【導(dǎo)讀】經(jīng)管學(xué)院預(yù)留發(fā)展用房800m2。實(shí)驗(yàn)室、教學(xué)培訓(xùn)、科研、行政辦公室、圖書(shū)資料室及會(huì)議室等。經(jīng)濟(jì)管理學(xué)院位于新校區(qū)核心位置，水庫(kù)西側(cè)，近大壩，該地地形較復(fù)雜。2．滿(mǎn)足規(guī)劃的總層數(shù)及高度要求；3．滿(mǎn)足鎮(zhèn)江市對(duì)高校園區(qū)的控制性規(guī)劃要求；5．滿(mǎn)足現(xiàn)行的國(guó)家、地方有關(guān)建筑設(shè)計(jì)規(guī)范、規(guī)程和規(guī)定。6．實(shí)驗(yàn)區(qū)、教學(xué)培訓(xùn)區(qū)相近設(shè)計(jì)，有獨(dú)立出入口，出入口應(yīng)近于校區(qū)干道，本樓附近應(yīng)有足夠廣場(chǎng)，便于各種車(chē)輛停放。公區(qū)及圖書(shū)資料室的功能關(guān)系；2．工業(yè)工程、物流工程實(shí)驗(yàn)室有承重和凈空高要求，建議設(shè)在一層；4．圖書(shū)庫(kù)樓層載荷按照一般書(shū)庫(kù)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)；5．教師工作間、辦公區(qū)房間使用面積建議每跨30平方米；7．主要功能房間采光、通風(fēng)良好；8．功能區(qū)各房間注意隔音效果；10．大廳設(shè)計(jì)小型電子屏；議按照綠建3星或2星設(shè)計(jì)；12．應(yīng)符合現(xiàn)行國(guó)家有關(guān)規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)要求。設(shè)計(jì)時(shí)需注意利用設(shè)計(jì)手法合理消減因地形帶來(lái)的困難。

　　

【正文】 易氧化或潮解等活性試驗(yàn)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)及樣品的前級(jí)處理，如氫化物、活性電極催化劑的研究；上海升利 1100℃ 高壓氣氛爐一臺(tái)，上海三研 SYDC100H 恒溫型浸漬提拉鍍膜機(jī)一臺(tái)，SYSC100 型勻膠機(jī)一臺(tái)， FS600N超聲波納米分散儀一臺(tái)， JKMSHPro15B 磁力攪拌器 （加熱）一臺(tái)， SYF500 系列高溫水熱反應(yīng)釜一臺(tái)，化學(xué)玻璃器皿實(shí)驗(yàn)臺(tái)一個(gè)。 環(huán)境要求：上下水，兩相電加三相電，最大允許總電流不小于 100A，；廢水排放管道，化學(xué)品回收處理柜子，通風(fēng)裝置。 新能源材料制備2 室 1 樓 48 1 48 擬購(gòu) : 中北真空感應(yīng)電磁懸浮熔煉爐和單室真空感應(yīng)快淬爐各一臺(tái)，電磁懸浮熔煉爐可用于新型功能材料，能源材料的制備，以及鎳基、鐵基、高級(jí)精密合金、高純度金屬在高真空條件情況下的熔煉。快淬爐則可實(shí)現(xiàn)新型材料所需的微晶、非晶的制備，用于后期實(shí)驗(yàn)研究，兩種設(shè)備均為新能源材料、功能 材料制備所必需。 環(huán)境要求：循環(huán)水，兩相電加三相電，最大允許總電流不小于 200A。 功能材料測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 電性能測(cè)試室 2 或以上 24 1 24 擬購(gòu)：電滯回線(xiàn)測(cè)試儀一臺(tái)，管式爐 1 臺(tái)， Keithley數(shù)字多用表 2臺(tái)，四探針電阻率測(cè)量裝置一套，電腦一臺(tái)，氣體鋼瓶位置 2 個(gè)，工作臺(tái)一個(gè)。 