【正文】 （ 032H） =05H 聲明為 5V 編程電壓。用于聲明該器件的廠商、型號和編程電壓。加密位不可能直接變化。寫周 期完成后，有效的數(shù)據(jù)就會出現(xiàn)在所有輸出端上，此時(shí)，可進(jìn)入下一個(gè)字節(jié)的寫周期，寫周期開始后，可在任意時(shí)刻進(jìn)行數(shù)據(jù)查詢。 ，將 ^EA/VPP 端加上 +12V 編程電壓。 Vpp=12v Vpp=5v 芯片頂面標(biāo)識 at89s52 xxxx yyww at89s52 xxxx5 yyww 簽名字節(jié) (030H)=1EH (031H)=51H (032H)=FFH (030H)=1EH (031H)=51H (032H)=05H AT89S52 的程序存儲器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的，每次寫入一個(gè)字節(jié)，要對整個(gè)芯片內(nèi)的 PEROM 程序存儲器寫入一個(gè)非空字節(jié)，必須使用片擦除的方式將整個(gè)存儲器的內(nèi)容清除。此外，加密位只能通過整片擦除的方法清除。 空閑和掉電模式外部引腳狀態(tài) 模式 程序存儲器 ALE ^PSEN PORT0 PORT1 PORT2 PORT3 空閑模式 內(nèi)部 1 1 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 空閑模式 外部 1 1 浮空 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 掉電模式 內(nèi)部 0 0 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 掉電模式 外部 0 0 浮空 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 數(shù)據(jù) 掉電模式 :在掉電模式下，震蕩器停止工作，進(jìn)入 掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi) RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。 終止空閑工作模式的方法有兩種，其一是任何一條被允許中斷的事件被激活，即可終止空閑工作模式。這種情況下，外部時(shí)鐘脈沖接到 XTAL1 端，即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端， XTAL2 則懸空 由于外部時(shí)鐘信號是通過一個(gè) 2 分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號的，所以對外部時(shí)鐘信號的占空比沒有特殊要求，但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)要求。 外接石英晶體（或陶瓷諧振器）及電容 C C2 接在放大器的反饋回路中構(gòu)成并聯(lián)振蕩電路。 Flash 存儲器編程時(shí)，該引腳加上 +12V 的編程允許電源 VPP，當(dāng)然這必須是該器件是使用 12V 編程電壓 VPP. XTAL1: 振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸出端。欲使 CPU 僅訪問外部程序存儲器（地址為0000HFFFFH）， EA 端必須保持低電平（接地）。此外，該引腳會被微弱拉高，單片機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置 ALE 無效。要注意的是：每當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器 時(shí)將跳過一個(gè) ALE 脈沖。 RST：復(fù)位輸入。 P3 口輸出緩沖級可驅(qū)動（吸收或輸出電流） 4個(gè) TTL 邏輯門電路。 在訪問外部程序存儲器獲 16 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（例如執(zhí)行 MOVX DPTR 指令）時(shí)， P2 口送出高 8 位地址數(shù)據(jù)。對端口寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可做熟出口。 方框圖 引腳功能說明 Vcc：電源電壓 GND：地 P0 口： P0 口是一組 8位漏極開路型雙向 I/O 口，也即地址 /數(shù)據(jù)總線復(fù)位口。 主要性能參數(shù)： 與 MCS51 產(chǎn)品指令系統(tǒng) 完全兼容 4K 字節(jié)可重復(fù)寫 flash 閃速存儲器 1000 次擦寫周期 全靜態(tài)操作： 0HZ－ 24MHZ 三級加密程序存儲器 128*8 字節(jié)內(nèi)部 RAM 32 個(gè)可編程 I/O 口 2個(gè) 16位定時(shí)／計(jì)數(shù)器 6個(gè)中斷源 可編程串行 UART 通道 低功耗空閑和掉電模式 功能特性概述 AT89S52 提供以下標(biāo)準(zhǔn)功能： 4K 字節(jié) flish 閃速存儲器， 128 字節(jié)內(nèi)部 RAM，32個(gè) I/O 口線，兩個(gè) 16 位定時(shí)／計(jì)數(shù)器，一個(gè) 5向量兩級中斷結(jié)構(gòu)，一個(gè)全雙工串行通信口，片內(nèi)振蕩器及時(shí)鐘電路。同時(shí)， at89s52 可降至 0HZ的靜態(tài)邏輯操作，并支 持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式。作為輸出口用時(shí)，每位能吸收電流的方式驅(qū)動 8 個(gè)邏輯門電路，對端口寫“ 1”可 作為高阻抗輸入端用。做輸出口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會輸出一個(gè)電流（ Iil） . Flash 編程和程序校驗(yàn)期間， P1 接受低 8 位地址。