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極管及三極管ppt課件-wenkub.com

2025-04-28 00:01 本頁(yè)面
   

【正文】 溫度每升高 1?C, UBE將減小 –( 2~) mV, 即晶體管具有負(fù)溫度系數(shù)。 后一頁(yè) 前一頁(yè) ( B R ) C E O21 BUEC ?一般取 返回 6. 集電極最大允許耗散功耗 PCM 三極管工作時(shí)消耗的功率為: PC = IC UCE PCM取決于三極管允許的溫升,消耗功率 過(guò)大,溫升過(guò)高會(huì)燒壞三極管。 三極管的溫度特性較差?;鶚O電流的變化量 為 ?IB,相應(yīng)的集電極電流變化為 ?IC 。 3) 飽和區(qū) (管子處于飽和導(dǎo)通狀態(tài) )開(kāi)關(guān)閉合 ?IB?IC, UCE?UBE, 發(fā)射結(jié)正偏, 集電結(jié)正偏。 后一頁(yè) 前一頁(yè) 跳轉(zhuǎn) 為可靠截止,常取發(fā)射結(jié)零偏壓或反偏壓。 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 2. 輸出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 當(dāng) UCE 大于一定的數(shù)值時(shí),IC只與 IB有關(guān),即 IC=?IB。 ICE 集電結(jié)反偏,有少子形成的反向電流 ICBO。 跳轉(zhuǎn) 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 3. 三極管內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律 B E C N N P EB RB EC 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。 (3)動(dòng)態(tài)電阻 ZZIUZr ???(4)穩(wěn)定電流 IZ 、最大穩(wěn)定電流 IZM (5)最大允許耗散功率 PZM = UZ IZM 愈小,曲線(xiàn)愈陡,穩(wěn)壓性能愈好。 V s i n18 tu i ??u2 t ?18V 參考點(diǎn) 8V 例 3 二極管的用途: 整流、檢波、限幅、箝位、開(kāi)關(guān)、元件保護(hù)、溫度補(bǔ)償?shù)取? 若二極管是理想的, 正向?qū)〞r(shí)正向管壓降為零, 返回 電路如圖,求: UAB V陽(yáng) =- 6 V V陰 =- 12 V V陽(yáng) V陰 二極管導(dǎo)通 若 忽略管壓降,二極管可看作短路, UAB =- 6V 否則, UAB低于- 6V一個(gè)管壓降,為- - 例 1: 后一頁(yè) 取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn),斷開(kāi)二極管,分析二極管陽(yáng)極和陰極的電位。 3. 外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿,失去單向?qū)щ娦浴?反向電流大,說(shuō)明管子的單向?qū)щ娦圆睿? IRM受溫度的影響,溫度越高反向電流越大。 返回 主要參數(shù) 最大整流電流 IOM 二極管長(zhǎng)期使用時(shí),允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。 反向擊穿 電壓 U(BR) 導(dǎo)通壓降 死區(qū)電壓 外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導(dǎo)通。 結(jié)面積大、正向電流大、結(jié)電容大,用于工頻大電流整流電路。 溫度越高少子的數(shù)量越多,反向電流將隨溫度增加 前一頁(yè) 后一頁(yè) 返回 PN 結(jié)的單向?qū)щ娦? PN 結(jié)加正向電壓(正向偏置, P 接正、 N 接負(fù) )時(shí), PN 結(jié)處于正向?qū)顟B(tài), PN 結(jié)正向電阻較小,正向電流較大。 空間電荷區(qū)也稱(chēng) PN 結(jié) 前一頁(yè) 后一頁(yè) 返回 前一頁(yè) 后一頁(yè) 二、 PN結(jié)的單相導(dǎo)電性 1. PN 結(jié)加正向電壓(正向偏置) PN 結(jié)變窄 P接正、 N接負(fù) - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + U 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) P N IF 內(nèi)電場(chǎng)被削弱,多子的擴(kuò)散加強(qiáng),形成較大的擴(kuò)散電流。 3. 當(dāng)溫度升高時(shí),少子的數(shù)量 ( a. 減少、 b. 不變、 c. 增多)。 空穴稱(chēng)為多數(shù)載流子(多子), 自由電子稱(chēng)為少數(shù)載流子(少子)。 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。 因常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子,因此本征半導(dǎo)體中的自由電子和空穴很少,所以 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。 +4 +4 +4 +4 前一頁(yè) 后一頁(yè) 返回 +4 +4 +4 +4 自由電子 空穴 束縛電子 在常溫下,由于熱激發(fā),使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛,成為 自由電子 (帶負(fù)電),同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位,稱(chēng)為空穴 (帶正電) 。
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