【導讀】本文是在分析了目前國內(nèi)電冰箱保護器研究的現(xiàn)狀的基礎上，設計的一種集過壓、欠壓、延時保護集于一體的多功能電冰箱保護器。文中首先探討了冰箱保護器的價值和發(fā)展狀況，并提出了設計的主要任務和要求。然后分析了電網(wǎng)過、欠壓或突然斷電時，壓縮機受到的影響，并根據(jù)其工作原理，繪制電路原理圖，并且進行元器件的選擇和計算以及電路的調(diào)試，最后得出結論。該電冰箱保護器具有電路結構簡單、硬件調(diào)試方便、工作性能穩(wěn)定等優(yōu)點。本人完全了解大學關于收集、保存、使用畢業(yè)設計（論文）的規(guī)定，即：按照學校要求提交畢業(yè)設計（論文）的印刷本和電子版本；學校有權保存畢業(yè)設計（論文）的印刷本和電子版，并提供目錄檢索與閱覽服務；學校可以采用影印、縮印、數(shù)字化或其它復制手段保存論文；在不以贏利為目的前提下，學?？梢怨颊撐牡牟糠只蛉績?nèi)容。

　　

【正文】 源、繼電器和螺線管的協(xié)同式線路保護．世界電子元器件．2010年10月．185期：3334附錄1 譯文自1958年美國德克薩斯儀器公司(TI)發(fā)明集成電路（IC）后，隨著硅平面技術的發(fā)展，二十世紀六十年代先后發(fā)明了雙極型和MOS型兩種重要的集成電路，它標志著由電子管和晶體管制造電子整機的時代發(fā)生了量和質(zhì)的飛躍。 MOS是:金屬氧化物半導體(MetalOxideSemiconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為 CMOSIC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。 目前數(shù)字集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路（主要為TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級。 CMOS發(fā)展比TTL晚，但是以其較高的優(yōu)越性在很多場合逐漸取代了TTL。 以下比較兩者性能，大家就知道其原因了。 ，TTL為雙極晶體管構成 （5～15V），TTL只能在5V下工作 、抗干擾性強，TTL則相差小，抗干擾能力差 ，TTL功耗較大（1～5mA/門） ，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當。 集成電路中詳細信息： 1．TTL電平： 　　輸出高電平,輸出低電平。在室溫下。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平=，輸入低電平=。 2．CMOS電平： 　　邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。 3．電平轉(zhuǎn)換電路： 　　因為TTL和CMOS的高低電平的值不一樣（ttl 5v==cmos ），所以互相連接時需要電平的轉(zhuǎn)換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什么高深的東西。 4．驅(qū)動門電路 　　OC門，即集電極開路門電路，OD門，即漏極開路門電路，必須外接上拉電阻和電源才能將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅(qū)動門電路。 5．TTL和CMOS電路比較： 　　1）TTL電路是電流控制器件，而CMOS電路是電壓控制器件。 　　2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(510ns)，但是功耗大。 CMOS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(2550ns),但功耗低。CMOS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，芯片集越熱，這是正?，F(xiàn)象。3）CMOS電路的鎖定效應附錄2 英文參考資料Since 1958 the United States Texas Instrument Company ( TI ) invented the integrated circuit ( IC ), with the silicon plane technique development, nineteen sixties has invented a bipolar type and MOS type two important integrated circuit, it is marked by a tube or a transistor manufacturing electronic times of occurrence of the quantitative and qualitative leap.MOS is: metal oxide semiconductor ( MetalOxideSemiconductor ) transistor structure referred to as the MOS transistor, a P type MOS and type N MOS pipe branch. By MOS pipe integrated circuit called a MOS integrated circuit, and the PMOS pipes and NMOS pipes together constitute a plementary MOS integrated circuit is CMOSIC ( Complementary MOS Integrated Circuit ).The current digital integrated circuit conductive types can be divided into bipolar integrated circuit ( mainly TTL ) and bipolar integrated circuit ( CMOS, NMOS, PMOS etc.). CMOS circuit with static power dissipation in the NW ( NW ) orders of magnitude.Development of CMOS than TTL late, but with its high superiority in many occasions gradually replaced the TTL.The parison of performance between, everyone will know the reason. is a field effect transistor, TTL bipolar transistor. logic level range is relatively large ( 5 ~ 15V ), TTL can only work on the 5V level is relatively large, strong antiinterference, TTL is relatively small, poor capacity of resisting disturbance with small power consumption, high power consumption ( TTL 1 ~ 5mA / door )The working frequency of is TTL slightly low, but high speed CMOS speed and TTL almost.Integrated circuit in detail: level:High level output , output low level. At room temperature, the general high level output voltage is , output low level. The minimum input high level and low level: high level input = , low level input = , noise margin is . level:Logic level voltage to a power supply voltage, a 0 logic level close to 0V. And has very wide noise margin.3 level conversion circuit:Because TTL and CMOS level values are not the same ( TTL 5V = = CMOS ) are connected to each other, so need level conversion: is to use two resistance to the level of tension, no advanced things.The 4 driving circuitOC doors, which open collector gate circuit, OD doors, which open drain gate circuit, must be external pull up resistor and the power supply can be used as a high level switch level. Otherwise it is generally just as switch high voltage and large current load, so they called the driving gate circuit. and CMOS circuit parison:1) TTL circuit is a current controlling device, and the CMOS circuit is a voltage control device.2) TTL circuit transmission speed, short delay time ( 510ns ), but the large power consumption.CMOS circuit speed slow, long transmission delay time ( 2550ns ), but the low power consumption. CMOS circuit consumption itself and the input signal pulse frequency, the higher the frequency, the more heat the chip set, which is a normal phenomenon.3) CMOS circuit locking effect.附錄 3 整機電路原理圖附錄 4 元器件表序號名稱代號規(guī)格型號數(shù)量1電阻、Ⅱ22電阻、Ⅱ23電阻、Ⅱ34電阻、Ⅱ25電阻、Ⅱ26電阻Ⅱ17電阻Ⅱ18電阻Ⅱ19電阻Ⅱ110電位器Ⅱ111電位器Ⅱ112電位器Ⅱ113電容、CD1150V47uFⅡ214電容、CD1150V10uFⅡ315電容CD1150V1uFⅡ116電容CD1125V33uFⅡ117電容CD1116V100uFⅡ118電容CD1116V1uFⅡ119電容CD1116V47uFⅡ120電容CD1125V47uFⅡ121電容Ⅱ122電容Ⅱ123二極管、IN4148224穩(wěn)壓二極管2CW59125三極管、3DG6B226三極管C8050127與非門、CD4011228集成芯片NE555129集成芯片CW7824130繼電器KJQW13F24Ⅱ131整流硅橋KBP210AC220V/DC27V132電源變壓器TAC220V/AC24V3W1