【文章內(nèi)容簡介】 解教程之Award篇(目前主板上常見的BIOS主要為AMI與AWARD兩個(gè)系列，如何辨別BIOS品牌系列請移步，本文詳細(xì)講解Award系列的BIOS設(shè)置圖解教程，如果你的BIOS為AMI系列請移步 BIOS設(shè)置圖解教程之AMI篇，文中重要的部分已經(jīng)標(biāo)紅，快速閱讀請配合圖片查閱紅色加速字體即可）介紹了AMI Bios設(shè)置后。我們再來介紹一下Award的Bios設(shè)置，其實(shí)Award Bios和AMI Bios里面有很多東西是相同的，可以說基本上是一樣的，雖然有些名字叫法不同，但是實(shí)際作用是一樣的。在前文中已經(jīng)了解了一些Bios的基本知識，和設(shè)置，那么在這篇文章里面我就會更詳細(xì)的介紹一下Bios的超頻設(shè)置，希望對那些想超頻但是又沒有接錯(cuò)過超頻的玩家能有一些幫助。和AMI Bios一樣，再開機(jī)畫面時(shí)按下“Del”鍵進(jìn)入Bios設(shè)置菜單（有些是按F1鍵），如圖： 進(jìn)入后大家會看到以下菜單，也有可能會有一些差別，但是基本上是差不多的，及算名字不同，但是基本上作用是一樣的！ 大家可以用方向鍵移動光標(biāo)，回車鍵確認(rèn)，ESC鍵返回，用PageUp，PageDown和數(shù)字鍵鍵調(diào)整設(shè)置，在任何設(shè)置菜單中可以按下F10鍵退出并保存設(shè)置，這些都和AMI Bios設(shè)置差不多！那么就正式進(jìn)入設(shè)置！一．SoftMenu Setup（軟超頻設(shè)置）其實(shí)這個(gè)Soft Menu Setup，是升技主板獨(dú)有的技術(shù)，這里提供了豐富的CPU外頻、倍頻調(diào)節(jié)（需要CPU支持）、AGP/PCI總線頻率以及CPU/內(nèi)存/AGP的電壓調(diào)節(jié)頻率等等。這個(gè)項(xiàng)目相當(dāng)于一些主板中的“Frequency/Voltage Control”前面是CPU的一些基本信息顯示，下面的選項(xiàng)就是CPU超頻的主要選項(xiàng)了！1. CPU Operating Speed（CPU外頻設(shè)置）：這個(gè)項(xiàng)目根據(jù)你所使用的處理器型式以及速度來顯示該處理器的運(yùn)作速度，您可以選擇[User Define]（使用者設(shè)定）的選項(xiàng)來手動輸入其運(yùn)作速度。 如圖：好了，到了這里我就先放下Bios的設(shè)置引導(dǎo)了，在教大家超頻之前先向大家解釋一下什么叫超頻以及超頻的原理吧，這樣才能讓你能更好的進(jìn)入下一步Bios設(shè)置超頻！CPU超頻，它的主要目的是為了提高CPU的工作頻率，也就是CPU的主頻。而CPU的主頻又是外頻（FSB）和倍頻（Multiplier Factor） 的乘積。例如一塊CPU的外頻為200MHz,倍頻為10,可以計(jì)算得到它的主頻＝外頻倍頻＝200MHz10 = 2000MHz。提升CPU的主頻可以通過改變CPU的倍頻或者外頻來實(shí)現(xiàn)。但如果使用的是Intel CPU，你盡可以忽略倍頻，因?yàn)镮ntelCPU使用了特殊的制造工藝來阻止修改倍頻。但是有一部分Intel的工程樣品是沒有鎖定倍頻額，AMD的CPU可以修改倍頻。雖然提升CPU的外頻或者倍頻都可以使CPU達(dá)到同樣的頻率，它用200*10＝，我們可以把倍頻提升到20，而把FSB降到100MHz，或者可以把FSB提升到250，而把倍頻降低到8。，但是他們所得到的性能是不一樣的。因?yàn)橥忸l（FSB）是系統(tǒng)用來與處理器通信的通道，應(yīng)該讓它盡可能的提高。所以如果把FSB降到100MHz而把倍頻提高到20的話，但是系統(tǒng)的其余部分與處理器通信將會比以前慢得多，導(dǎo)致系統(tǒng)性能的損失，因此，如果用戶的CPU可以降低倍頻，不妨試一試！外頻的速度通常與前端總線、內(nèi)存的速度緊密關(guān)聯(lián)。因此當(dāng)你提升了CPU外頻之后，CPU、系統(tǒng)和內(nèi)存的性能也同時(shí)提升，這就是為什么DIYer喜歡超頻的原因了。好了，言歸正傳，繼續(xù)Bios設(shè)置，在你選擇“CPU Operating Speed”中的“Use Defined”選項(xiàng)后，你會看到以前不可以選的CPU選項(xiàng)現(xiàn)在已經(jīng)可以進(jìn)行設(shè)置了?。