【正文】 為輸出口時(shí)，每位能吸收電流的方式驅(qū)動 8個(gè) TTL 邏輯門電路，對端口寫“ 1”可作為高阻抗輸入端。 在訪問外部數(shù)據(jù)儲存器或程序儲存器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址（低 8 位）和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。 FLASH 編程時(shí)， P0 口接收指 令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。 P1口： P1 是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P1 的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4個(gè) TTL 邏輯門電路。對端口寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作為輸入口。作為輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一個(gè)電流。 FLASH 編程和程序校驗(yàn)期間， P1接收低 8 位地址。 P2口： P2 是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P2 的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4個(gè) TTL 邏輯門電路。對端口寫“ 1”， 通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作為輸入口。作為輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一個(gè)電流。在訪問外部程序儲存器或 16 位 5 地址的外部數(shù)據(jù)儲存器（例如執(zhí)行 MOVX@DPTR 指令）時(shí)， P2 口送出高 8 位地址數(shù)據(jù)。在訪問 8 位地址的外部數(shù)據(jù)儲存器（例如執(zhí)行 MOVX@RI 指令）時(shí)， P2 口線上的內(nèi)容（也即特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中 R2寄存器的內(nèi)容），在整個(gè)訪問期間不改變。 FLASH 編程或校驗(yàn)時(shí)， P2亦接收高位地址和其他控制信號。 P3口： P3 是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口 ， P3 的輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4個(gè) TTL 邏輯門電路。對端口寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作為輸入口。作為輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一個(gè)電流。 P3 除了作為一般的 I/O 口線外，更重要的用途是它的第二功能，具體功能說明如表 21。 P3口還接收一些用于 FLASH 閃速存儲器編程和程序校的控制信號。 RST:復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí)， RST 引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。 ALE/PROG：當(dāng)訪問外部程序存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時(shí)， ALE（地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低 8位字節(jié)。 表 21 P3 口的第二功能表 即使不訪問外部存儲器， ALE 仍以是時(shí)鐘振蕩頻率的 1/6 輸出固定的正脈沖信號，因此他可對外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意 的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時(shí)將跳過一個(gè) ALE 脈沖。對 FLASH 存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（ PROG）。 端口引腳 第二功能 RXD(穿行輸出口 ) TXD(穿行輸入口 ) INT0（外部中斷 0） INT1（外部中斷 1） T0(定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0) T1(定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0) WR(外部數(shù)據(jù)寫選通 ) RD(外部數(shù)據(jù)讀選通 ) 6 如有必要，可通過對特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中的 8EH 單元的 D0 位置位，可禁止 ALE 操作。該位置位后，只有一條 MOVX 和 MOVC 指令 ALE 才會被激活。此外，該引腳會被微弱拉高，單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置 ALE無效。 PSEN：程序儲存允許（ PSEN）輸出是外部程序存儲器的讀選通信號，當(dāng) AT80C51由外部程序存儲器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次 PSEN 有效，即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間 ，當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器，這兩次有效的 PSEN 信號不出現(xiàn)。 EA/VPP：外部訪問允許。欲使 CPU 僅訪問外部程序儲存器（地址為0000HFFFFH）， EA 端必須保持低電平（接地）。需要注意的是：如果加密位 LB1 被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會鎖存 EA 端狀態(tài)。如 EA 端為高電平（ Vcc 端）， CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序儲存器中的指令。 FLASH 儲存器編程時(shí)，該引腳加上 +12V 的編程允許電源 Vpp，當(dāng)然這必須是該器件是使用 12v 編程電壓。 XTAL1：振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。 XTAL2：振蕩器反相放大器的輸出 端。 DS18B20 簡介 DS18B20是 DALLAS公司生產(chǎn)的 單 線式數(shù)字溫度傳感器，具有 3引腳 TO－ 92小體積封裝形式；溫度測量范圍為－ 55℃ ～＋ 125℃, 可編程為 9位～ 12位 A/D轉(zhuǎn)換精度，測溫分辨率可達(dá) ℃ ，被測溫度用符號擴(kuò)展的 16位數(shù)字量方式串行輸出；其工作電源既可在遠(yuǎn)端引入，也可采用寄生電源方式產(chǎn)生；多個(gè) DS18B20可以并聯(lián)到3根或 2根線上， CPU只需一根端口線就能與諸多 DS18B20通信，占用微處理器的端口較少，可節(jié)省大量的引線和邏輯電路。以上特點(diǎn)使 DS18B20非常適用于遠(yuǎn) 距離多點(diǎn)溫度檢測系統(tǒng)。 每一個(gè) DSl820 包括一個(gè)唯一的 64 位長的序號 該序號值存放在 DSl820 內(nèi)部的 ROM(只讀存貯器 )中 開始 8 位是產(chǎn)品類型編碼 (DSl820 編碼均為 10H) 接著的 48位是每個(gè)器件唯一的序號 最后 8 位是前面 56 位的 CRC(循環(huán)冗余校驗(yàn) )碼 DSl820 中還有用于貯存測得的溫度值的兩個(gè) 8 位存貯器 RAM 編號為 0 號和 1號 1 號存貯器存放溫度值的符號 如果溫度為負(fù)則 1 號存貯器 8 位全為 1 否則全為 0 。 0 號存貯器用于存放溫度值的 補(bǔ)碼 LSB(最低位 )的 1 表示 器中的二進(jìn)制數(shù)求補(bǔ)再轉(zhuǎn)換成十進(jìn)制數(shù)并除以 2 就得到被測溫度值 。具體引腳說 7 明如圖 26，功能如表 25。 圖 26 DS18B20 引腳與封裝 表 25 DS18B20 引腳說明 DS18B20控制字和讀寫時(shí)序說明 DS18B20是 1wire單線器件，它在一根數(shù)據(jù)線上實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳輸，這就需要一定的協(xié)議來對讀寫數(shù)據(jù)提出嚴(yán)格的時(shí)序要求， AT89S52單片機(jī)并不支持單線傳輸。因此，必須采用軟件的方法來模擬單線的協(xié)議時(shí)序。主機(jī)操作單線器件DS18B20必須遵循下面的順序 [8]。 單線總線上的所有操作均從初始化開始，初始化過程如下。主機(jī)通過拉低單線 480us以上，產(chǎn)生復(fù)位脈沖，然后釋放該線，進(jìn)入 RX接收模式。主機(jī)釋放總線時(shí)，會產(chǎn)生一個(gè)上升沿。單線器件 DS18B20檢測到該上升沿后，延時(shí) 1560us，通過拉低 總線 6024us來產(chǎn)生應(yīng)答 脈沖，主機(jī)接收到從機(jī)的應(yīng)答脈沖后，說明有單線器件在線。 序號 名稱 引腳功能 1 GND 接地 2 DQ 數(shù)據(jù)輸入 /輸出引腳：開漏單總線接口引腳；當(dāng)被用到寄生電源下，也可向器件提供電源 3 VDD 可選擇的 VDD 引腳，當(dāng)工作于寄生電源時(shí)，此引腳必須接地 8 一旦總線主機(jī)檢測對應(yīng)答脈沖，便可以 發(fā) 起 ROM操作命令。共有 5位 ROM操作命令。詳細(xì)說明如下表 26。 表 26 ROM操作命令與說明 命令類型 命令字節(jié) 功能說明 Read rom 33H 此命令讀取激光 ROM的 64位，只能用于總線上單個(gè) DS18B20的情況下，多掛則會發(fā)生沖突 Match