【導(dǎo)讀】上對(duì)NaI探測(cè)器進(jìn)行合理建模。用光子和電子藕合輸運(yùn)MC程序的電子脈沖計(jì)數(shù)類(lèi)。符合較好，顯示了通過(guò)能峰展寬的電子脈沖計(jì)數(shù)在能譜模擬方面有很大的優(yōu)越性。MCNP程序提供能峰高斯展寬的模擬方法也可以用于計(jì)算NaI晶。體對(duì)γ射線(xiàn)的探測(cè)效率等方面研究，對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可靠性和準(zhǔn)確性提供依據(jù)。

　　

【正文】 a= 0 和 c=0 情況下， b=0. 0452 時(shí) 0. 662MeV 峰的分辨率為 5. 3%， b=0. 0528 時(shí) 0. 662MeV 峰的分辨率為 %，而 b=0. 0678 時(shí)的分辨率為 8. 3%，實(shí)驗(yàn)測(cè)得能譜 峰的分辨率為 %. 0 .0 0 .1 0 .2 0 .3 0 .4 0 .5 0 .6 0 .7 0 .80123Relactive countEne rg y / M e v 0 . 0 5 2 8 0 . 0 4 5 2 0 . 0 6 7 8 a 入射能量為 東華理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） NaI(Tl)探測(cè)器模擬計(jì)算結(jié)果與分析 15 0 .0 0 .2 0 .4 0 .6 0 .8 1 .0 1 .2 1 .401Relactive countEne rg y / M e v0 . 0 5 2 80 . 0 4 5 20 . 0 6 7 8 b 入射能量為 ， γ射線(xiàn)的模擬譜 圖 4 入射能量為 , 模擬譜 0 .0 0 .5 1 .0 1 .5 2 .0 2 .5 3 .0 3 .50 .10 .20 .30 .40 .50 .60 .70 .80 .91 .0R(E)Ene rg y / M e v ca l cu l a t i o n Ex p e ri m e n t圖 5 實(shí)驗(yàn)和模擬的峰總比 R（ E）比較東華理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） NaI(Tl)探測(cè)器模擬計(jì)算結(jié)果與分析 16 MCNP 模擬計(jì)算了源距 3cm 時(shí)， 3inchX3inch NaI(Tl)晶體探測(cè)不同能量 γ 射線(xiàn)的峰總比 R(E)計(jì)算值和實(shí)驗(yàn)測(cè)峰總比值 [1]如圖 5，為峰總比 R(E)與不同入射 γ 射線(xiàn)能量的關(guān)系圖?？梢钥闯?， NaI ( Tl)晶體的峰總比 R(E)的計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)值符合較好，由此驗(yàn)證了的電子脈沖計(jì)數(shù)類(lèi)型的能峰展寬模擬用于模擬 NaI(T1)探測(cè) γ 射線(xiàn)的可靠性 。從圖中也可以看出 NaI(Tl)晶體的峰總比 R(E)值隨著入射 γ 射線(xiàn)能量的增加而減小，這主要是由于入射 γ 射線(xiàn)能量的越大，光電效應(yīng)截面減小，電子對(duì)效應(yīng)的截面增大，導(dǎo)致光電峰面積的減小，逃逸峰面積增加，而引起峰總比 R(E)值的減小。 東華理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 結(jié)論 17 5 結(jié)論 本文通過(guò)采用光子和電子藕合輸運(yùn) MCNP 程序模擬了 NaI(Tl)晶體測(cè)點(diǎn)源 γ 射線(xiàn)的電子脈沖譜與實(shí)驗(yàn)測(cè)量能譜的比較，得到以下結(jié)論： 1）驗(yàn)證了 MCNP 程序提供能峰高斯展寬的 F8 電子脈沖計(jì)數(shù)卡在模擬 NaI(Tl)晶體測(cè)點(diǎn)源 γ 射線(xiàn)的能譜是完全可行的，顯示了通過(guò)能峰展寬的電子脈沖計(jì)數(shù)在能譜模擬方面有很大的優(yōu)越性。 2）通過(guò)改變能峰高斯展寬系數(shù)大小可以用于模擬任意分辨率 NaI(Tl)晶體探測(cè)γ 射線(xiàn)的能譜。 3） MCNP 程序提供能峰高斯展寬的模擬方 法也可以用于計(jì)算 NaI(Tl)晶體對(duì) γ射線(xiàn)的探測(cè)效率等方面研究，對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可靠性和準(zhǔn)確性提供依據(jù)。 存在問(wèn)題及進(jìn)一步研究工作建議： 1） NaI 探測(cè)器模型構(gòu)建稍顯簡(jiǎn)單，應(yīng)進(jìn)一步完善，以盡可能接近實(shí)際實(shí)驗(yàn)情況。 