環(huán)境要求：上下水，強(qiáng)弱電。 熱性能測(cè)試室 2 或以上 24 1 24 擬購(gòu)：管式爐 1 臺(tái)，探針臺(tái)一個(gè)，信號(hào)發(fā)生器一個(gè)， 3w 法測(cè)熱傳導(dǎo)裝置一套， Keithley數(shù)字多用表 2 臺(tái)，電腦一臺(tái)，工作臺(tái) 1 個(gè)，氣體鋼瓶位置 2 個(gè)。 環(huán)境要求：上下水，強(qiáng)弱電。 磁性能測(cè)試室 2 或以上 24 1 24 擬購(gòu)振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)（ VSM） 1 臺(tái)，磁滯回線(xiàn)測(cè)試儀一臺(tái)，工作臺(tái)一個(gè)。 環(huán)境要求：上下水，強(qiáng)弱電。 小計(jì) 18 1056 27 電子封裝實(shí)驗(yàn)室 電子封裝技術(shù)綜合實(shí)驗(yàn)室 電子封裝綜合室 2 或以上 48 1 48 已有設(shè)備： BGA 返修工作臺(tái)（ 1 臺(tái)）、天平 2臺(tái)。 擬增設(shè)備：恒溫防靜電焊臺(tái)（ 10 臺(tái)）、萬(wàn)用表（ 10 臺(tái)）、錫絲進(jìn)樣器（ 10 臺(tái)）、恒流源 10 臺(tái)、小錫爐 1 臺(tái)、加熱臺(tái) 1 臺(tái)、超聲波清洗機(jī) 1 臺(tái)、熱風(fēng)槍 4 臺(tái)、油 浴爐 1 臺(tái)、錫絲進(jìn)樣器 1 臺(tái)、磁力攪拌器 1 臺(tái)。 布局：和微樣品制備實(shí)驗(yàn)室相鄰；實(shí)驗(yàn)室要求隔離出電子封裝實(shí)驗(yàn)室所需的衣帽間和操作間，操作間沿墻壁固定實(shí)驗(yàn)臺(tái)、樣品架，中間放置寬大工作臺(tái)。 用途：電子封裝專(zhuān)業(yè)進(jìn)行 SMT 微連接、化學(xué)成膜等綜合實(shí)驗(yàn)，以及其他實(shí)驗(yàn)教學(xué)、工程實(shí)訓(xùn)等，按 1 班 40 人，試驗(yàn)每組學(xué)生 10人，分成 4組。 環(huán)境要求：強(qiáng)弱電、給排水、溫濕度、空調(diào)、通風(fēng)櫥、表面貼實(shí)心理化板的鋼木實(shí)驗(yàn)臺(tái)、樣品架。 封裝樣品制備室 2 或以上 24 1 24 現(xiàn)有設(shè)備：焊接熱臺(tái) 1 臺(tái)、超聲波清洗器 1 臺(tái)。 擬增設(shè)備： PCB 芯片精密切割機(jī)、帶材剪切工作臺(tái)、錫絲進(jìn)樣器、磁力攪拌器、高速磨拋機(jī)、臺(tái)鉗、顯微熱臺(tái)、乳化機(jī) 1 臺(tái)、高速分散機(jī) 1 臺(tái)。 布局：實(shí)驗(yàn)臺(tái)沿四周排列，中間安放工作臺(tái)、樣品架和排水槽。 用途：微米、納米連接樣品制備。 環(huán)境要求：強(qiáng)弱電、溫濕度、空調(diào)、通風(fēng)；不銹鋼工作臺(tái)放置磨、拋、切設(shè)備 ,其余為表面貼實(shí)心理化板的鋼木實(shí)驗(yàn)臺(tái)、樣品架。該室不能緊鄰居其他有防震要求的實(shí)驗(yàn)室。 封裝分析室 2 或以上 24 1 24 擬增設(shè)備：小型顯微鏡 5 臺(tái)、倒置金相顯微鏡 1 臺(tái)、體視顯微鏡 1臺(tái)； 用途：電 子封裝專(zhuān)業(yè)綜合試驗(yàn)，試驗(yàn)每組學(xué)生 5 人，分成 8 組。 