【正文】 通氣吹掃再生 向再生設備中通入基本上無吸附性的吹掃氣，降低吸附質在氣相中的分壓，使其解吸出來 置換脫附再生 采用可吸附的吹掃氣，置換床層中已被吸附的物質，適用于對溫度敏感的物質 化學再生 向床層中通入某種物質使吸附質發(fā)生化學反應，生成不易被吸附物質而解吸下來 10. 6 吸附凈化法的應用 吸附法凈化 NOx 1. 一般活性碳法 吸收： NOx＋ C→N 2 ＋ CO2 再生： 堿液再生 COFZA法 吸附法凈化 CxHy 10. 6. 3 吸附法凈化 SO2 物理吸附 1. 吸附 化學吸附 2. 再生 SO2→SO2* O2 →O2* H2O →H2O* 2SO2*+ O2* →2SO3* 2SO3*+ 2H2O →2H2SO4* H2SO4*+n H2O →H2SO4 經驗計算法 在缺乏有關理論計算所需參數(shù)的情況下，可采用此法。在上述條件下進行動態(tài)吸附試驗，測定不同床層高度下的透過時間，得到下列數(shù)據(jù)： 床層高度 Z(m) 透過時間 τB(min) 109 231 310 462 550 650 試確定固定床吸附器的直徑、高度、吸附劑用量。傳質區(qū)高度為無窮?。ㄏ鄬τ谖酱矊痈叨龋? ②吸附劑床層達到透過點時全部處于飽和狀態(tài)，即飽和度為 1。 理想穿透曲線 （ 2）傳質區(qū)高度的確定 式中： Za—— 傳質區(qū)高度； Z—— 整個床層的高度； τa—— 當傳質區(qū)向下移動的距離剛好等于 Za時所需要的時間； τE—— 傳質區(qū)形成和移出床層所需的時間之和； f—— 指傳質區(qū)內仍具有吸附能力的面積的比例。 傳質區(qū)高度 一般把由 透過時間 τb 對應的溶質濃度 cB到 平衡時間 τe （排放標準） （ 傳質區(qū)形成和移出床層所需的時間之和 ） 對應的溶質濃度 ce這段區(qū)間內傳質前沿或透過曲線在 Z軸上所占據(jù)的長度稱為傳質區(qū)高度（非理論上的傳質區(qū)高度）。 （ 3）破點： 出現(xiàn)穿透現(xiàn)象后，吸附波稍微向前移動一點，在流出物的分析中就有吸附質漏出來，該點稱為破點。 為使操作連續(xù)進行，一般需要兩臺以上的吸附器交替進行吸附和再生。 )()( ** AApxAAPyA XXKYYKddq ???? ???上式中， pxpypy akmakaK??11pypxpx amkakaK111 ??若 kykx/m，則 Ky= kx/m，即外擴散的阻力可忽略不計，吸附的阻力以內擴散的阻力為主；反之，若 ky kx/m，則 Ky= ky，即內擴散的阻力可忽略不計，總擴散系數(shù) Ky等于外擴散吸附分系數(shù) ky。 由上式可以看出，多組分吸附時，存在吸附競爭。吸附等溫式有以下幾種：朗格繆爾（ Langmuir）式、弗倫得利希（ Frndlich）式、捷姆全 TemkuH）式、 BET方程等。） 15 25 18 48 22 4 5 13 再生溫度 （ K） 373 413 473 523 393 423 473 573 473 573 473 573 比表面積 （ ㎡ /g） 6001600 210360 600 —— —— —— 2吸附平衡與吸附速率 ? 吸附平衡 1. 兩個概念 （ 1）平衡吸附量 （靜態(tài)吸附量或靜活性） ：在一定的溫度下，與氣相中吸附質的初始濃度成平衡時的最大吸附量，一般用單位 質量吸附劑在吸附平衡時所能吸附的吸附質質量來表示，表示固體吸附劑對氣體吸附量的極限，以 am表示。硅為一種親水性的極性吸附劑，其分子式為 SiO2 nH2O，其孔徑在 2~20nm之間。 ? 活性氧化鋁是一種極性吸附劑，含氧化鋁大于 92%，有粒狀、片狀和粉狀。 ?