微星h61主板bios設(shè)置-wenkub.com
2025-04-10 04:56 本頁面
【正文】 該項設(shè)置是防止開啟機箱，需要有防開機箱配合。安全設(shè)置 選定文件后回車就開始更新。用U盤的BIOS更新 回車彈出BIOS文件名。也可以清CMOS如果不能啟動則有2聲提示音，反復(fù)3次后出現(xiàn)提示文字。這是集顯作為副顯的Turbo超頻功耗限制。這是集顯作為主顯的Turbo超頻功耗限制。以上三項設(shè)置對于H61沒有意義。這是設(shè)置Turbo從時間角度設(shè)定TDP，設(shè)置范圍032000毫秒（32秒）。想超頻解開TDP限制就得靠它，設(shè)為200已經(jīng)足夠。Package C State Limit C0電源狀態(tài)是活躍狀態(tài)，即CPU執(zhí)行指令。CState 開啟/關(guān)閉C1E支持，默認關(guān)閉。安裝虛擬機時請開啟。現(xiàn)在Windows系統(tǒng)、Linux Hat Enterprise Linux 3 Update 3等均支持這一功能。開啟/關(guān)閉擴展禁止位，默認是開啟。 通過查詢可以知道一些信息：晶體管數(shù)，針腳類型，尺寸等。開啟/關(guān)閉CPUID最大限制，默認是關(guān)閉。內(nèi)存電壓設(shè)置Auto是內(nèi)存條的默認電壓。這項設(shè)置有利于超頻穩(wěn)定可以鍵入數(shù)字，也可以用+/鍵調(diào)整倍頻。JEDEC的DDR3時序表可點擊放大 tWRDRDD：WriteRead Different Ranks same or Different DIMM。tWWDD：WriteWrite Different Rank。這個參數(shù)的含義是讀取不同RANK的延遲（包括了所有DIMM）。 tRTL：參數(shù)范圍2464T。SDRAM內(nèi)存是隨機訪問的，這意味著內(nèi)存控制器可以把數(shù)據(jù)寫入任意的物理地址，大多數(shù)情況下，數(shù)據(jù)通常寫入距離當(dāng)前列地址最近的頁面。FAW就是DRAM FOUR ACT WIN Time，內(nèi)存四項動作成功時間。RTP就是DRAM READ to PRE Time，內(nèi)部讀取到預(yù)充電命令時間。延遲越低，表示下一個bank能更快地被激活，進行讀寫操作。RRD就是Row to Row Delay，行到行延遲。這個參數(shù)設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊的同一個單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。這段必須的時鐘周期用來確保在預(yù)充電發(fā)生前，寫緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫進內(nèi)存單元中。RFC就是Refresh Cycle Time，刷新周期時間。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。RAS就是Row active Delay，內(nèi)存行地址選通延遲。該參數(shù)的大小取決于內(nèi)存顆粒的體質(zhì)，參數(shù)小將獲取最高的性能，但可能會造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作，從而導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。RP就是Row precharge Delay，內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間。對內(nèi)存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。CAS控制從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間。但是要依據(jù)內(nèi)存條的性能。設(shè)置參數(shù)有1T/2T/3T。內(nèi)存時序設(shè)置可點擊放大當(dāng)設(shè)置了Link/Unlink后，下面的Advanced DRAM Configuration變?yōu)榭刹僮鞯?，以便于手動設(shè)置內(nèi)存時序。H61也不支持內(nèi)存超頻，默認的頻率最高是1333MHz。 開啟/關(guān)閉 OC Genie按鈕，默認是關(guān)閉。OC Genie按鈕可點擊放大CPU可以根據(jù)負載啟用核心數(shù)量，并自動超頻。EIST提供了更多的CPU頻率和電壓調(diào)節(jié)級別，因此可以比C1E halt更加精確的調(diào)節(jié)處理器的狀態(tài)。EIST全稱為“Enhanced Intel Speed Step Technology”， 是Intel公司專門為移動平臺和服務(wù)器平臺處理器開發(fā)的一種節(jié)電技術(shù)。但是在H61主板BIOS中出現(xiàn)，沒有用處了。PS2鍵盤喚醒PS2鍵盤喚醒有3項設(shè)置關(guān)閉/任何一鍵/熱鍵（可點擊放大）開啟/關(guān)閉PS2鼠標(biāo)喚醒，默認是關(guān)閉（可點擊放大）喚醒事件設(shè)置可點擊放大依據(jù)CPU電壓來調(diào)控PWM供電的相數(shù)。 CPU供電相管理有三項設(shè)置，APS模式/Intel SVID模式/關(guān)閉，默認是Intel SVID模式。 有三種狀態(tài)：關(guān)機/開機/掉電前狀態(tài)，默認是關(guān)機。EUP2013是歐盟新的節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)，要求電腦在待機狀態(tài)時，功耗降低到歐盟的要求。開啟CPU智能風(fēng)扇首先要設(shè)置目標(biāo)溫度。 7CPU智能風(fēng)扇設(shè)置可點擊放大 6超級I/O配置菜單超級I/O芯片是F71869（可點擊放大） 設(shè)置內(nèi)置顯卡共享內(nèi)存的容量，設(shè)置項有32M/64M/128M。這是設(shè)置開機時從那個顯卡顯示。 4內(nèi)部圖形卡可點擊放大HPET的英文全
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