靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體和電介質(zhì)(3)-wenkub.com
2025-04-29 04:12 本頁(yè)面
【正文】 已知球體帶電量為 Q， 半徑為 R， 內(nèi)外介電常數(shù)分別為計(jì)算某一空間體積內(nèi)電場(chǎng)能量的方法（ 1）用高斯定理求 分布 。（ 2） 由公式 ，求出 。孤立導(dǎo)體的電荷量與電勢(shì)的比值，稱為該導(dǎo)體的電容皮法電容器及其電容+ ++++A孤立導(dǎo)體作儲(chǔ)能元件的問題：1）能量貯存在整個(gè)空間，不集中。有介質(zhì)時(shí)的高斯定理SS 帶自由電荷的帶電球體在真空中的場(chǎng)強(qiáng)：自由電荷和極化電荷共同產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)：(1)(2)又 因?yàn)椋郝?lián)立可得 代入高斯定理得：引入物理量電位移： 高斯定理變?yōu)椋航橘|(zhì)中的高斯定理：穿出某一閉合曲面的電位移矢量的通量等于這個(gè)曲面所包圍的 “自由電荷 ”的代數(shù)和。2）外場(chǎng)越大，電矩趨于外場(chǎng)方向一致性越好，電矩的矢量和也越大。結(jié)論：定義：介質(zhì)中某一點(diǎn)的電極化強(qiáng)度矢量等于這一點(diǎn)處單位體積的分子電矩的矢量和。（ 2）、電介質(zhì)在靜電場(chǎng)中的極化1）無極分子的位移極化c） 外場(chǎng)越強(qiáng)，分子電矩的矢量和越大，極化也越厲害（由實(shí)驗(yàn)結(jié)果推算，位移極化時(shí)正負(fù)電荷中心位移僅有原子線度的十萬分之一。而球殼外表面電荷仍為 ，且均勻分布，其外電場(chǎng)分布亦不變（體現(xiàn)靜電屏蔽效果）。求：（ 1）靜電平衡時(shí)，金屬板上電荷分布及空間中電場(chǎng)的分布（ 2）如把第二塊板接地，情況又如何（忽略邊緣效應(yīng) )QI II IIIP解（ 1）靜電平衡時(shí)導(dǎo)體內(nèi)無凈電荷，所以電荷只能分布在兩金屬表面；又因不考慮邊緣效應(yīng)，電荷可視為均勻分布。實(shí)際中大量應(yīng)用：1）測(cè)試用的屏蔽室2）無線電電路中的屏蔽罩、屏蔽線、高壓 帶電作業(yè)中的均壓服。產(chǎn)生的條件：導(dǎo)出的重要結(jié)論：處于靜電平衡的導(dǎo)體是等勢(shì)體，其表面是等勢(shì)面。一、靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體 靜電平衡的導(dǎo)體上的電荷的分布規(guī)律：（ 1）其內(nèi)部各處凈電荷為零，電荷只能分布在表面（ 2）其表面上各處的面電荷密度與當(dāng)?shù)乇砻婢o鄰處地電場(chǎng)強(qiáng)度的大小成正比（ 3）孤立
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