【導(dǎo)讀】納米材料技術(shù)的開(kāi)發(fā)過(guò)程。存儲(chǔ)、顯示或控制所需材料。以硅為基礎(chǔ)的微電子技術(shù)仍將占十分重要位置。能低、低漏電、集成度高、高速度、工藝簡(jiǎn)單等。片上完成整系統(tǒng)的功能,集處理器、存儲(chǔ)器直到器件設(shè)計(jì)于一個(gè)芯片。長(zhǎng)壽命、多功能。為了達(dá)到上述目標(biāo),有賴于外延技術(shù)的發(fā)。展,同時(shí)對(duì)硅單晶的要求也愈來(lái)愈高。電路的發(fā)展對(duì)材料質(zhì)量的要求。GaAs電子遷移率是Si的6倍(高速),功率、低噪音、耐高溫、抗輻射器件。GaAs用于集成電路其處理容量大100倍,帶電話的主要材料。石英玻璃:SiO2、SiO2-GeO2、SiO2-B2O3-F. 摻稀土元素玻璃:Er、Nd、…單??蓚鬏斦{(diào)制后的信號(hào)≥40Gbps到200Km,息是制勝的關(guān)鍵。γ-Fe2O3、CrO2),金屬磁粉或鋇鐵氧體粉。光頭而不是磁頭。磁光盤(pán)的介質(zhì)主要是稀土-過(guò)渡族金屬,或Bi石榴石薄膜。材料的靈敏度與穩(wěn)定性。限于篇幅不一一列舉。量更大的是軟磁鐵氧體,雖然已很成熟但向高磁感強(qiáng),)低損耗方向發(fā)展,仍有廣闊發(fā)展前景。