【正文】 B RE CE的作用：交流通路中， CE將 RE短路，RE對交流不起作用，放大倍數(shù)不受影響。 為此，需要改進固定偏置電路， 常采用射極分壓式偏置電路來穩(wěn)定靜態(tài)工作點。 靜態(tài)工作點的穩(wěn)定 ……. ? ? …… Q點的穩(wěn)定性 對于前面的放大電路 (即固定偏置電路 )而言，靜態(tài)工作點由 UBE、 ? 和 ICEO 決定，這三個參數(shù)隨溫度而變化，溫度對靜態(tài)工作點的影響主要體現(xiàn)在這些方面。 靜態(tài)工作點的穩(wěn)定 設(shè)置 Q點的原因 前一節(jié)知識的回顧 Q點設(shè)置的合理性 晶體管工作在放大區(qū) 晶體管實現(xiàn)線性放大 基本共射放大電路的 Q點分析 靜態(tài) Q點通過晶體管的動態(tài)電阻 rbe影響 電壓放大倍數(shù)、輸入電阻 等動態(tài)參數(shù)。 1bcii第二章 基本放大電路 167。 反向擊穿電壓 U（ BR） CEO：基極開路時 ， 集電極 、 發(fā)射極之間最大允許電壓為反向擊穿電壓 U（ BR）CEO， 當 UCE U（ BR） CEO時 ， 三極管的 IC、 IE劇增 ，使三極管擊穿 。 b. 對應同一個 UCE值 ， IB增加 ， IC顯著增加 ， 并且 IC的變量 ΔIC與 IB的變量 ΔIB基本為正比關(guān)系 （ 曲線簇等間距 ） 。 ?三極管的特性曲線 2) 當 UCE ≥1V時的輸入特性 （ 圖中曲線 ② ） 當UCE≥1V 時 ， 輸入特性曲線右移 （ 相對于 UCE =0時的曲線 ） ， 表明對應同一個 UBE值 ， IB減小了 ， 或者說 ，要保持 IB不變 ， UBE需增加 。 在集電極回路（ c、 e間）串入一個負載電阻 RL，RL兩端電壓變量為 Δuo。 UBE變化能引起 IC變化的現(xiàn)象 ， 本應理解為電壓控制 ， 但二者的關(guān)系是非線性的 ， 表達起來很不方便 ，當 ICBO（ 或 ICEO） 可忽略時 ， 則有 IC≈h FE本 IB， 表明 IC同IB（ 或 IE） 有一個比例關(guān)系 ， 使用起來很方便 ， 所以通常說 IC受 IB（ 或 IE） 控制 ， 或者說 ， IC隨 IB（ 或 IE） 成正比變化 。 各極電流滿足下列分配關(guān)系： IB=IBEICBO IC=ICE+ICBO =h FE本 IBE+ICBO =h FE本 (IB+ICBO)+Ｉ CBO =hFE本 IB+(1+hFE本 )ICBO =hFE本 IB+ICEO ICEO=(1+hFE本 )I CBO IE=I CE+I BE =(ICICBO)+(IB+ICBO) =IC+IB 由三極管內(nèi)部的載流子運動規(guī)律可知 ， 集電極電流 IC主要來源于發(fā)射極電流 IE， 而同集電極外電路幾乎無關(guān) ， 只要加到集電結(jié)上的反向電壓能夠把從基區(qū)擴散到集電結(jié)附近的電子吸引到集電區(qū)即可 。 2） 綜合載流子的運動規(guī)律，三極管內(nèi)的電流分配如圖所示，圖中的箭頭表示電流方向。 擴散的電子流與復合電子流的比例決定了三極管的放大能力 。 因此 ， 可以認為三極管發(fā)射結(jié)電流主要是電子流 。 BCII???? 1) 三極管電流之間為什么具有這樣的關(guān)系呢 ？ 這可以通過在三極管內(nèi)部載流子的運動規(guī)律來解釋 。 使用中要注意電源的極性 ， 確保發(fā)射結(jié)永遠加正向偏置電壓 ， 三極管才能正常工作 。 