北京石油化工學(xué)院本科畢業(yè)設(shè)計(jì)論文開(kāi)題報(bào)告大全-資料下載頁(yè)
2024-10-24 21:13本頁(yè)面
【正文】 管和電容并聯(lián)。本項(xiàng)目采用EDA仿真軟件Hspice，對(duì)設(shè)計(jì)的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行模擬仿真，并提取出合理的參數(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)驅(qū)動(dòng)管TFT閾值漂移的補(bǔ)償。③國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，像素開(kāi)口率高，適合大批量生產(chǎn)，因此2T1C電路的研究吸引了不少研究單位。吉林大學(xué)司玉娟等曾經(jīng)做過(guò)傳統(tǒng)AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的仿真研究，在合理選擇PolySiTFT模型參數(shù)的基礎(chǔ)上,對(duì)2T1C像素驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行詳細(xì)分析,總結(jié)出驅(qū)動(dòng)電路的合理工作參量,并詳細(xì)分析它們的變化對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的影響,為像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析提供依據(jù)。Sanford等把OLED器件不僅作為發(fā)光器件，而且把它作為一個(gè)電容使用，提出了一種可以補(bǔ)償閾值漂移的2T1C電路，但是它并不能完全消除閾值漂移的影響。此外多個(gè)研究單位提出了多于2個(gè)TFT的TFT補(bǔ)償電路。，它不但可以補(bǔ)償值電壓的改變，還可以減少電源線(xiàn)寄生電阻導(dǎo)致的電壓降，與傳統(tǒng)2T1C驅(qū)動(dòng)電路相比，可以使得面板的亮度更加均勻。（aSi:HTFT）可補(bǔ)償閾值漂移的6T1C像素驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)驗(yàn)表明文獻(xiàn)[12]中所設(shè)計(jì)的像素驅(qū)動(dòng)電路隨著工作時(shí)間的變化，流過(guò)OLED的電流只有7%的衰減，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)2T1C電路的28%，仿真和實(shí)驗(yàn)都表明這種6T1C電路能夠維持相當(dāng)?shù)碾娏鞣€(wěn)定性，從而保持面板發(fā)光亮度的基本不變。，這款基于PolySiTFT的5T1C像素電路采用光學(xué)反饋的方式，不僅消除了PolySiTFT的驅(qū)動(dòng)管閾值電壓不均造成的像素點(diǎn)發(fā)光亮度不均，而且彌補(bǔ)了由于OLED本身的退化導(dǎo)致的發(fā)光亮度下降。同時(shí)，相比于文獻(xiàn)[12],文獻(xiàn)[13]少了一個(gè)晶體管從而提高了像素的開(kāi)口率。文獻(xiàn)[14][15]均是五個(gè)TFT和一個(gè)電容的像素驅(qū)動(dòng)電路，對(duì)LTPSTFT的驅(qū)動(dòng)管由于制程工藝造成閾值電壓不均提出了補(bǔ)償，提高了像素點(diǎn)的發(fā)光均勻程度。文獻(xiàn)[11][15]的像素電路使用了多個(gè)TFT，導(dǎo)致控制線(xiàn)路復(fù)雜，降低了像素點(diǎn)的開(kāi)口率，基于此文獻(xiàn)[16]提出了三個(gè)TFT和一個(gè)電容的補(bǔ)償電路，這個(gè)電路不需要驅(qū)動(dòng)管TFT的閾值產(chǎn)生階段，從而控制信號(hào)波形與傳統(tǒng)2T1C電路一樣簡(jiǎn)單。以上像素補(bǔ)償電路[11][16]皆是基于電壓編程模式。文獻(xiàn)[9]提出了一種基于電流編程的4T1C電路，仿真和實(shí)驗(yàn)同時(shí)證明該電路能夠補(bǔ)償?shù)蜏囟嗑Ч璞∧ぞw管（LTPSTFT）的閾值電壓和遷移率的不均。當(dāng)像素點(diǎn)溫度從27升至60時(shí)，%，而傳統(tǒng)2T1C電路流過(guò)OLED的電流將增加37%。④畢業(yè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目實(shí)施計(jì)劃及進(jìn)度第12周：閱讀相關(guān)文獻(xiàn)資料及撰寫(xiě)畢業(yè)設(shè)計(jì)開(kāi)題報(bào)告。第34周：優(yōu)化傳統(tǒng)2T1C像素電路設(shè)計(jì)參數(shù)，2T1C電路動(dòng)態(tài)分析和仿真，進(jìn)一步熟悉Hspice和AIMspice仿真軟件的使用。第56周：研究文獻(xiàn)[13]中的像素電路，提取OLED器件、存儲(chǔ)電容和TFT器件的模型參數(shù)。第78周：進(jìn)一步閱讀文獻(xiàn)，找像素電路設(shè)計(jì)的靈感，并構(gòu)思新的閾值補(bǔ)償電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。第912周：仿真分析新的電路拓?fù)?，并提取出合理的模型和工藝參?shù)。第1314周：撰寫(xiě)畢業(yè)設(shè)計(jì)報(bào)告，準(zhǔn)備畢業(yè)答辯。第15周：畢業(yè)答辯。⑤參考文獻(xiàn)略指導(dǎo)教師意見(jiàn)：簽名：****年**月**日備注：要有10篇以上相關(guān)文章的閱讀量。理、工科開(kāi)題報(bào)告撰寫(xiě)不少于2500字，人文社科開(kāi)題報(bào)告不少于3500字，包括論文選題的背景和意義、工作任務(wù)分析、調(diào)研報(bào)告、方案擬定與分析、畢業(yè)論文撰寫(xiě)提綱及實(shí)施計(jì)劃、文獻(xiàn)綜述（理、工科可不提交文獻(xiàn)綜述）等。電腦打印，用A4紙，,，在左邊裝訂；內(nèi)容為小四號(hào)宋體，行距為固定值20磅。文獻(xiàn)綜述（按文獻(xiàn)綜述格式打印）附在開(kāi)題報(bào)告后面一起裝訂。第五篇：本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)開(kāi)題報(bào)告華 北 科 技 學(xué) 院 屆本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）開(kāi)題報(bào)告論文題目：學(xué)生姓名：王 磊學(xué) 號(hào)：系(部、院)：計(jì) 算 機(jī) 系專(zhuān)業(yè)：信息管理與信息系統(tǒng)班 級(jí)： 指導(dǎo)教師：梁生科徐花芬2011年 3月 18日屆本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）開(kāi)題報(bào)告
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