半導體二極管及其基本電路-wenkub.com
2024-10-16 12:48 本頁面
【正文】 電路中常用做指示或顯示及光信息傳送。用感光靈敏度來衡量。小于 6伏為負溫度系數(shù) （二）主要參數(shù) ? 半導體 PN結共價鍵中的電子在光子的轟擊下。不同的穩(wěn)壓管有不同的穩(wěn)定電壓。設二極管是理想的。該模型提供了合理的近似，因此應用也較廣 為了較真實地描述二極管 VI特性，在恒壓降模型的基礎上，作一定的修正，即認為二極管的管壓降不是恒定的，而是隨著通過二極管電流的增加而增加，所以在模型中用一個電池和一個電阻 rD來作進一步的近似。 （ 3）邏輯（二極管邏輯）。 相當于二塊平行板電容。一般幾納安到幾微安。不同的二極管有不同的反向擊穿電壓。 半導體二極管 結構類型和符號 伏安特性 主要參數(shù) 型號命名規(guī)則 結構類型和符號 二極管 = PN結 + 引線 + 管殼。 PN結的形成小結： 濃度差 ? 多子擴散 ?空間電荷區(qū) (雜質(zhì)離子 ) ? 內(nèi)電場 ? 促使少子漂移 ? 阻止多子擴散 當多子 擴散 和少子 漂移 達到 動態(tài)平衡 ，形成 PN結 實質(zhì) PN結 =空間電荷區(qū) =耗盡層 =內(nèi)電場 =電阻 單向導電性 單向導電性 ： PN結 正偏 時導通（大電流）， PN結 反偏 時截止（小電流）。 電流 I 。載流子數(shù)目劇增 T=300 K室溫下 ,本征硅的 電子和空穴濃度 : n = p = 1010/cm3 1 本征硅的原子濃度 : 1022/cm3 3 以上三個濃度基本上依次相差 106/cm3 。 半導體基礎知識 PN結 半導體二極管 二極管基本電路及其分析方法 特殊二極管 半導體基礎知識 一、半導體 定義 特點 :導電能力可控（受控于光、熱、雜質(zhì)等） 典型半導體材料 :硅 Si和 鍺 Ge以及 砷化鎵 GaAs等 本征半導體
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