環(huán)境要求：強(qiáng)弱電、給排水、空調(diào)，靠近封裝綜合試驗(yàn)室。 引線(xiàn)鍵合室 2 或以上 24 1 24 已有設(shè)備：金絲鍵合機(jī)。 擬增設(shè)備：鋁絲鍵合機(jī) 2 臺(tái)、銅絲鍵合機(jī) 2 臺(tái)。 環(huán)境要求：防噪、防震、強(qiáng)弱電、給排水、空調(diào)。 封裝物理室 2 或以上 24 1 24 已有設(shè)備：潤(rùn)濕天平、小錫爐。 擬增設(shè)備：顯微熱臺(tái)、點(diǎn)膠平臺(tái)、熱導(dǎo)率測(cè)試儀、電阻測(cè)試儀（開(kāi)爾文法）、純水機(jī)。 用途：封裝材料、焊點(diǎn)的相關(guān)物理性能測(cè)試 與監(jiān)控； 1）可通過(guò)熱導(dǎo)、電阻與遷移特實(shí)驗(yàn)的耦合，實(shí)現(xiàn)對(duì)焊點(diǎn)微觀(guān)性能變化觀(guān)測(cè)； 2）封裝材料潤(rùn)濕性測(cè)試。 環(huán)境要求：給排水、空調(diào)、溫濕度。 28 倒裝焊實(shí)驗(yàn)室 2 或以上 24 1 24 擬增設(shè)備：倒裝焊 1 臺(tái)。 用途：封裝倒裝焊用。 環(huán)境要求：給排水、空調(diào)、溫濕度。 激光釬焊實(shí)驗(yàn)室 2 或以上 24 1 24 擬增設(shè)備： 1 小功率激光器 1 臺(tái)。 用途：封裝釬焊用。 環(huán)境要求：給排水、空調(diào)、溫濕度。 電磁傳熱研究室 2 或以上 24 1 24 擬增設(shè)備： Moldflow仿真系統(tǒng)一套。 用途：封裝的電磁及傳熱設(shè)計(jì)。 環(huán)境要求：給排水、空調(diào)、溫濕度。 LED 封裝研究室 2 或以上 24 1 24 擬增設(shè)備：鋁線(xiàn)鍵合、塑封儀。 用途：新能源的研究、開(kāi)發(fā)與設(shè)計(jì)。 環(huán)境要求：給排水、空調(diào)、溫濕度。 封裝材料實(shí)驗(yàn)室 電子焊料研究室 2 或以上 48 1 48 現(xiàn)有設(shè)備：坩堝、恒溫試驗(yàn)箱（ 2 臺(tái)）。 擬增設(shè)備：錫膏攪拌器、粘度計(jì)、反應(yīng)釜各一臺(tái)； 用途：教學(xué)科研用電子材料的制備（包括焊錫材料、焊錫膏的研究與開(kāi)發(fā)）。 環(huán)境要求：強(qiáng)弱電、溫濕度、空調(diào)、通風(fēng)。 電子陶瓷研究室 2 或以上 24 1 24 現(xiàn)有設(shè)備：球磨機(jī)（ 1 臺(tái)）、高溫爐（ 2 臺(tái)）。 擬增設(shè)備：混料機(jī)、小型破碎機(jī)。 布局：實(shí)驗(yàn)臺(tái)沿四周排列，中間安放工作臺(tái)、樣品架和排水槽。 用途： 1）壓電陶瓷、介電陶瓷的制備； 2）球磨制備球形粉末界面結(jié)合力，熱力學(xué)分析陶瓷微觀(guān)結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系。 環(huán)境要求：強(qiáng)弱電、給排水、三廢、排風(fēng)。 電子薄膜材料研 究室 2 或以上 24 1 24 擬增設(shè)備：電鍍新型 UBM 膜層設(shè)備兩套（電流范圍 0~1A， 0~10A）、化學(xué)鍍工作站兩套、薄膜測(cè)厚儀、薄膜應(yīng)力測(cè)試儀。 布局：實(shí)驗(yàn)臺(tái)沿四周排列，中間安放工作臺(tái)、樣品架和排水槽。 