白光leds和半導(dǎo)體物理學(xué)-wenkub.com
2025-01-15 02:11 本頁面
【正文】 發(fā)現(xiàn)： 5種散射的影響遷移率，其中中性雜質(zhì)散射起主要作用 Why? N型 SiAlN具有 254meV的高離化能，導(dǎo)致很少受主被離化，大多數(shù)以中性雜質(zhì)形式出現(xiàn)。這時(shí) pn結(jié)中有統(tǒng)一的費(fèi)米能級(jí) EF， pn結(jié)處于平衡狀態(tài)，其能帶如圖 10(b)所示。 但是從上式求 EF的一般解析式還是困難，下面分析不同溫度范圍的情況 低溫弱電離區(qū) ( ) l n ( )2 2 2c D o DFcE E k T NEN???1122( ) e x p ( ) ( ) e x p ( )2 2 2 2D c c D D c DoooN N E E N N Enk T k T? ?? ? ?中間電離區(qū) 施主雜質(zhì)有 1/3電離 強(qiáng)電離區(qū) l n ( )DF c oCNE E k TN??No=ND 過渡區(qū) 1 ()2DF i oiNE E k T s hn???22ioDDio o DDnnNNnp n NN??? ? ?P型半導(dǎo)體 低溫弱電離區(qū)： 12( ) l n( )2 2 2( ) e xp( )22v A o AFvAv AooE E k T NENNN EpkT??????強(qiáng)電離區(qū) （飽和區(qū)） ln2( ) e x p ( )AF v ovoAAAAAvoNE E k TNpNP D NNEDN k T????????過渡區(qū)： 12121221222()24( ) 1 ( 1 )224( ) 1 ( 1 )AF i oiiAoAiioAANE E k T shnnNpNnnnNN??????? ? ???????? ? ?????圖 8給出了不同摻雜情況下費(fèi)米能級(jí)圖 強(qiáng) p型中， NA大，導(dǎo)帶中電子最少，價(jià)帶中電子也最少。當(dāng)半導(dǎo)體處于熱平衡狀態(tài)時(shí)，載流子濃度的乘積保持恒定，如果電子濃度增加，那么空穴的濃度就要減少，反之亦然。另外費(fèi)米能級(jí)也與溫度及半導(dǎo)體中所含雜質(zhì)情況密切相關(guān)。圖 4(e)中用陰影線標(biāo)出了的面積就是導(dǎo)帶中能量 E到 E+dE間的電子數(shù)，所以 f(E)gc(E)曲線與能量軸之間的面積除以半導(dǎo)體體積后就等于導(dǎo)帶的電子濃度。由于隨著能量 E的增大， 1f(E)迅速增大，所以價(jià)帶中絕大多數(shù)空穴分布在價(jià)帶頂附近。從圖中看出，隨著溫度升高，電子占據(jù)能量小于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)的概率下降，而占據(jù)能量大于費(fèi)米能級(jí)的量子態(tài)的概率增大 電子與空穴的 波爾茲曼分布函數(shù) ： 費(fèi)米能級(jí) EF位于禁帶內(nèi)，而且與導(dǎo)帶底或價(jià)帶頂?shù)木嚯x遠(yuǎn)大于 koT, 導(dǎo)帶中的所有量子態(tài)來說，被電子占據(jù)的概率，一般都滿足 f(E)1,故半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子分布可以用電子的波爾茲曼分布函數(shù)描寫。對(duì)于能量為 E的一個(gè)量子態(tài)被一個(gè)電子占據(jù)的概率 f(E)為： 1()1 e xp( )FofE EEkT? ??其中 f(E)稱為電子的費(fèi)米分布函數(shù)，描寫熱平衡狀態(tài)下，電子在允許的量子態(tài)上 如何分布的一個(gè)統(tǒng)計(jì)分布函數(shù) ()FTFE N? ??? ?其中代表系統(tǒng)的化學(xué)勢， F是系統(tǒng)的自由能。要計(jì)算能量在 E到 E+dE之間的量子態(tài)數(shù)，只要計(jì)算這兩個(gè)球殼之間的量子態(tài)數(shù)即可。 但是要找出內(nèi)部勢場的具體形式并且求出加速度，遇到一定的困難，引入有效質(zhì)量可使問題變得簡單 研究電子在外力作用下的運(yùn)動(dòng)規(guī)律時(shí)，不涉及到半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的作用，特別是有效質(zhì)量 可以直接測定，因而方便解決電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律 *mn能帶底部或頂部 E(k)與 k的關(guān)系： 其中為 能帶底或頂電子的有效質(zhì)量。 半導(dǎo)體中的電子的運(yùn)動(dòng) 有效質(zhì)量 有效質(zhì)量的意義 ：半導(dǎo)體中的電子在外力作用下，描述電子運(yùn)動(dòng)規(guī)律的方程出現(xiàn)的有效質(zhì)量。這反映了電子不再完全局限在某一個(gè)原子上，而是可以從晶胞中某一點(diǎn)自由地運(yùn)動(dòng)到其它晶胞內(nèi)的對(duì)應(yīng)點(diǎn)，因而電子可以在整個(gè)晶體中運(yùn)動(dòng)，這種運(yùn)動(dòng)稱為電子在晶體內(nèi)的共有化運(yùn)動(dòng)。 、半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)和能帶 電子在周期性勢場中運(yùn)動(dòng)的基本特點(diǎn)和自由電子的運(yùn)動(dòng)十分相似?，F(xiàn)在考慮由 N個(gè)原子組成的晶體，當(dāng) N個(gè)原子相互靠近結(jié)合成晶體后，每個(gè)電子都要受到周圍原子勢場的作用，其結(jié)果是每一個(gè) N度簡并的能級(jí)都分裂成 N個(gè)彼此相距很近的能級(jí)，這 N個(gè)能級(jí)組成一個(gè)能帶。 采用的方法：單電子近似－－－ 研究固態(tài)晶體中的電子能態(tài)。 總 結(jié)： 主要系統(tǒng)學(xué)習(xí)了影響大功率發(fā)光二極管發(fā)光效率的因素； 對(duì)白光發(fā)光二極管和熒光燈的發(fā)光機(jī)理進(jìn)行了分析 詳細(xì)分析了白光發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率和外量子效率的影響因素。 其粗化方法 基本上是在組件的幾何形狀上形成規(guī)則的凹凸形狀，而這種規(guī)則分布的結(jié)構(gòu)也依所在位置的不同分為兩種形式，一種是在組件內(nèi)設(shè)置凹凸形狀，另一種方式是在組件上方制作規(guī)則的凹凸形狀，并在組件背面設(shè)置反射層。因此，在 Flipchip 大功率 LED器件的封裝中，選用合適的芯片襯底粘貼材料并在批量生產(chǎn)工藝中保證粘貼厚度盡量小，對(duì)保證器件的可靠性和出光特性是十分重要的。K，同時(shí)其厚度等于 20μm時(shí)， RΘAttach等于 （ K/W），當(dāng)其厚度為 100μm時(shí)， RΘAttach等于 （ K/W）。 設(shè)倒裝芯片襯底的橫截面積為
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