在訪問 8位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器（如執(zhí)行 MOVX RI 指令）時(shí)， P2 口線上的內(nèi)容（也即特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中 R2 寄存器的內(nèi)容），在整個(gè)訪問期間不改變。對 P3 口寫入“ 1”時(shí)，他們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸出口。當(dāng)振蕩器工作時(shí)， RST引腳出現(xiàn)兩端口引腳 第二功能 rxd (串行輸入口 ) txd (串行輸出口 ) ^int0 (外中斷 0) ^int1 (外中斷 1) t0 (定時(shí) /計(jì)數(shù)器 0) t1 (定時(shí) /計(jì)數(shù)器 1) ^WR (外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通 ) ^RD (外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通 ) 個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。 對 flash 存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（ ^PROG）。 ^PSEN：程序存儲允許（ ^PSEN）輸出是外部程序存儲器的讀選通信號，當(dāng)at89s52 由外部程序存儲器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩個(gè) ^PSEN 有效，即輸出兩個(gè)脈沖。需注意的是 。 XTAL2: 振蕩器反相放大器的 輸出端。對外接電容 C C2 雖然沒有十分嚴(yán)格的要求，但電容容量的大小會輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器的穩(wěn)定性、起振的難易程度及溫度穩(wěn)定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用 30PF+10PF，而如使用陶瓷諧振 器建議選擇 40PF+10PF。 空閑模式 : 在空閑工作模式狀態(tài)， CPU 保持睡眠狀態(tài)而所有片內(nèi)的外設(shè)仍保持激活狀態(tài)，這種方式由軟件產(chǎn)生。程序會首先響應(yīng)中斷，進(jìn)入中斷服務(wù)程序，執(zhí)行完中斷服務(wù)程序并僅隨終端返回指令，下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機(jī)進(jìn)入空閑模式那條指令后面的一條指令。退出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變 RAM 中的內(nèi)容，在 VCC 恢復(fù)到正常工作電平前，復(fù)位應(yīng)無效，且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動并穩(wěn)定工作。 FLASH 閃速存儲器的編程 ： at89s52 單片機(jī)內(nèi)部有 4K 字節(jié)的 FLASH PEROM,這個(gè)FLASH 存儲陣列出廠時(shí)已處于擦除狀態(tài)（即所有存儲單元的內(nèi)容均為 FFH），用戶隨時(shí)可對其進(jìn)行編程。 編程方法： 編程前，需按表 圖 3 和圖 4 所示設(shè)置好地址，數(shù)據(jù)及控制信號， at89s52編程方法如下： 。 FLASH 存儲陣列寫入一個(gè)字節(jié)或每寫入一個(gè)程序加密位，加上一個(gè)ALE/^PROG 編程脈沖，改變編程單元的地址和寫入的數(shù)據(jù)，重復(fù) 1— 5 步驟，直到全部文件編程結(jié)束。 READY/^BUSY： 字節(jié)編程的進(jìn)度可通過“ RDY/^BSY”輸出信號監(jiān)測，編程期間，ALE 變?yōu)楦唠娖健?H”后 (RDY/^BSY)端電平被拉低，表示正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。證實(shí)加密位的完成通過觀察它們的特點(diǎn)和能力。讀簽名字節(jié)的過程和單元 030H、 031H和 032H 的正常校驗(yàn)相仿，只需將 和 保持低電平，返回值意義如下： （ 030H） =1EH 聲明產(chǎn)品由 ATMEL 公司制造。 編程接口： 采用控制信號的正確組合可對 FLASH 閃速存儲陣列中的每一代碼字節(jié)進(jìn)行寫入和存儲器的整片擦除，寫操作周期是自身定時(shí)的，初始化后它將自動定時(shí)到操作完成。 （ 032H） =FFH 聲明為 12V 編程電壓。 讀片內(nèi)簽名字節(jié)： at89s52 單片機(jī)內(nèi)有 3個(gè)簽名字節(jié)，地址為 030H、 031H 和 032H。 程序校驗(yàn) ：如果加密位 LB LB2 沒有進(jìn)行編程，則代碼數(shù)據(jù)可通過地址和數(shù)據(jù)線讀回原編寫的數(shù)據(jù)。 數(shù)據(jù)查詢 ： at89s52 單片機(jī)用數(shù)據(jù)查詢方式來檢測一個(gè)寫周期是否結(jié)束，在一個(gè)寫周期中，如需要讀取最后寫入的那個(gè)字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（ ）是原來寫入字節(jié)最高位的反碼。 。 AT89S52 單片機(jī)中，有些屬于低電壓編程方式，而有些則是高電平編程方式，用戶可從芯片上的型號和讀取芯片內(nèi)的簽名字節(jié)獲得該信息，見下表。為使單片機(jī)能正常工作，被鎖存的 EA 電平值必須與該引腳當(dāng)前的邏輯電平一致。為了避免可能對端口產(chǎn)生以外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)該是一條對端口或外部存儲器的寫入指令?？臻e模式可由任何允許 的中斷請求或硬件復(fù)位終