用途： 1）研究薄膜力學(xué)行為的尺度效應(yīng)； 2）制備基板上的凸點(diǎn)下金屬薄膜（ FeNi、 FeCoNi等），并結(jié)合界面分析，電、熱、力場(chǎng)耦合分析來(lái)研究單焊點(diǎn)或封裝結(jié)構(gòu)的可靠性。 環(huán)境要求：強(qiáng)弱電、給排水、三廢、排風(fēng)。 電子厚膜材料研 究室 2 或以上 24 1 24 擬增設(shè)備：流延機(jī)（ 1 臺(tái)）、真空系統(tǒng)（ 1 套）、單軸壓力機(jī)（ 1 套）、絲網(wǎng)印刷機(jī)（ 1 套）、流變儀（ 1 臺(tái)）。 布局：實(shí)驗(yàn)臺(tái)沿四周排列，中間安放工作臺(tái)、樣品架和排水槽。 用途： 1）研究電子漿料厚膜界面擴(kuò)散行為效應(yīng)； 2） LTCC/LTCF 的信號(hào)線(xiàn)、電極印制等。 環(huán)境要求：強(qiáng)弱電、給排水、三廢、排風(fēng)。 29 電子化學(xué)材料研 究室 1 24 1 24 擬增設(shè)備：通風(fēng)櫥、藥品架、腐蝕性藥品通風(fēng)柜、天平 2 臺(tái)、顯微熱臺(tái)（ 25~400℃ ）、加熱套、酸價(jià)滴定儀、鹵素測(cè)試儀、提純裝置。 布局：實(shí)驗(yàn)臺(tái)沿墻壁固定，并沿墻壁 放置 2 臺(tái)樣品柜，中間安放工作臺(tái)、樣品架和排水槽。 用途：封裝過(guò)程中與化學(xué)相關(guān)的制備過(guò)程；包括塑封材料、助焊材料、電鍍化學(xué)鍍材料、封裝填充材料、封裝過(guò)程用膠類(lèi)材料等。 要求：通風(fēng)、給排水、易燃、易爆、環(huán)保、地板為塑膠地板、操作臺(tái)表面貼理化板、廢液處理臺(tái)、溫濕度、空調(diào)。 SMT 組裝實(shí)驗(yàn)室 回流焊室 1 24 1 24 擬增設(shè)備： SMT 八溫區(qū)回流焊 1 臺(tái)，半自動(dòng)印刷機(jī) 1 臺(tái)、半自動(dòng)貼片機(jī) 1 臺(tái)、冷柜 1臺(tái)。 布局：印刷、貼片與回流焊連接放置。 用途：電 子組裝的 2 級(jí)封裝相關(guān)的釬焊技術(shù)、引線(xiàn)鍵合技術(shù)教學(xué)與科研。 要求：給排水、通風(fēng)排氣、溫濕度、空調(diào)。 波峰焊室 1 24 1 24 擬增設(shè)備：波峰焊，占地 20 平方；控制柜，占地 10 平方。 布局：和回流焊放在一個(gè)大的空間內(nèi)，或者放在隔壁。 環(huán)境要求：強(qiáng)弱電、給排水、通風(fēng)、操作臺(tái)表面貼理化板。 封裝可靠性實(shí)驗(yàn)室 振動(dòng)可靠性研究 室 1 24 1 24 現(xiàn)有設(shè)備：振動(dòng)測(cè)試儀。 布局：與墻壁有距離放置。 環(huán)境要求：強(qiáng)弱電、給排水、防震、防噪、空調(diào)。 熱循環(huán)可靠性研 究室 1 24 1 24 現(xiàn)有設(shè)備： ESPEC 高低溫循環(huán)疲勞箱 1 臺(tái)。 環(huán)境要求：防震、防噪、液壓、強(qiáng)弱電、給排水、空調(diào)。 特殊要求：外圍冷卻水塔。 跌落可靠性研究 室 1 24 1 24 擬增設(shè)備： PCB 跌落實(shí)驗(yàn)儀 1 臺(tái)。 環(huán)境要求：防震、防噪、液壓、強(qiáng)弱電、給排水、空調(diào)。 電、熱遷移可靠 性研究室 2 或以上 24 1 24 擬增設(shè)備：電遷移實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（ 2）、熱遷移實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（ 1）、電阻檢測(cè)系統(tǒng)（ 1）。 