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正文內(nèi)容

溫控自動風(fēng)扇系統(tǒng)設(shè)計-文庫吧

2025-05-15 05:51 本頁面


【正文】 為輸出口時,每位能吸收電流的方式驅(qū)動 8個 TTL 邏輯門電路,對端口寫“ 1”可作為高阻抗輸入端。 在訪問外部數(shù)據(jù)儲存器或程序儲存器時,這組口線分時轉(zhuǎn)換地址(低 8 位)和數(shù)據(jù)總線復(fù)用,在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。 FLASH 編程時, P0 口接收指 令字節(jié),而在程序校驗時,輸出指令字節(jié),校驗時,要求外接上拉電阻。 P1口: P1 是一個帶內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, P1 的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流) 4個 TTL 邏輯門電路。對端口寫“ 1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作為輸入口。作為輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流。 FLASH 編程和程序校驗期間, P1接收低 8 位地址。 P2口: P2 是一個帶內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口, P2 的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流) 4個 TTL 邏輯門電路。對端口寫“ 1”, 通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作為輸入口。作為輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流。在訪問外部程序儲存器或 16 位 5 地址的外部數(shù)據(jù)儲存器(例如執(zhí)行 MOVX@DPTR 指令)時, P2 口送出高 8 位地址數(shù)據(jù)。在訪問 8 位地址的外部數(shù)據(jù)儲存器(例如執(zhí)行 MOVX@RI 指令)時, P2 口線上的內(nèi)容(也即特殊功能寄存器( SFR)區(qū)中 R2寄存器的內(nèi)容),在整個訪問期間不改變。 FLASH 編程或校驗時, P2亦接收高位地址和其他控制信號。 P3口: P3 是一個帶內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口 , P3 的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流) 4個 TTL 邏輯門電路。對端口寫“ 1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作為輸入口。作為輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流。 P3 除了作為一般的 I/O 口線外,更重要的用途是它的第二功能,具體功能說明如表 21。 P3口還接收一些用于 FLASH 閃速存儲器編程和程序校的控制信號。 RST:復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時, RST 引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上高電平將使單片機復(fù)位。 ALE/PROG:當(dāng)訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時, ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低 8位字節(jié)。 表 21 P3 口的第二功能表 即使不訪問外部存儲器, ALE 仍以是時鐘振蕩頻率的 1/6 輸出固定的正脈沖信號,因此他可對外輸出時鐘或用于定時目的。要注意 的是:每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個 ALE 脈沖。對 FLASH 存儲器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈沖( PROG)。 端口引腳 第二功能 RXD(穿行輸出口 ) TXD(穿行輸入口 ) INT0(外部中斷 0) INT1(外部中斷 1) T0(定時 /計數(shù)器 0) T1(定時 /計數(shù)器 0) WR(外部數(shù)據(jù)寫選通 ) RD(外部數(shù)據(jù)讀選通 ) 6 如有必要,可通過對特殊功能寄存器( SFR)區(qū)中的 8EH 單元的 D0 位置位,可禁止 ALE 操作。