2）在程序編寫(xiě)方面，存在一定不足，以后進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì) MCNP 基礎(chǔ)的學(xué)習(xí)和掌握。 東華理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 致謝 18 致 謝 感謝我的指導(dǎo)老師王玲老師在畢業(yè)論文的設(shè)計(jì)與修改過(guò)程中給予了我極大的幫助，她細(xì)心的指導(dǎo)與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)慕虒W(xué)讓我在此次作論文時(shí)受益匪淺，還要感謝我們 專(zhuān) 業(yè)的各位老師和同學(xué)提供的幫助！ 東華理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 參考文獻(xiàn) 19 參考文獻(xiàn) [1] 周銀行，馬玉剛 .MCNP 能峰展寬的 NaI 探測(cè)效率研究 [2] 復(fù)旦大學(xué)編 .原子核物理實(shí)驗(yàn)方法 [M].北京 :原子能出版社， 1984:165166。 143144. [3] 鄭華 .MCNP3B使用程序 .大慶生產(chǎn)測(cè)井研究所（內(nèi)部資料） .1998年 10月 . [4] 汲長(zhǎng)松 .核輻射探測(cè)器及實(shí)驗(yàn)技術(shù)于朋 }M}一化京 :原子能出版社 .1990. [5] 吳思誠(chéng)，工祖鈴 .近代物理實(shí)驗(yàn) 2 版 .北京 :_化京大學(xué)出版社， 1995 [6] 鄭華 .MCNP3B使用程序 .大慶生產(chǎn)測(cè)井研究所（內(nèi)部資料） .1998年 10月 [7] 吳宜燦 ,李 瑩 ,盧 磊 ,丁愛(ài)平 ,胡海敏 ,曾 勤 ,羅月童 ,鄭善良 ,黃群英 ,陳義學(xué) .蒙特卡羅粒子輸運(yùn)計(jì)算自動(dòng) 建模程序系統(tǒng)的研究與發(fā)展 .核科學(xué)與工程 .2021年 3月 ,第 26卷第 1期 [8] 劉義保 ,蒙特卡羅方法及應(yīng)用 ,核專(zhuān)業(yè)研究生專(zhuān)題課程 ,東華理工大學(xué)核工程學(xué)院（內(nèi)部資料） [9] MCNP4B 的開(kāi)發(fā)及應(yīng)用 .東華理工大學(xué)（內(nèi)部資料） . [10] J. S. Hendricks. RSICC Computer Code Collection MCNPMonte Carlo NParticle Transport Code, Version4C (Los Alamos: Los) ,297. [11] Roman J. Shypailo ,K. J. Ellis .Monte Carlo efficiency calibration of a neutron generatorbased totalbody irradiator. J Radioanal Nucl Chem (2021) 282:247–253,DOI 東華理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 附錄一 20 附錄一 MCNP 模擬 NaI 探測(cè)器完整輸入文件 （ ） C 1 1 1 2 8 2 2 2 3 7 3 3 3 4 6 4 4 3 4 6 7 5 1 2 4 7 8 6 5 4 5 8 7 2 (1:5:8) 9 8 0 9 1 PY 3 2 PY 3 PY 4 PY 5 PY 6 CY 7 CY 8 CY 9 SO 50 MODE P E IMP:P,E 1 6R 0 SDEF POS=0 0 0 CEL=7 ERG= PAR=2 M1 13000 1 M2 M3 11023 1 53127 1 M4 8016 1東華理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 附錄二 21 12024 1 M5 14000 1 8000 2 F8: P 3 FT8 GEB 0 E8 0 400i NPS 1E8 附錄二 MCNP 模擬 NaI 探測(cè)器完整輸入文件 （ ， ） C 1 1 1 2 8 2 2 2 3 7 3 3 3 4 6 4 4 3 4 6 7 5 1 2 4 7 8 6 5 4 5 8 7 2 (1:5:8) 9 8 0 9 1 PY 3 2 PY 3 PY 4 PY 5 PY 6 CY 7 CY 8 CY 9 SO 50 MODE P E IMP: P,E 1 6R 0東華理工大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 附錄二 22 SDEF pos=0 0 0 cel=7 erg=d2 par=2 si2 l sp2 d 1 1 M1 13000 1 M2 M3 11023 1 53127 1 M4 8016 1 12024 1 M5 14000 1 8000 2 F8: P 3 FT8 GEB 0 E8 0 400i NPS 1E8