–PU/AGP/PCI）這就是外頻調(diào)節(jié)設(shè)置選項(xiàng)，手動輸入想設(shè)置成的CPU外頻數(shù)值，在此允許輸入數(shù)值范圍在100412之間，可以以每1MHz的頻率提高進(jìn)行線性超頻，最大限度的挖掘CPU的潛能。一般上CPU的外頻在100至250左右較為正常，一般不會超過300MHz，所以用戶千萬不要一次性把外頻調(diào)到最高，原則上來講，第一次超頻CPU因?yàn)椴磺宄﨏PU究竟可以在多高的外頻下工作，因此設(shè)置外頻的數(shù)值可以以三至五兆赫茲為臺階提高來慢慢試驗(yàn)，在此為了示范，直接將外頻設(shè)置成了133MHz這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)外頻，設(shè)置了正確的外頻數(shù)字以后再按回車鍵確定。如果CPU的倍頻沒有被鎖定的話，（CPU/AGP/PCI）菜單下會顯示有一個(gè)Multiplier Factor（倍頻設(shè)置）選項(xiàng)這個(gè)項(xiàng)目選擇CPU的倍頻數(shù)。 New CPU clock：這個(gè)項(xiàng)目顯示前兩項(xiàng) [Ext. Clock] 與 [Multiplier Factor] 的頻率總和。3. N/B Strap CPU As：這個(gè)部份可以設(shè)定指定給MCH (內(nèi)存控制器)的前端總線。選項(xiàng)有：[PSB400]、[PSB533]、[PSB800]、以及 [By CPU]。默認(rèn)值是 [By CPU].若要手動設(shè)定這個(gè)部份：若CPU的頻率為100MHz FSB，則可選擇 [PSB400]。若CPU的頻率為133MHz FSB，則可選擇 [PSB533]。若CPU的頻率為200MHz FSB，則可選擇 [PSB800]。 Ratio (CPU RAM):這個(gè)部份可以決定CPU和DRAM之間的頻率比。 說到這里，又得跟大家解釋一下CPU與內(nèi)存的關(guān)系了，內(nèi)存的工作頻率是由外頻（FSB）決定的，因此我們在對CPU超頻的同時(shí)就給內(nèi)存也增加了運(yùn)行頻率，設(shè)置外頻與內(nèi)存總線頻率的比值。如果你使用的是DDR333內(nèi)存，它的標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)行頻率可以達(dá)到166MHz，由于剛才我們已經(jīng)把外頻設(shè)置成了133MHz，因此在此可以選擇“4:5”，讓內(nèi)存也運(yùn)行在最高的頻率。5. Fixed AGP/PCI Frequency：此項(xiàng)目可用來決定AGP/PCI總線的頻率，此選項(xiàng)允許你維持您的AGP/PCI頻率在一些固定的頻率上，以增進(jìn)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。6. CPU Power Supply：此選項(xiàng)允許用戶在處理器預(yù)設(shè)電壓數(shù)值和使用者定義電壓數(shù)值之間做切換，請不要隨意去變動此預(yù)設(shè)電壓數(shù)值，除非你有一定的調(diào)節(jié)經(jīng)驗(yàn)，選擇「User Define」選項(xiàng)后“CPU Core Voltage ”就可以選擇CPU核心所使用的電壓可讓您以手動的方式來選擇處理器的核心電壓數(shù)值。 如圖： 這里介紹一下CPU核心電壓，P4 ，當(dāng)然超頻提高電壓是要在保證穩(wěn)定工作的前提下，盡可能的少加電壓，這是從散熱方面考慮為了將CPU的溫度盡可能的控制在低水平下。電壓也可以一點(diǎn)一點(diǎn)兒的逐漸嘗試提高，不必急于一步到位。，有可能會燒壞CPU，因此電壓不宜加的過高！ SDRAM Voltage:這個(gè)部份可以選擇DRAM插槽工作電壓。 就是來提高給DDR內(nèi)存供電的電壓，如果內(nèi)存品質(zhì)不好，或是超頻了內(nèi)存，那么可以適當(dāng)提高一點(diǎn)內(nèi)存電壓，不然則有可能會損壞內(nèi)存！最后，在這里面還可以看到給AGP顯示卡提高工作電壓的選項(xiàng)，如果你超頻是為標(biāo)準(zhǔn)外頻，也讓顯示卡超頻工作了的話，那么可以考慮適當(dāng)提高一些AGP的電壓。如圖： 好了，說了這么多的超頻的Bios設(shè)置后，繼續(xù)說明其他選項(xiàng)的Bios設(shè)置，當(dāng)然，一下內(nèi)容中同樣也有關(guān)于優(yōu)化超頻的說明！ CMOS Features（標(biāo)準(zhǔn)CMOS參數(shù)設(shè)定） 這里就不用多講了！