極管及三極管ppt課件-展示頁
2025-05-10 00:01本頁面
【正文】 載流子濃度，所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。 溫度是影響半導體性能的一個重要的外部因素， 這是半導體的一大特點。 當半導體外加電壓時，在電場的作用下將出現(xiàn)兩部分電流： 1）自由電子作定向移動 ?電子電流 2）價電子遞補空穴 ?空穴電流 +4 +4 +4 +4 前一頁 后一頁 返回 本征半導體的導電機理 本征半導體中存在 數(shù)量相等 的兩種載流子，即 自由電子和空穴 。 空穴的遷移相當于正電荷的移動，因此可以認為空穴是載流子。 本征半導體的導電機理 這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。 硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu) 前一頁 后一頁 返回 硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu) 共價鍵共用電子對 共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為 束縛電子。 熱敏性： 當環(huán)境溫度升高時，導電能力顯著增強。 光敏性： 當受到光照時，其導電能力明顯變化。 器件是非線性的、特性有分散性、 RC的值有誤差、工程上允許一定的誤差、采用合理估算的方法。 學會用工程觀點分析問題，就是根據(jù)實際情況，對器件的數(shù)學模型和電路的工作條件進行合理的近似，以便用簡便的分析方法獲得具有實際意義的結(jié)果。 對于元器件，重點放在特性、參數(shù)、技術指標和正確使用方法，不要過分追究其內(nèi)部機理。 三、了解三極管的電流放大作用、特性和主 要參數(shù)。 （下） 第 1章 半導體二極管和三極管 返回 第 15章 半導體二極管和三極管 返回 后一頁 半導體二極管 穩(wěn)壓二極管 半導體三極管 PN結(jié) 半導體的導電特性 返回 前一頁 后一頁 第 15章 半導體二極管和三極管 本章要求： 一、了解 PN的單向?qū)щ娦?、二極管的特性和 主要參數(shù)。 二、了解穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓性能和主要參數(shù)。 四、會根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦苑治龊卸? 極管的電路。討論器件的目的在于應用。 對電路進行分析計算時，只要能滿足技術指標，就不要過分追究精確的數(shù)值。 前一頁 后一頁 返回 半導體的導電特性 半導體的特性： (可制成溫度敏感元件，如熱敏電阻 ) 摻雜性： 往純凈的半導體中摻入某些雜質(zhì)，會使 其導電能力明顯改變。 (可制成各種光敏元件，如光敏電阻、 光敏二極管、光敏三極管、光電池等 )。 前一頁 后一頁 返回 本征半導體 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體，稱為本征半導體。 +4 +4 +4 +4 前一頁 后一頁 返回 +4 +4 +4 +4 自由電子 空穴 束縛電子 在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為 自由電子 （帶負電），同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴 （帶正電） 。 前一頁 后一頁 返回 本征半導體的導電機理 在其它力的作用下，空穴吸引臨近的電子來填補，其結(jié)果相當于空穴的遷移。 因常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子，因此本征半導體中的自由電子和空穴很少，所以 本征半導體的導電能力很弱。 溫度越高，載流子的濃度越高 ， 本征半導體的導電能力越強。 本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。 自由電子稱為多數(shù)載流子（多子）， 空穴稱為少數(shù)載流子（少子）。 空穴稱為多數(shù)載流子（多子）， 自由電子稱為少數(shù)載流子（少子）。 返回 1. 在雜質(zhì)半導體中多子的數(shù)量與 （ a. 摻雜濃度、 ）有關。 3. 當溫度升高時，少子的數(shù)量 （ a. 減少、 b. 不變、 c. 增多）。 擴散的結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬。 空間電荷區(qū)也稱 PN 結(jié) 前一頁 后一頁 返回 前一頁 后一頁 二、 PN結(jié)的單相導電性 1. PN 結(jié)加正向電壓（正向偏置） PN 結(jié)變窄 P接正、 N接負 － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + U 內(nèi)電場 外電場 P N
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