微星h61主板bios設(shè)置(編輯修改稿)
2025-05-10 04:56 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 。Turbo Boost設(shè)置可點擊放大 開啟/關(guān)閉Turbo Boost，默認(rèn)開啟。英特爾第2代睿頻技術(shù)。CPU可以根據(jù)負(fù)載啟用核心數(shù)量，并自動超頻。單核工作時頻率可提高20%。微星H61主板BIOS設(shè)置320110721 19:02 OC Genie按鈕可點擊放大 開啟/關(guān)閉 OC Genie按鈕，默認(rèn)是關(guān)閉。這是一鍵超頻功能，在H61主板上沒有作用。內(nèi)存頻率設(shè)置可點擊放大 回車彈出頻率選擇菜單。H61也不支持內(nèi)存超頻，默認(rèn)的頻率最高是1333MHz。開啟/關(guān)閉XMP，默認(rèn)是關(guān)閉。XMP在H61主板上也不起作用（可點擊放大）DRAM時序模式可點擊放大 這里的設(shè)置有Auto/Link/Unlink，Auto就是按內(nèi)存的SPD參數(shù)自動設(shè)置，Link/Unlink是手動設(shè)置，Link是雙通道用同一個時序設(shè)置，Unlink是2個通道分開設(shè)置時序。當(dāng)設(shè)置了Link/Unlink后，下面的Advanced DRAM Configuration變?yōu)榭刹僮鞯模员阌谑謩釉O(shè)置內(nèi)存時序。內(nèi)存時序設(shè)置可點擊放大第一梯隊的六個參數(shù) 這6個參數(shù)是最重要的，可以在CPUZ里面看到。其中CL、RCD、RP是JEDEC標(biāo)準(zhǔn)排名前三的重要參數(shù)。Command Rate：命令速率，也稱之為CR，Command Mode。設(shè)置參數(shù)有1T/2T/3T。這個選項是內(nèi)存控制器開始發(fā)送命令到命令被送到內(nèi)存芯片的延遲。延遲時間以周期為單位。1T當(dāng)然比2T快。但是要依據(jù)內(nèi)存條的性能。性能低的設(shè)置1T后肯定要藍(lán)屏死機(jī)。一般保持Auto設(shè)置即可，讓BIOS自己去設(shè)置。t CL：參數(shù)范圍515T。CL就是CAS Latency，列地址選通潛伏時間，指的是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。 tRCD：參數(shù)范圍415T。RCD就是RAS to CAS Delay，行地址到列地址的延遲時間，數(shù)值越小，性能越好。對內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時，可以提高系統(tǒng)性能，如果該值設(shè)置太低，同樣會導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。tRP：參數(shù)范圍415T。RP就是Row precharge Delay，內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間。也叫做“內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時間”，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。tRP用來設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數(shù)大會導(dǎo)致所有的行激活延遲過長，參數(shù)小可以減少預(yù)充電時間，從而更快地激活下一行。該參數(shù)的大小取決于內(nèi)存顆粒的體質(zhì)，參數(shù)小將獲取最高的性能，但可能會造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作，從而導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。參數(shù)值大將提高系統(tǒng)的穩(wěn)定。 這3個參數(shù)是JEDEC規(guī)范中最重要的參數(shù)，參數(shù)值越低，內(nèi)存讀寫操作越快，但穩(wěn)定性下降，相反數(shù)值越高，讀寫速度降低，穩(wěn)定性越高。 tRAS：參數(shù)范圍1040T。RAS就是Row active Delay，內(nèi)存行地址選通延遲。即“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個參數(shù)要根據(jù)實際情況而定，并不是說越大或越小就越好。如果tRAS的周期太長，系統(tǒng)會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會導(dǎo)致已被激活的行地址會更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯誤或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。 tRFC：參數(shù)范圍48200T。RFC就是Refresh Cycle Time，刷新周期時間。它是“SDRAM行刷新周期時間”，它是行單元刷新所需要的時鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。DRAM參數(shù)的第二梯隊 tWR：參數(shù)范圍516T。WR就是Write Recovery Time，寫恢復(fù)延時。該值指的是在一個激活的bank中完成有效的寫操作及預(yù)充電前，必須等待多少個時鐘周期。這段必須的時鐘周期用來確保在預(yù)充電發(fā)生前，寫緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫進(jìn)內(nèi)存單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預(yù)充電操作，會導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。 tWTR：參數(shù)范圍415T。WTR就是Write to Read Delay，寫到讀延時。這個參數(shù)設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊的同一個單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘周期。tWTR值偏高，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。偏低則提高讀寫性能，但系統(tǒng)會不穩(wěn)定。 tRRD：參數(shù)范圍115T。RRD就是Row to Row Delay，行到行延遲。也稱為RAS to RAS delay ，表示“行單元到行單元的延時”。該值也表示
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