12 半導體三極管 三極管是由兩個 PN結(jié) 、 3個雜質(zhì)半導體區(qū)域組成的 ， 因雜質(zhì)半導體有 P、 N型兩種 ， 所以三極管的組成形式有 NPN型和 PNP型兩種 。 c. 動態(tài)電阻 rVDZ:穩(wěn)壓管端電壓的變化量 ΔUVDZ與對應電流變化量 ΔIVDZ之比 ， DZDZv IvUvrDZ ??? d. 穩(wěn)定電壓的溫度系數(shù) : 當溫度變化 1℃ 時穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 UVDZ的相對變化量 。 這種 “ 反向擊穿 ” 是可恢復的 ，只要外電路限流電阻保障電流在限定范圍內(nèi) ， 就不致引起熱擊穿而損壞穩(wěn)壓管 。 數(shù)碼管的驅(qū)動方式有直流驅(qū)動和脈沖驅(qū)動兩種 ， 應用中可任意選擇 。 數(shù)碼管是電子技術(shù)中應用的主要顯示器件 ， 是用發(fā)光二極管經(jīng)過一定的排列組成的 。發(fā)光二極管的驅(qū)動電壓低 、 工作電流小 ， 具有很強的抗振動和抗沖擊能力 。 發(fā)光二極管和普通二極管相似 ， 也由一個 PN結(jié)組成 。 在開關(guān) S接通時 ， 電源 E給線圈供電 ， L中有電流流過 ， 儲存了磁場能量 。當 uiUs1時， VD1處于正向偏置而導通，使輸出電壓保持在 Us1。 2． 利用二極管正向?qū)〞r壓降很小的特性， 可組成鉗位電路。 二極管是電子電路中最常用的半導體器件 。 3） 最大反向電流 IRM IRM是指二極管在常溫下承受最高反向工作電壓URM時的反向漏電流 ， 一般很小 ， 但其受溫度影響較大 。 工作時 ， 管子通過的電流不應超過這個數(shù)值 ， 否則將導致管子過熱而損壞 。 2． 二極管參數(shù)是反映二極管性能質(zhì)量的指標 。 這時二極管反向截止 。 當正向電壓超過死區(qū)電壓值時 ， 外電場抵消了內(nèi)電場 ， 正向電流隨外加電壓的增加而明顯增大 ， 二極管正向電阻變得很小 。 圖中 ， 實線對應硅材料二極管 ， 虛線對應鍺材料二極管 。 從工藝上分 ， 有點接觸型和面接觸型； 按用途分 ， 有整流管 、 檢波二極管 、 穩(wěn)壓二極管 、 光電二極管和開關(guān)二極管等 。這時外加電場與內(nèi)電場方向相同 ， 使內(nèi)電場的作用增強 , PN結(jié)變厚 ， 多數(shù)載流子運動難于進行 ， 有助于少數(shù)載流子運動 ， 形成電流 IR， 少數(shù)載流子很少 ， 所以電流很小 ， 接近于零 ， 即 PN結(jié)反向電阻很大 。 1） 給 PN結(jié)加正向電壓 ， 即 P區(qū)接正電源 ， N區(qū)接負電源 ， 此時稱 PN結(jié)為正向偏置 。 在ＰＮ結(jié)的Ｐ區(qū)一側(cè)帶負電 ， Ｎ區(qū)一側(cè)帶正電 。 這樣 ，P 區(qū)的空穴向 N區(qū)擴散 ， N區(qū)的電子向 P區(qū)擴散 , 如圖 (a)所示 。 11 半導體二極管 12 半導體三極管 11 半導體二極管 1． PN結(jié)的 形成 在半導體材料 (硅 、 鍺 )中摻入不同雜質(zhì)可以分別形成N型和 P型兩種半導體 。 擴散電容的示意圖如圖 。 圖 勢壘電容示意圖 擴散電容是由多子擴散后 ， 在 PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的 。 （ a. 電子電流 、 ） ba