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微星h61主板bios設(shè)置(存儲(chǔ)版)

2025-05-13 04:56上一頁面

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【正文】 bled。然后F10保存并重啟,就可以從U盤BIOS啟動(dòng)了?;剀噺棾鯱盤的BIOS文件,供你選擇更新用的BIOS文件。回車即可機(jī)箱入侵設(shè)置  在Select one file to Update BIOS處回車,彈出檢測(cè)到的U盤。再回車就開始保存 開啟/關(guān)閉從U盤BIOS啟動(dòng)功能,默認(rèn)是關(guān)閉  Boost可以在短時(shí)間內(nèi)超出TDP限制,但是不能超過這個(gè)功耗。C1到Cn都是處理器睡眠狀態(tài),即和C0狀態(tài)相比,處理器消耗更少的能源并且釋放更少的熱量。C1E的全稱是C1E enhanced halt stat,由操作系統(tǒng)HLT命令觸發(fā),通過調(diào)節(jié)倍頻降低處理器的主頻,同時(shí)還可以降低電壓。 這項(xiàng)設(shè)置的含義是限制執(zhí)行CPUID指令返回最大數(shù)值大。如果有因?yàn)閮?nèi)存兼容不良而藍(lán)屏死機(jī),可以適當(dāng)提高高內(nèi)存電壓 這個(gè)梯隊(duì)是讀寫通道1內(nèi)存的特殊參數(shù)(可點(diǎn)擊放大)這個(gè)參數(shù)和tCL(CASLatency)是相對(duì)的,tCL是“讀”的延遲,tWCL是“寫”的延遲。該選項(xiàng)通常設(shè)置為Auto即可,對(duì)性能以及穩(wěn)定性影響不大。這個(gè)參數(shù)實(shí)際上就是讀命令和預(yù)充電明令之間的時(shí)間間隔。然而,由于需要一定量的數(shù)據(jù),太短的延遲會(huì)引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。 tWR:參數(shù)范圍516T。即“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”,調(diào)整這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定,并不是說越大或越小就越好。也叫做“內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間”,預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。JEDEC規(guī)范中,它是排在第二的參數(shù),降低此延時(shí),可以提高系統(tǒng)性能,如果該值設(shè)置太低,同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址,或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址,所以它是最為重要的參數(shù),在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。性能低的設(shè)置1T后肯定要藍(lán)屏死機(jī)。 這6個(gè)參數(shù)是最重要的,可以在CPUZ里面看到。這是一鍵超頻功能,在H61主板上沒有作用。 超內(nèi)部PLL電壓可點(diǎn)擊放大超頻菜單該菜單主要設(shè)置CPU、GPU、DRAM的頻率、電壓(可點(diǎn)擊放大) 開啟/關(guān)閉時(shí)鐘喚醒,默認(rèn)是關(guān)閉。喚醒事件管理可點(diǎn)擊放大 APS模式(Active Phase Switching)也叫主動(dòng)相變換模式,是微星的動(dòng)態(tài)相位切換功能,其原理是依據(jù)CPU的負(fù)載調(diào)控PWM供電的相數(shù)。市電有時(shí)會(huì)掉電,這項(xiàng)設(shè)置就是應(yīng)對(duì)市電掉點(diǎn)后再來電電腦是開機(jī),還是關(guān)機(jī),或者保持掉電前的狀態(tài)。開啟EUP2013可能導(dǎo)致開機(jī)加電時(shí)間略微延遲。 72設(shè)置風(fēng)扇最小轉(zhuǎn)速可點(diǎn)擊放大 設(shè)置項(xiàng)有自動(dòng)和若干IO地址、中斷號(hào)。 開啟/,默認(rèn)是開啟。 5USB控制器開啟/關(guān)閉USB控制器,默認(rèn)是開啟(可點(diǎn)擊放大) 4內(nèi)置顯卡共享內(nèi)存可點(diǎn)擊放大 [PEG]是PCIE顯卡,設(shè)為首選項(xiàng)時(shí)系統(tǒng)首先初始化PEG。HPET是Intel制定的用以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的8254(PIT)中斷定時(shí)器與RTC定時(shí)器的新定時(shí)器。有IDE和AHCI 2種模式。一般無盤網(wǎng)要設(shè)置為開啟。 3板載網(wǎng)卡可點(diǎn)擊放大 2種狀態(tài),閃爍和雙色。 一、主菜單該菜單顯示基本硬件配置和設(shè)置日期時(shí)間(可點(diǎn)擊放大)比如第一個(gè)設(shè)置就是延遲32個(gè)PCI總線時(shí)鐘。S1是只關(guān)閉顯示,S3是只保持內(nèi)存有+5V SB供電,其余都停止供電??牲c(diǎn)擊放大 3HPET配置可點(diǎn)擊放大這是設(shè)置開機(jī)時(shí)從那個(gè)顯卡顯示。 設(shè)置內(nèi)置顯卡共享內(nèi)存的容量,設(shè)置項(xiàng)有32M/64M/128M。開啟CPU智能風(fēng)扇首先要設(shè)置目標(biāo)溫度。 CPU供電相管理有三項(xiàng)設(shè)置,APS模式/Intel SVID模式/關(guān)閉,默認(rèn)是Intel SVID模式。喚醒事件設(shè)置可點(diǎn)擊放大PS2鍵盤喚醒PS2鍵盤喚醒有3項(xiàng)設(shè)置關(guān)閉/任何一鍵/熱鍵(可點(diǎn)擊放大)開啟/關(guān)閉PS2鼠標(biāo)喚醒,默認(rèn)是關(guān)閉(可點(diǎn)擊放大)EIST全稱為“Enhanced Intel Speed Step Technology”, 是Intel公司專門為移動(dòng)平臺(tái)和服務(wù)器平臺(tái)處理器開發(fā)的一種節(jié)電技術(shù)。CPU可以根據(jù)負(fù)載啟用核心數(shù)量,并自動(dòng)超頻。OC Genie按鈕可點(diǎn)擊放大H61也不支持內(nèi)存超頻,默認(rèn)的頻率最高是1333MHz。設(shè)置參數(shù)有1T/2T/3T。該參數(shù)的大小取決于內(nèi)存顆粒的體質(zhì),參數(shù)小將獲取最高的性能,但可能會(huì)造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失,內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作,從而導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。如果tRAS的周期太短,則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸,這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。RFC就是Refresh Cycle Time,刷新周期時(shí)間。這段必須的時(shí)鐘周期用來確保在預(yù)充電發(fā)生前,寫緩沖中
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