該位置位后,只有一條 MOVX 和 MOVC 指令 ALE 才會被激活。此外,該引腳會被微弱拉高,單片機執(zhí)行外部程序時,應(yīng)設(shè)置 ALE無效。 PSEN:程序儲存允許( PSEN)輸出是外部程序存儲器的讀選通信號,當(dāng) AT80C51由外部程序存儲器取指令(或數(shù)據(jù))時,每個機器周期兩次 PSEN 有效,即輸出兩個脈沖。在此期間 ,當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器,這兩次有效的 PSEN 信號不出現(xiàn)。 EA/VPP:外部訪問允許。欲使 CPU 僅訪問外部程序儲存器(地址為0000HFFFFH), EA 端必須保持低電平(接地)。需要注意的是:如果加密位 LB1 被編程,復(fù)位時內(nèi)部會鎖存 EA 端狀態(tài)。如 EA 端為高電平( Vcc 端), CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序儲存器中的指令。 FLASH 儲存器編程時,該引腳加上 +12V 的編程允許電源 Vpp,當(dāng)然這必須是該器件是使用 12v 編程電壓。 XTAL1:振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時鐘發(fā)生器的輸入端。 XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出 端。 DS18B20 簡介 DS18B20是 DALLAS公司生產(chǎn)的 單 線式數(shù)字溫度傳感器,具有 3引腳 TO- 92小體積封裝形式;溫度測量范圍為- 55℃ ~+ 125℃, 可編程為 9位~ 12位 A/D轉(zhuǎn)換精度,測溫分辨率可達(dá) ℃ ,被測溫度用符號擴展的 16位數(shù)字量方式串行輸出;其工作電源既可在遠(yuǎn)端引入,也可采用寄生電源方式產(chǎn)生;多個 DS18B20可以并聯(lián)到3根或 2根線上, CPU只需一根端口線就能與諸多 DS18B20通信,占用微處理器的端口較少,可節(jié)省大量的引線和邏輯電路。以上特點使 DS18B20非常適用于遠(yuǎn) 距離多點溫度檢測系統(tǒng)。 每一個 DSl820 包括一個唯一的 64 位長的序號 該序號值存放在 DSl820 內(nèi)部的 ROM(只讀存貯器 )中 開始 8 位是產(chǎn)品類型編碼 (DSl820 編碼均為 10H) 接著的 48位是每個器件唯一的序號 最后 8 位是前面 56 位的 CRC(循環(huán)冗余校驗 )碼 DSl820 中還有用于貯存測得的溫度值的兩個 8 位存貯器 RAM 編號為 0 號和 1號 1 號存貯器存放溫度值的符號 如果溫度為負(fù)則 1 號存貯器 8 位全為 1 否則全為 0 。 0 號存貯器用于存放溫度值的 補碼 LSB(最低位 )的 1 表示 器中的二進制數(shù)求補再轉(zhuǎn)換成十進制數(shù)并除以 2 就得到被測溫度值 。具體引腳說 7 明如圖 26,功能如表 25。 圖 26 DS18B20 引腳與封裝 表 25 DS18B20 引腳說明 DS18B20控制字和讀寫時序說明 DS18B20是 1wire單線器件,它在一根數(shù)據(jù)線上實現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳輸,這就需要一定的協(xié)議來對讀寫數(shù)據(jù)提出嚴(yán)格的時序要求, AT89S52單片機并不支持單線傳輸。因此,必須采用軟件的方法來模擬單線的協(xié)議時序。主機操作單線器件DS18B20必須遵循下面的順序 [8]。 單線總線上的所有操作均從初始化開始,初始化過程如下。主機通過拉低單線 480us以上,產(chǎn)生復(fù)位脈沖,然后釋放該線,進入 RX接收模式。主機釋放總線時,會產(chǎn)生一個上升沿。單線器件 DS18B20檢測到該上升沿后,延時 1560us,通過拉低 總線 6024us來產(chǎn)生應(yīng)答 脈沖,主機接收到從機的應(yīng)答脈沖后,說明有單線器件在線。 序號 名稱 引腳功能 1 GND 接地 2 DQ 數(shù)據(jù)輸入 /輸出引腳:開漏單總線接口引腳;當(dāng)被用到寄生電源下,也可向器件提供電源 3 VDD 可選擇的 VDD 引腳,當(dāng)工作于寄生電源時,此引腳必須接地 8 一旦總線主機檢測對應(yīng)答脈沖,便可以 發(fā) 起 ROM操作命令。共有 5位 ROM操作命令。詳細(xì)說明如下表 26。 表 26 ROM操作命令與說明 命令類型 命令字節(jié) 功能說明 Read rom 33H 此命令讀取激光 ROM的 64位,只能用于總線上單個 DS18B20的情況下,多掛則會發(fā)生沖突 Match
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