【總結(jié)】總復(fù)習(xí)第一章概論什么是微電子學(xué)?有什么意義?晶體管發(fā)明:1947,貝爾,肖克萊等摩爾定律集成電路分類1.數(shù)字、模擬、模數(shù)混合(按電路功能分)2.MOS,雙極,BiMOS(按器件結(jié)構(gòu)類型分)3.SSI,MSI,LSI,VLSI(按規(guī)模分)4.單片,混合(按結(jié)構(gòu)形式分)集成電路按器件結(jié)構(gòu)可分為什
2024-12-28 23:07
【總結(jié)】發(fā)展和變化中的集成電路產(chǎn)業(yè)浙江大學(xué)微電子與光電子研究所韓雁2023年3月15日3/10/2023浙大微電子(共68頁)1.概述集成電路產(chǎn)業(yè)是一門充滿創(chuàng)新和變數(shù)的產(chǎn)業(yè)–1958年第一塊集成電路(IC)誕生,半個世紀(jì)的歷程演繹了令人興奮不已的快速進(jìn)步。–IC產(chǎn)業(yè)既是一個令世人驚羨鐘愛的產(chǎn)業(yè),又是一個使人嘔
2025-01-02 10:03
【總結(jié)】微電子技術(shù)應(yīng)用基礎(chǔ)微電子學(xué)?微電子學(xué)是電子學(xué)的一門分支,主要研究電子或離子在固體材料中的運(yùn)動規(guī)律及其應(yīng)用?微電子學(xué)是以實(shí)現(xiàn)電路和系統(tǒng)的集成為目的,研究如何利用半導(dǎo)體的微觀特性以及一些特殊工藝,在一塊半導(dǎo)體芯片上制作大量的器件,從而在一個微小面積中制造出復(fù)雜的電子系統(tǒng)。微電子技術(shù)微電子技術(shù)是微電子學(xué)中各項(xiàng)工藝技術(shù)的總稱,它包括
2025-08-04 16:16
【總結(jié)】基極電阻把基極電流IB從基極引線經(jīng)非工作基區(qū)流到工作基區(qū)所產(chǎn)生的電壓降,當(dāng)作是由一個電阻產(chǎn)生的,稱這個電阻為基極電阻,用rbb’表示。由于基區(qū)很薄,rbb’的截面積很小,使rbb’的數(shù)值相當(dāng)可觀,對晶體管的特性會產(chǎn)生明顯的影響。以下的分析以NPN管為例。(1
2025-07-25 07:03
【總結(jié)】電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系對高頻信號進(jìn)行放大時,首先用被稱為“偏置”或“工作點(diǎn)”的直流電壓或直流電流使晶體管工作在放大區(qū),然后把欲放大的高頻信號疊加在輸入端的直流偏置上。當(dāng)信號電壓的振幅遠(yuǎn)小于(kT/q)時,稱為小信號。這時晶體管內(nèi)與信號有關(guān)的各電壓、電流和電荷量,都由直流偏
2025-08-04 15:48
【總結(jié)】CADENCE1Cadence設(shè)計系統(tǒng)介紹清華大學(xué)微電子所CADENCE2OUTLINECad
2025-04-29 04:23
【總結(jié)】微電子科學(xué)與工程?制作人:楊恩宇介紹要點(diǎn)微電子的經(jīng)典書籍信息來源:百度關(guān)鍵字:微電子經(jīng)典書籍?模擬CMOS集成電路設(shè)計作者:畢查德·拉扎維?半導(dǎo)體制造技術(shù)作者:MichaelQuirk/JulianSerda?晶體管原理與設(shè)計作
2024-09-20 21:20
【總結(jié)】微電子技術(shù)發(fā)展的規(guī)律及趨勢Moore定律Moore定律?1965年Intel公司的創(chuàng)始人之一GordonE.Moore預(yù)言集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)律?集成電路的集成度每三年增長四倍,?特征尺寸每三年縮小倍2Moore定律10G1G100M10M1M100
2025-05-15 11:12
【總結(jié)】MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性MOSFET的直流參數(shù)1、閾電壓VT2、飽和漏極電流IDSS只適用于耗盡型MOSFET,表示當(dāng)VGS=0,VDSVDsat且恒定時的IDsat,即??22DSSGSTT22IVVV????
2025-08-05 19:44
【總結(jié)】微電子工藝基礎(chǔ)第5章氧化工藝微電子工業(yè)基礎(chǔ)第5章氧化工藝本章(4學(xué)時)目標(biāo):1、掌握硅器件中二氧化硅層的用途2、熟悉熱氧化的機(jī)制3、熟悉干氧化、濕氧化和水汽氧化的特點(diǎn)4、摻氯氧化的作用5、氧化膜質(zhì)量的檢測方法微電子工
2025-04-29 05:53
【總結(jié)】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護(hù)而不會被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,
2025-04-30 13:59
【總結(jié)】PN結(jié)的擊穿雪崩倍增隧道效應(yīng)熱擊穿擊穿現(xiàn)象擊穿機(jī)理:電擊穿BV?VI0I碰撞電離率和雪崩倍增因子在耗盡區(qū)中,反向電壓
【總結(jié)】教案2007~2008學(xué)年第一學(xué)期院(系、部)機(jī)電工程學(xué)院教研室物理與電子科學(xué)系課程名稱微電子概論專業(yè)、年級、班級05電科(1)(2)(3)班主講教
2025-04-16 23:19
【總結(jié)】微電子培訓(xùn)手冊3/9/20231目錄歡迎加入無錫紅光微電子有限公司裝片工序,您將通過以下課程的學(xué)習(xí)逐步掌握裝片的操作;希望通過我們共同的努力,您能早日成為一名裝片工序合格的操作員工!3/9/20232目錄歡迎加入無錫紅光微電子有限公司裝片工序,您將通過以下課程的學(xué)習(xí)
2025-01-01 04:40
【總結(jié)】1、名詞解釋1.水汽氧氧化:氧化(氧氣)中攜帶一定量的水氣,氧化特性介于干氧與濕氧之間。2.恒定源擴(kuò)散:在擴(kuò)散過程中,硅片表面的雜質(zhì)濃度Ns始終保持不變。例如,基區(qū)、發(fā)射區(qū)的預(yù)淀積,箱法擴(kuò)散。3.?dāng)U散系數(shù):描述粒子擴(kuò)散快慢的物理量,是微觀擴(kuò)散的宏觀描述。4.外延:一種在單晶或多晶襯底上生長一層單晶或多晶薄膜的技術(shù)。5.分辨率:光刻時所能得到的光刻圖形的最小尺寸,用來表征
2025-03-25 01:57