吸附的特點 ： （ 1） 選擇性高、分離效果好；（ 2）凈化效率高；（ 3）設備簡單、操作方便；（ 4）能分離其它過程難以分離的混合物，可有效分離濃度很低的有害物質；（ 5）易實現(xiàn)自動控制。 a為單位填充層內填料的表面積 , m2/m3. 例題 4，見 P147,例 52 ?? ????2121BLBLAGAGccABLTsppAAGsaNdcbcGaNdppLH9. 3 吸收設備與設計 9. 3. 1吸收工藝裝置與吸收設備選擇設計 吸收的工藝 除塵 煙氣的冷卻 吸收（防止結垢與堵塞） 除霧 氣體再加熱 排放 吸收劑的選擇 （ 1）對污染物具有良好的選擇性和吸收能力； （ 2）在吸收污染物后形成的富液應成為副產品或無污染液體，或更易處理和再生利用的物質。 M= ∴ ρG=P 解：求液泛氣速及塔徑 ①求爐氣在 操作條件下 的密度 ∵ P=1atm=101325Pa。s g—— 重力加速度 , m/s2 泛點氣速的計算步驟如下： ①根據(jù)操作條件計算出 ②再由相應的泛點線查出對應的縱坐標值，即 ③再將已知的 φ、 ψ、 ρG、 ρL及 μL等值代入上式求出泛點速度υf 。實驗結果一般用 關聯(lián)圖 的形式把有關的因素關聯(lián)起來。當氣速達到 A點時，液體向下游動受逆向氣體的牽制開始明顯起來，表現(xiàn)在填料上的滯留液量劇增，氣體通過截面不斷減小，因此從 A 點以后， 壓強降隨空塔氣速有較大的增加 ，曲線斜率不斷加大， A 點稱為 “載點” 。 Y1,Y2分別為入口和出口混合氣體中吸收質與惰性氣體的摩爾比； X2為入口液相中吸收質與吸收劑的摩爾比； X1*為吸收液與進口Y1平衡的吸收質與吸收劑的摩爾比。 吸收塔的設計（以填料塔為例） （ 1）吸收劑用量 2*121m i nm i n)~(XXYYGLGLGLBsBsBs????????????????????式中： Ls: 單位時間通過塔任意截面單位面積吸收劑摩爾流率， kmol/(m2 對于該部分：可查閱： 《 化學反應工程 》 相關內容 （擴散控制和動力學控制） 吸收設備與設計 ? 吸收設備 1. 對吸收設備的要求 （ 1）氣液有效接觸面積大 （ 2）氣液湍動程度高 （ 3）設備的壓力降小 （ 4）結構簡單，易于操作和維修 （ 5）投資和操作費用低 吸收設備的分類 ?氣體以氣泡形態(tài)分散在液相中的 鼓泡反應器、攪拌鼓泡反應器和板式反應器 ； ?液體以液滴狀分散在氣相中的 噴霧、噴射和文氏反應器 ； ?液體以膜狀運動與氣相進行接觸的 填料反應器 和 降膜反應器 。 424423 )(2 SONHSOHNH ???ab131KP / BLAGALAGBLAL Cmk m olPkkDDab ＜??)Pa) CKP—— B的臨界濃度，即與相界面中 A組分剛好完全反應時所對應的 B組分濃度，按下式計算： AGALAGBLALAiPBLKPPkkDDabCC ?????? 0? 臨界濃度的計算公式： （ 2） CBL=CKP時，吸收速率 方程如下 NA=kAGPAG=akBLCBL/b （ 3） CBL＞ CKP時，吸收速率 方程如下 NA=kAGPAG 例題：見教材例題 51。 9. 2. 2 伴有化學反應的吸收速率 ? 化學吸收過程 （ 1）化學吸收過程： ①氣相反應物從氣相主體通過氣膜向氣液相界面?zhèn)鬟f； ②氣相反應物從氣液相界面向液相傳遞； ③反應組分在液膜或液相主體內與反應物相遇發(fā)生化學反應； ④反應生成的液相產物向液相主體擴散，留存于液相，若生成氣相產物則向相界面擴散； ⑤氣相產物自相界面向氣相主體擴散。kPa)。 9. 2 吸收速率 ? ? 1. 雙膜理論（由劉易斯和懷特曼提出） （ 1）組成：氣相主體 +氣膜 +相界面 +液膜 +液相主體 （ 2）氣體的吸收過程：被吸收組分 氣相主體