【總結(jié)】上圖為IPG高功率光纖激光器輸出端,OBH。OBH的型號為國際標準型號,由于其本身具備一些電氣特性,并且輸出的激光為發(fā)散光,故需要與準直系統(tǒng)配套使用,把QBH插入準直系統(tǒng)即可,所有的準直系統(tǒng)制造商都有IPG的QBH的型號,結(jié)構(gòu),及電氣原理。國內(nèi)廠商還不具備制造與QBH連接的準直系統(tǒng)的能力。我們的客戶也不需要清楚QBH的核心構(gòu)造,只需知道QBH是比較方便插拔的一種光纖輸出端子就好。上圖
2025-06-23 05:27
【總結(jié)】上節(jié)課回顧:1、增益譜及閾值增益;2、半導體激光器中的波導結(jié)構(gòu)及光場限制機制;3、半導體激光器中的光場模式半導體激光器典型測試曲線01020304050607001020304050600.00.10.20.30.40.
2024-08-24 23:40
【總結(jié)】Littrow結(jié)構(gòu)光柵外腔半導體激光器—宋紅芳一、半導體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理二、激光二極管產(chǎn)生激光的特點三、外腔結(jié)構(gòu)四、機械設計五、電流控制—恒流源六、溫度控制一、半導體激光器的組成及其激光產(chǎn)生原理1、組成增益介質(zhì):半導體
2025-05-01 02:10
【總結(jié)】1引言GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,并與SiC、金剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅硬的高熔點材料,熔點約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的()。在大氣壓力下,GaN晶體
2024-08-13 05:50
【總結(jié)】半導體激光器輸出特性的影響因素半導體激光器是一類非常重要的激光器,在光通信、光存儲等很多領域都有廣泛的應用。下面我將探討半導體激光器的波長、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個方面的輸出特性,并分析影響這些輸出特性的主要因素。1.波長半導體激光器的發(fā)射波長是由導帶的電子躍遷到價帶時所釋放出的能量決定的,這個能量近似等于禁帶寬度Eg(eV)。hf=Egf(H
2025-06-16 14:33
【總結(jié)】 半導體激光器的驅(qū)動電源設計 目錄摘要 1Abstract 21前言 32系統(tǒng)方案論證與及技術(shù)路線 4 4 43模擬電路部分的系統(tǒng)方案設計 5 5 6 103.3短路保護電路 143.4延時軟啟動 14 15限流保護電路 164數(shù)字電路部分的系統(tǒng)方案設計 18 18 22 22 23A/D
2025-06-28 09:24
【總結(jié)】完美WORD格式資料大功率半導體激光器的壽命與可靠性研究組別:11組員:李碩11023112孟曉11023106
2025-06-24 21:48
【總結(jié)】半導體激光器溫度控制系統(tǒng)的設計摘要目前,半導體激光器(LD)廣泛應用于科研、國防、工業(yè)等領域中。但由于LD工作時溫度的自身溫度的升高使其波長展寬,嚴重影響了測量儀器的精度、通信質(zhì)量、更不能適應惡劣的工業(yè)環(huán)境。因此,需要對LD的溫度變化進行嚴格控制。本課題的被控對象是小型LD,利用鉑電阻為溫度傳感器,采用無污染、制冷效果顯著的制冷器件——半導體制冷硅(TEC)作為系統(tǒng)的執(zhí)行元件
2025-06-27 17:43
【總結(jié)】第4章半導體激光器:靜態(tài)特性1.引言;2.自収輻射與受激輻射;3.光學諧振腔;4.閾值特性;5.先進LD:電子特性的改進;6.先進LD:光學特性的改進。I.引言LED是在顯示、通信、照明等領域廣泛使用的光源,其優(yōu)點是結(jié)構(gòu)簡單、價格低廉、性能可靠。但LED作為通信用光源的話存在諸多缺陷:
2024-08-24 23:29
【總結(jié)】概述一、OTDM系統(tǒng)及其關鍵器件的發(fā)展自上世紀70年代以來,隨著現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展,光纖通信技術(shù)得到了迅猛的發(fā)展。理論上,光纖可以提供25000GHz的帶寬,如何利用這一巨大的帶寬資源,成了各國研究機構(gòu)的努力目標。人們相繼提出了光的波分復用(WDM)和光時分復用(OTDM)技術(shù)。這兩種技術(shù)是克服光電子器件的瓶頸、提高光通信容量的有效途徑。波分復用技術(shù)研究較早,構(gòu)成系
2025-06-24 00:00
【總結(jié)】山東省工程實驗室建設項目資金申請報告項目名稱:山東省大功率半導體激光器工程實驗室申報單位:山東華光光電子有限公司地址:濟南市高新區(qū)天辰大街1835號郵政編碼:250101聯(lián)系人:張成山電話:0531-88877515傳真:0531-88877
2024-09-03 05:08
【總結(jié)】......大功率半導體激光器的壽命與可靠性研究組別:11組員:李碩11023112孟曉11023106
2025-06-24 21:44
【總結(jié)】山東省大功率半導體激光器工程實驗室建設結(jié)構(gòu)設計第一章項目摘要項目名稱山東省大功率半導體激光器工程實驗室申報單位概況本項目由山東華光光電子有限公司(簡稱“山東華光”)申報建設。山東華光光電子有限公司是國內(nèi)最早利用MOCVD設備進行光電子產(chǎn)品研發(fā)的企業(yè)之一。公司注冊資本5000萬元,擁有員工300多人,是山東省首批認定的高新技術(shù)企業(yè)。公司現(xiàn)占地43畝,建筑面積5
2025-06-22 16:27
【總結(jié)】山東省工程實驗室建設項目資金申請報告項目名稱:山東省大功率半導體激光器工程實驗室申報單位:山東華光光電子有限公司地址:濟南市高新區(qū)天辰大街1835號郵政編碼:250101聯(lián)系人:張成山電話:0531-88877515傳真:0531-88877510主管部門:山東省發(fā)展和改革委員會申報日期:
2024-08-12 12:01
【總結(jié)】畢業(yè)設計/論文外文文獻翻譯院系信息科學與技術(shù)系專業(yè)班級光信息科學與技術(shù)0803班姓名黎君原文出處Integrato
2025-05-12 10:00