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2025-04-26 01:25 本頁面
【正文】 的典型值為： 口口 9 9 0 ,1 0 0 0,10 1 ????? ?? BE RR 1 1BERR口口???BBBEEEWRWR????1口口 對于均勻摻雜的發(fā)射區(qū)與基區(qū)，有： 中，可將 表示為最簡單的形式： ?BEEBWW ??? ?? 1 代入前面得到的 公式 ?1 122121???????????????BEBBRRLW口口????????? 1 由 ，可得： EpCECECJJJJII ????1 222 BEBBRRLW口口??? 電流放大系數(shù)與虧損因子 上式中： ，稱為 虧損因子 。 代表少子在基區(qū)停留的平均 注入效率 定義： 由發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子電流 IpE 與總的發(fā)射極電流IE 之比，稱為 注入效率 （或 發(fā)射效率 ），記為 ，即： pEnEnEpEpEEpEEpEJJJJJJJII??????11??pEI pCInEIprInrI 當(dāng) WB LB 及 WE LE 時，有： 代入 γ 中得： ??????????????????????EEBBBEBOEBEOBEpEnENWDNWDpWDnWDJJ111111?? ???????????????????????????????1e x p)0(1e x p0kTqVnWqDnWqDJkTqVpWqDpWqDJEBEoEEEEEnEEBBoBBBBBpE 為提高 ，應(yīng)使 NE NB ，即（ NB /NE） 1 ，則上式可近似寫為： ? 已知： ， 代入 中， ? 再利用愛因斯坦關(guān)系： ，得： 注意： DB 、 DE 代表 少子 擴(kuò)散系數(shù)， μB 、 μE 代表 多子 遷移率。 BBBpCpEWpqJJ?2)0(??222112
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