布局：沿墻壁放置、電熱遷移裝置周?chē)A(yù)留空間和其它設(shè)備進(jìn)行耦合場(chǎng) 測(cè)試與檢測(cè)系統(tǒng)安置。 環(huán)境要求：防震、防噪、溫濕度、強(qiáng)弱電、通風(fēng)、給排水；操作臺(tái)為表面貼理化板的鋼木結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)臺(tái)。 封裝強(qiáng)度研究室 2 或以上 24 1 24 已有設(shè)備：推拉力測(cè)試儀（ 1）、微小載荷拉伸試驗(yàn)機(jī)（ 1）。 擬增設(shè)備：高溫蠕變儀（ 1）。 環(huán)境要求：防噪、防振、給排水、空調(diào)、強(qiáng)弱電。 微納加工實(shí)驗(yàn)室 微納加工實(shí)驗(yàn)室 2 或以上 48 1 48 擬增設(shè)備：光刻機(jī)系統(tǒng)、蝕刻機(jī)等設(shè)備 5 臺(tái)。 環(huán)境要求：強(qiáng)弱電、給排水。 潔 凈實(shí)驗(yàn)室 2 或以上 48 1 48 擬增設(shè)備：光刻機(jī)系統(tǒng)一套、飛秒激光器 1 臺(tái)、納秒激光器 1 臺(tái)。 布局：隔離出三個(gè)空間 ,分別為更衣間、樣品準(zhǔn)備室、操作室；入口安置風(fēng)淋室；安裝空氣隔斷裝置、潔污分流。 環(huán)境要求：溫濕度、防噪、放震、空調(diào)、強(qiáng)弱電、給排水、通風(fēng)、除塵。 小計(jì) 648 23 648 30 腐蝕實(shí)驗(yàn)室 制備室 試樣制備室 頂層 48 1 48 現(xiàn)有離心機(jī)，超聲機(jī)，拋光機(jī)，鉆孔機(jī)，切割機(jī)各一臺(tái)及相應(yīng)的藥品試劑柜。 擬購(gòu)甩膠機(jī)， pH 計(jì)，恒溫水浴磁力攪拌器，氣氛爐，氣氛瓶，馬弗爐，干 燥箱（真空及非真空）， pH 計(jì)等各一臺(tái)。 環(huán)境要求：水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)，通風(fēng)櫥 , 三廢排放。 涂料制備室 頂層 48 1 48 現(xiàn)有反應(yīng)釜、烘箱、各一臺(tái)及相應(yīng)的藥品試劑柜。 擬購(gòu)置并搭建真空系統(tǒng)、氮?dú)庀到y(tǒng)。 環(huán)境要求：水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)，通風(fēng)櫥 , 三廢排放。 涂料本科教學(xué)實(shí) 驗(yàn)室 頂層 72 1 72 現(xiàn)有反應(yīng)釜、烘箱、各一臺(tái)及相應(yīng)的藥品試劑柜。 擬購(gòu)置并搭建真空系統(tǒng)、氮?dú)庀到y(tǒng)。 環(huán)境要求：水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)，通 風(fēng)櫥 , 三廢排放。 超純水制備室 頂層 24 1 24 ，二次蒸餾水制備，去離子水制備等占地約 30 平 ：水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)，通風(fēng)櫥。 表面工程實(shí)驗(yàn)室 涂裝實(shí)驗(yàn)室 頂層 48 1 48 現(xiàn)有粉末靜電噴槍?zhuān)p螺桿擠出機(jī)，粉碎機(jī)，旋振篩試劑。 