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2025-05-11 11:13 本頁面
【正文】 主要優(yōu)點： 減少熱預算 硅中雜質(zhì)運動最小 減少沾污（冷壁加熱） 更清潔的氣氛（小的腔體） 更短的加工時間 第十章 氧化 — 快速熱處理 第十章 氧化 — 快速熱處理 第十章 氧化 — 快速熱處理 第十章 氧化 — 快速熱處理 RTP主要應用： 注入退火，以消除缺陷并激活和擴散雜質(zhì) 淀積膜的致密化 硼磷硅玻璃回流（ 為什么可以？ ） 阻擋層（如 TiN）退火 硅化物（如 TiSi2）形成 金屬接觸合金化 第十章 氧化 — 氧化工藝 目標： 無缺陷、厚度均勻的 SiO2薄膜。 第十章 氧化 — 熱氧化生長模式 線性階段 （ 15 nm，反應速率控制）： X=(B/A) t 拋物線階段 （ 15 nm，擴散控制）： X=(Bt)1/2 第十章 氧化 — 熱氧化生長模式 第十章 氧化 — 熱氧化生長模式 第十章 氧化 — 熱氧化生長模式 第十章 氧化 — 熱氧化生長模式 第十章 氧化 — 熱氧化生長模式 第十章 氧化 — 熱氧化生長模式 第十章 氧化 — 熱氧化生長模式 影響氧化物生長的因素 溫度、水汽 摻雜效應（重摻的快） （ 111） （ 110） （ 100），但前者界面電荷堆積多
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