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2025-05-11 12:33 本頁面
【正文】 混合集成電路工藝 混合集成電路工藝 ? 厚膜混合集成電路 ? 40年代中期出現(xiàn)； ? 膜厚一般在幾微米至幾十微米； ? 一般采用絲網(wǎng)印刷工藝，是一種非真空成膜技術(shù)； ? 特點是設(shè)計更為靈活、工藝簡便、成本低廉，特別適宜于多品種小批量生產(chǎn)； ? 常用在高壓、大電流、大功率耐高溫混合集成電路以及較低頻段的微波集成電路方面。 混合集成電路 PK印刷電路板 ? 混合集成電路可比等效的印刷電路板體積小 4~6 倍、重量輕 10倍，但成本較高。 芯片加工中的缺陷和成品率預(yù)測 ? 點缺陷 ? 來源 集成電路的結(jié)構(gòu)類型 按照集成電路的結(jié)構(gòu)形式可以將它分為半導(dǎo)體單片集成電路及混合集成電路 。 ? 光刻對準(zhǔn)誤差、工藝參數(shù)隨機起伏和線寬變化等 。 ? 雙極型集成電路元件間需要互連線； ? 通常為金屬鋁薄層互連線。除 PN結(jié)隔離以外，有時也采用介質(zhì)隔離或兩者混合隔離法。 集成電路的工藝類型 根據(jù)集成電路中有源器件的結(jié)構(gòu)類型和工藝技術(shù)可以將集成電路分為三類 。 圖形轉(zhuǎn)移 光刻 ?圖形轉(zhuǎn)移：將集成電路的單元構(gòu)件圖形轉(zhuǎn)移到圓片上的工藝； ?光刻 +刻蝕，統(tǒng)稱光刻； ?光刻膠： 光致抗蝕劑 ? 正膠 ? 負膠 圖形轉(zhuǎn)移 光刻 ?常規(guī)的光刻工藝過程： ? 涂膠 前烘 曝光 顯影 堅膜 腐蝕 (刻蝕 )去膠 圖形轉(zhuǎn)移 刻蝕 ?分為干法刻蝕和濕法刻蝕； ?濕法刻蝕 ? 一種化學(xué)刻蝕方法； ? 將材料放在腐蝕液內(nèi)； ? 5um以上，優(yōu)良的選擇性，刻蝕完當(dāng)前薄膜就停止；低成本、高效率； ? 5um以下，側(cè)向腐蝕嚴重，線條寬難以控制； ?干法腐蝕 ? 等離子體轟擊被刻蝕表面 摻雜 ?摻雜：在半導(dǎo)體加入少量特定雜質(zhì)，形成 N型與 P型的半導(dǎo)體區(qū)域； ? 摻雜銻、砷和磷可以形成 N型材料； ? 摻雜硼則可以形成 P型材料 ； ?主要技術(shù)手段 ? 高溫?zé)釘U散法： ? 利用雜質(zhì)在高溫 (約 800℃ 以上 )下由高濃度區(qū)往低濃度區(qū)的擴散； ? 早期使用； ? 集成度增加，無法精確地控制雜質(zhì)的分布形式和濃度； ? 離子注入：將雜質(zhì)轉(zhuǎn)換為高能離子的形式，直接注入硅的體內(nèi)。 ?層中雜質(zhì)濃度可以極為方便的通過控制反應(yīng)氣流中的雜質(zhì)含量加以調(diào)節(jié)，不受襯底中雜質(zhì)種類與摻雜水平的影響 。 硅片制備 切片 清洗 單晶生長 單晶切割分段 滾磨外圓 定位面研磨 磨片 清洗 拋光
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