環(huán)境要求：有粉塵及試劑污染，水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)，通風(fēng)櫥 , 三廢排放。 表面處理及應(yīng)用 技術(shù)實(shí)驗(yàn)室 頂層 48 1 48 現(xiàn)有電化學(xué)工作站，恒電位儀，電鍍槽，超聲機(jī)等，預(yù)購(gòu)置 pH 計(jì)，超濾機(jī)、透 明漆濃度計(jì)、電泳輔助設(shè)備。 環(huán)境要求：有粉塵及試劑污染，水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)，通風(fēng)櫥 , 三廢排放。 涂料合成工藝設(shè) 計(jì)實(shí)驗(yàn)室 頂層 72 1 72 ，涂料噴涂裝置需占地 40 平米，預(yù)購(gòu)置研磨機(jī)，行星攪拌儀，紫外光固化儀占地約 50 平 ：有粉塵及試劑污染，需單獨(dú)的一間實(shí)驗(yàn)室，水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)，通風(fēng)櫥。 腐蝕測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 電化學(xué)實(shí)驗(yàn)室 頂層 24 1 24 現(xiàn)有電化學(xué)工作站，恒電位儀，掃描電化學(xué)顯微鏡，氣瓶?jī)?chǔ)存區(qū)，供氣系統(tǒng)，恒溫恒濕箱，腐蝕環(huán)境模擬裝置 。 環(huán)境要求：有污染，水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)，通風(fēng)櫥。水、電、機(jī)械通風(fēng) , 三廢排放。 涂料檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室 頂層 24 1 24 現(xiàn)有涂層耐洗刷儀，涂層磨耗儀，硬度 /柔韌性 /附著力測(cè)試儀，抗沖擊試驗(yàn)儀，靜態(tài)接觸角測(cè)試儀，電化學(xué)工作站。 環(huán)境要求：有污染，水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)，通風(fēng)櫥。水、電、機(jī)械通風(fēng)。 涂層失效測(cè)試實(shí) 驗(yàn)室 頂層 48 1 48 現(xiàn)有鹽霧箱、耐候老化箱、空壓機(jī)。 環(huán)境要求：有污染，水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)，通風(fēng)櫥。鹽霧與老化分開(kāi)放置。 電化學(xué)本科教學(xué) 實(shí)驗(yàn)室 頂層 24 1 24 現(xiàn)有電化學(xué)工作站，恒電位儀，掃描電化學(xué)顯微鏡，氣瓶?jī)?chǔ)存區(qū)，供氣系統(tǒng)，恒溫恒濕箱，腐蝕環(huán)境模擬裝置。 環(huán)境要求：有污染，水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)，通風(fēng)櫥。水、電、機(jī)械通風(fēng) , 三廢排放。 31 特種腐蝕實(shí)驗(yàn)室 環(huán)境敏感斷裂實(shí) 驗(yàn)室 1 48 1 48 現(xiàn)有電化學(xué)工作站，恒電位儀 ,應(yīng)力腐蝕試驗(yàn)機(jī)。 擬購(gòu)置帶拉伸臺(tái)的原子力顯微鏡，恒載荷拉壓試驗(yàn)機(jī)，納米力學(xué)探針等。 環(huán)境要求：水、電、空調(diào)、機(jī)械排風(fēng)、補(bǔ)風(fēng)