理論課 第一章 緒言 1． 1 集成電路的發(fā)展 1． 2 集成電路分類 1． 3 集成電路設(shè)計(jì) 第二章 MOS晶體管 2． 1 MOS晶體管結(jié)構(gòu) 2． 2 MOS晶體管工作原理 2． 3 MOS晶體管的電流電壓關(guān)系 2． 4 MOS晶體管主要特性參數(shù) 2． 5 MOS晶體管的 SPICE模型 第三章 MOS管反相器 3． 1 引言 3． 2 NMOS管反相器 3． 3 CMOS反相器 3． 4 動態(tài)反相器 3． 5 延遲 3． 6 功耗 第四章 半導(dǎo)體集成電路基本加工工藝與設(shè)計(jì)規(guī)則 引言 集成電路基本加工工藝 CMOS工藝流程
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