【正文】 P2=0xf7。 case 2:P0=table[high/100]。break。break。 P2=0xfb。 case 1:P0=0xff。 } } if(flag==1) { if(t==4) t=0。 P2=0xf7。 case 2:P0=table1[get_temp()%100/10]。 if(flag==0) { if(t==4) t=0。 28 } void time1() interrupt 3 { TH1=(655364000)/256。 } } } void t0(void) interrupt 1 using 0 { time_count++。amp。 27 //temp=get_temp()/10。 if(high==0) high=300。 } } if(s3==0) { delay(5)。 if(s2==0) { delay(5)。 if(s3==0) { while(!s3)。 low+=10。 flag=0。 s1num++。 //乘以 10 表示小數(shù)點后面只取一位 return temp。 //讀低 8 位 b=tempread()。 delay(1)。 tempwritebyte(0xcc)。 i++。 } else //寫 0 { ds=0。i++。0x01。 bit testb。 dat=(j7)|(dat1)。 dat=0。 i=8。 ds=1。 } bit tempreadbit(void) //讀 1 位數(shù)據(jù)函數(shù) { uint i。 //延時最短 480us while(i0) i。 delay(50)。 led2=0。 beep=1。 high=300。 TH0=0x216。 20 TR0=1。 } void init() { EA=1。a0。 uchar code table[]= { 0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99, 0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90,0xc6 }。 sbit s2=P3^6。 //定義浮點型的溫度數(shù)據(jù) uint high,low,PWM_t,time_count。 sbit beep=P1^0。對其的使用方便，單片的控制和電路的改造使其在普通風(fēng)扇上大大增加優(yōu)勢，而且外形體積也沒有增大或改變。通過 DS18B20進行測溫，可由用戶設(shè)置高、低溫度值，測得溫度值在高低溫度之間時打開風(fēng)扇弱風(fēng)檔，當(dāng)溫度升高超過所設(shè)定的溫度時自動切換到大風(fēng)檔，當(dāng)溫度小于所設(shè)定的溫度時自動關(guān) 閉風(fēng)扇，控制狀態(tài)隨外界溫度而定。本次系統(tǒng)的時鐘電路設(shè)計如圖 所示。 AT89S52 內(nèi)部有一個用于構(gòu)成振蕩器的高增益反向放大器，該放大器的輸入輸出引腳為 XTAL1 和 XTAL2，它們跨接在晶體振蕩器和用于微調(diào)的電容，便構(gòu)成了一個自激勵振蕩器。我們選用 。 四、 溫度采集電路與單片機的連接 本設(shè)計中使用 DS18B20溫度傳感器進行環(huán)境溫度采集和轉(zhuǎn)化 ，其與單片機的連接圖 如圖 27所示 [4]。在寫時序中，主機將在拉低總線 15μs 內(nèi)釋放總線，并向 DS18B20寫 “1” 。如果在此命令后主機產(chǎn)生讀時隙，那么只要器件在進行溫度轉(zhuǎn)換就會輸出 0，轉(zhuǎn)換完成后在輸出 1。主機可以隨時發(fā)起復(fù)位脈沖以停止此操作。在讀時隙結(jié)束時 ， DQ引腳通過外部上拉電阻拉回高電平。 再來了解一下讀時隙。所有寫時隙必 須在 60μs 以上（即由高拉低后持續(xù) 60μs 以上），各個寫時隙之間必須保證最短 1us的恢復(fù)時間。其中，除了應(yīng)答脈沖之外，均由主機產(chǎn)生。 在成功執(zhí)行了 ROM操作命令之后，才可以使用內(nèi)存操作命令。 Skip rom（跳過 rom） CCH 此命令用于單掛接總線系統(tǒng)時，可以無需提供 64位 ROM序列號皆可運行內(nèi)存操作命令。詳細說明如下表 26。主機釋放總線時，會產(chǎn)生一個上升沿。因此，必須采用軟件的方法來模擬單線的協(xié)議時序。 每一個 DSl820 包括一個唯一的 64 位長的序號 該序號值存放在 DSl820 內(nèi)部的 ROM(只讀存貯器 )中 開始 8 位是產(chǎn)品類型編碼 (DSl820 編碼均為 10H) 接著的 48位是每個器件唯一的序號 最后 8 位是前面 56 位的 CRC(循環(huán)冗余校驗 )碼 DSl820 中還有用于貯存測得的溫度值的兩個 8 位存貯器 RAM 編號為 0 號和 1號 1 號存貯器存放溫度值的符號 如果溫度為負則 1 號存貯器 8 位全為 1 否則全為 0 。 XTAL1：振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端。欲使 CPU 僅訪問外部程序儲存器（地址為0000HFFFFH）， EA 端必須保持低電平（接地）。此外，該引腳會被微弱拉高，單片機執(zhí)行外部程序時，應(yīng)設(shè)置 ALE無效。要注意 的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個 ALE 脈沖。 RST:復(fù)位輸入。對端口寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時可作為輸入口。在訪問外部程序儲存器或 16 位 5 地址的外部數(shù)據(jù)儲存器（例如執(zhí)行 MOVXDPTR 指令）時， P2 口送出高 8 位地址數(shù)據(jù)。 FLASH 編程和程序校驗期間， P1接收低 8 位地址。 FLASH 編程時， P0 口接收指 令字節(jié)，而在程序校驗時，輸出指令字節(jié)，校驗時，要求外接上拉電阻。 GND：地。 例如 AT89S52 單片機是一款低功耗、低電壓、高性能 CMOS8 位單片機，片內(nèi)含 8KB（可經(jīng)受 1000 次擦寫周期）的 FLASH 可編程可反復(fù)擦寫的只讀程序存儲器（ EPROM），器件采用 CMOS 工藝和 ATMEL 公司的高密度，非易失性存儲器（ NURAM）技術(shù)制造，其輸出引腳和指令系統(tǒng)都與 MCS51 兼容，片內(nèi)的 FLASH 存儲器允許在系統(tǒng)內(nèi)可改編程序或用常規(guī)的非易失性存儲編程器來編程。從模擬信號轉(zhuǎn)向 PWM 可以極大地延長通 信距離。 對于方案二， PWM 的一個優(yōu)點是從處理器到被控系統(tǒng)信號都是數(shù)字形式的，無需進行數(shù)模轉(zhuǎn)換。 3 1． 3 調(diào)速方式 方案一：采用變壓器調(diào)節(jié)方式，運用電磁感應(yīng)原理將 220V 電壓通過線圈降壓到不同的電壓，控制風(fēng)扇電機接到不同電壓值的線圈上可控制電機的轉(zhuǎn)速，從而控制風(fēng)扇風(fēng)力大小。 對于方案一，采用電壓比較電路具有電路簡單、易于實現(xiàn)，以及無需編寫軟件程序的特點，但控制方式過于單一，不能自由設(shè)置上下限動作溫度 ，無法滿足不同用戶以及不同環(huán)境下的多種動作溫度要求，故不在本系統(tǒng)中采用。 1． 2 控制核心的選擇 方案一：采用電壓比較電路作為控制部件。但是依然存在電路復(fù)雜，對溫度敏感性達不到本系統(tǒng)要求的標(biāo)準(zhǔn)，故不采用該方案。 方案三：采用數(shù)字