想必大家都能看懂！下面是“IDE設(shè)備設(shè)置”里面的選項(xiàng)解釋，一般不用用戶設(shè)置，保持默認(rèn)的就可以了！三．Advanced BIOS Features（BIOS進(jìn)階功能設(shè)定） Power On Self Test（快速啟動選擇）:當(dāng)設(shè)定為[Enabled]（啟動）時(shí)，這個(gè)項(xiàng)目在系統(tǒng)電源開啟之后，可加速POST（Power On Self Test）的程序。BIOS會在POST過程當(dāng)中縮短或是跳過一些檢查項(xiàng)目，從而加速啟動等待的時(shí)間！ Disk Boot Priority（硬盤引導(dǎo)順序）:此項(xiàng)目可選擇硬盤開機(jī)的優(yōu)先級，按下的按鍵，你可以進(jìn)入它的子選單，它會顯示出已偵測到可以讓您選擇開機(jī)順序的硬盤，以用來啟動系統(tǒng)。當(dāng)然，這個(gè)選項(xiàng)要在你安裝了兩塊或者兩塊以上的系統(tǒng)才能選擇！3. HDD Change Message:當(dāng)設(shè)定為[Enabled]（啟動）時(shí)，如果你的系統(tǒng)中所安裝的硬盤有更動，在POST的開機(jī)過程中，屏幕會出現(xiàn)一道提示訊息。4. First Boot Device / Second Boot Device / Third Boot Device / Boot Other Device:在[First Boot Device]、[Second Boot Device]以及[Third Boot Device]的項(xiàng)目當(dāng)中選擇要做為第一、第二以及第三順序開機(jī)的裝置。BIOS將會依據(jù)你所選擇的開機(jī)裝置，依照順序來啟動操作系統(tǒng)！其中可以選擇的設(shè)備根據(jù)你安裝的設(shè)備而定！如圖： Chipset Features（芯片組設(shè)定） 芯片組設(shè)定也是Bios設(shè)置里面的一個(gè)重點(diǎn)設(shè)置，這里就詳細(xì)說明一下！ Timing Selectable（內(nèi)存參數(shù)設(shè)置選項(xiàng)）：這個(gè)項(xiàng)目會視內(nèi)存模塊的不同，為接下來四個(gè)項(xiàng)目設(shè)定最佳的計(jì)時(shí)方式。默認(rèn)值為「By SPD」。這個(gè)默認(rèn)值會讀取SPD (Serial Presence Detect) 裝置的內(nèi)容，并且依據(jù)SPD內(nèi)容設(shè)定這四個(gè)項(xiàng)目。內(nèi)存模塊上的EEPROM (只讀存儲器) 儲存有關(guān)模塊的重要參數(shù)信息，例如內(nèi)存類型、大小、速度、電壓接口及模塊儲存區(qū)域。 Latency Time：這個(gè)項(xiàng)目可控制DRAM讀取指令與數(shù)據(jù)成為真正可用的時(shí)間之間的延遲時(shí)間。較低的CAS周期能減少內(nèi)存的潛伏周期以提高內(nèi)存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運(yùn)行操作系統(tǒng)，我們應(yīng)當(dāng)盡量把CAS參數(shù)調(diào)低,從而提高內(nèi)存的運(yùn)行速度。反過來，如果內(nèi)存運(yùn)行不穩(wěn)定，可以將此參數(shù)設(shè)大，以提高內(nèi)存穩(wěn)定性。3. Act to Precharge Delay：這個(gè)項(xiàng)目控制了給DRAM參數(shù)使用之DRAM頻率的數(shù)值。同理，數(shù)值小性能高，但是對內(nèi)存的質(zhì)量也要求嚴(yán)格！ RAS to CAS Delay：這個(gè)項(xiàng)目可控制DRAM作用指令與讀取/寫入指令之間的延遲時(shí)間，有2，3，4幾種選擇。數(shù)值越小，性能越好。5. DRAM RAS Precharge：這個(gè)項(xiàng)目是用來控制當(dāng)預(yù)充電（precharge）指令送到DRAM之后，頻率等待啟動的等待時(shí)間。預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。以上的內(nèi)存參數(shù)設(shè)置一般可以不動！讓默認(rèn)的就可以了，但是超頻玩者是肯定不會放過任何可以提高性能的東西的，所以如果你想在這里讓你的電