【導讀】導下進行的研究工作及取得的成果。盡我所知，除文中特別加以標注和致謝。為獲得及其它教育機構的學位或學歷而使用過的材料。有權保存畢業(yè)設計（論文）的印刷本和電子版，并提供目錄檢索與閱覽服務；目的前提下，學校可以公布論文的部分或全部內(nèi)容。他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫的成果作品。對本文的研究做出重要貢獻的個。人和集體，均已在文中以明確方式標明。本人完全意識到本聲明的法律后果。涉密論文按學校規(guī)定處理。等），文科類論文正文字數(shù)不少于萬字。符合國家技術標準規(guī)范。圖表整潔，布局合理，文字注釋必須使用工程字書寫，不。通風和空調(diào)系統(tǒng)中冷熱水的開關控制。由于我國工業(yè)水質(zhì)很多是含Ca2+、Mg2+、Coo2-等。離子濃度很高的硬水，在溫度變化的空調(diào)管道中極易結垢，造成電動閥早期即失效損壞。實現(xiàn)空調(diào)溫度控制單元的工作情況。

　　

【正文】 的讀數(shù)等僅靠軟件來完成，故硬件較為簡單，但占 CPU 時間較多。 鍵盤的鍵輸入程序應完成的基本任務： ：按鍵的閉合與否，反應在電壓上就是呈現(xiàn)出高電平或低電平，所以通過電平的高低狀態(tài)的檢測，便可確定按鍵按下與否。 。 。 單片機及應用系統(tǒng)中，鍵盤掃描只是 CPU 的工作內(nèi)容之一。 CPU 忙于各項任務時，如何兼顧鍵盤的輸入，取決于鍵盤的工作方式。而鍵盤的工作方式則根據(jù)儀表系統(tǒng)中 CPU任務的份量來確定。鍵盤的工作方式選取的原則是：既要保證能及時響應按鍵的操作，又不過多地占用 CPU 的工作時間。按鍵的工作方式有：查詢方式（編程掃描，定時掃描方式），中斷掃描方式。矩陣式鍵盤適用于按鍵數(shù)量較多的場合，由行線和列線組成。按鍵位于行列的交叉點上節(jié)約 I/O 口。 矩陣鍵盤工作原理：行線通過上拉電阻接到 +5V 上，無按鍵 按下 ，行線處于高電平狀態(tài)；有按鍵按下，行線電平狀態(tài)由與此行線相連的 列線電平?jīng)Q定， 列線電平為低，則行線電平為低；列線電平為高，則行線電平為高。圖 為按鍵電路。 內(nèi)蒙古科技大學畢業(yè)設計 說明書（畢業(yè) 論文 ） 21 R11 0KR21 0KR31 0KS W 1開 /關S W 2功能選擇S W 3溫度設定 +S W 4溫度設定 S W 5小時S W 6分鐘S W 7風速高S W 8風速中S W 9風速低V C CD3Z E N E R 1D2Z E N E R 1D1Z E N E R 1N e tP 32N e tP 33N e tP 34N e tP 35N e tP 36N e tP 37 圖 按鍵電路 電源電路 本設計所用的 電源電壓為 220V，首先交流電經(jīng)過變壓器降壓為 9V 的交流電，通過橋式整流， E1,C1 濾波，輸出 +5V 左右的直流電壓，然后再經(jīng)過集成三端穩(wěn)壓器 IC2（ 17805）， E2,C2 濾波，輸出直流 5V，給溫度檢測電路 、 時鐘電路 、 顯示電路 、 復位電路等提供工作電壓。其 直流穩(wěn)壓電源的組成框圖 如下： 圖 直流穩(wěn)壓電源的組成框圖 內(nèi)蒙古科技大學畢業(yè)設計 說明書（畢業(yè) 論文 ） 22 ：將 220V,50HZ 的交流電壓轉換成 5V 直流電壓。 ： 利用電感和電容的阻抗特性，將整流后的單向脈動電流中的交流分量濾去， 使 單向脈動電流變換成平滑的直流電。 ：當電網(wǎng)電壓波動或負載的變動會導致負載上得到的直流電不穩(wěn)定，影響電子設備的性能，用穩(wěn)壓管，即采用一些負反饋方式的穩(wěn)壓電路，使之自動調(diào)節(jié)不穩(wěn)定因素，從而得到穩(wěn)定電壓 。 供電部分輸入 220V、 50HZ 的交流電，輸出 電壓 +5V，供給整個電路電源，電流最大為 400mA； LM17812 和 LM17805 負載重，功率大，加裝了散熱片。 本設計的電源電路設計圖如下： E12 20 uF /25 VE24 70 uF /16 VV in1GND2V ou t3IC 21 78 05 C V12J1C O N 2C11 04C21 04V C C1234D1B R I D G E 1 圖 電源電路 外部晶振電路 外部晶振電路由 2個 33pF 的電容和一個 12MHz 的晶體振蕩器構成。 片內(nèi)電路與片外器件構成一個時鐘產(chǎn) 生 電路， CPU 的所有操作均在時鐘脈沖 下 同步進行。片內(nèi)振蕩器的振蕩頻率非常接近晶振頻率，一般在 ～ 12MHz之間選取 ， C5,C6是反饋電容， 起穩(wěn)定振蕩頻率，快速起振的作用 ， 其值 在 5pF～ 33pF 之間選取， 典型值為 33pF。本電路選用的電容為 33pF，晶振頻率為 12MHz。 在引腳 XTAL1 和 XTAL2 外接晶體振蕩器，就構成了內(nèi)部震蕩方式 ，內(nèi)部震蕩方式所得的時鐘信號比較穩(wěn)定，實用電路中使用較多。 由于單片機內(nèi)部有一個高增益反相放大器，當外接晶振后，就構成了自激振蕩器并產(chǎn)生震蕩時鐘脈沖。內(nèi)部震蕩方式的外部電內(nèi)蒙古科技大學畢業(yè)設計 說明書（畢業(yè) 論文 ） 23 路如圖 ： C53 3 p FC63 3 p FY11 2 M H zG N DN e tP 0 1N e tP 0 2N e tP 0 3N e tP 0 4N e tP 0 5N e tP 0 6N e tP 0 7N e tP 0 8N e tP 0 9N e tP 1 0N e tP 1 1N e tP 1 2N e tP 1 3N e tP 1 4N e tP 1 5N e tP 1 6N e tP 1 7N e tP 3 9N e tP 3 8N e tP 3 7N e tP 3 6N e tP 3 5N e tP 3 4N e tP 3 3N e tP 3 2N e tP 2 8N e tP 2 7N e tP 2 6N e tP 2 5N e tP 2 4N e tP 2 3N e tP 2 2N e tP 2 1N e tP 2 9N e tP 3 1N e tP 3 0E A /V P P31X119X218R E S E T9R D / P 3 717W R /P 3 616P 3 2 /IN T 012P 3 3 /IN T 113P 3 4 /T 014P 3 5 /T 115P 1 01P 1 12P 1 23P 1 34P 1 45P 1 56P 1 67P 1 78P 0 039P 0 138P 0 237P 0 336P 0 435P 0 534P 0 633P 0 732P 2 021P 2 122P 2 223P 2 324P 2 425P 2 526P 2 627P 2 728P S E N29A L E /P R D G30P 3 1 /T X D11P 3 0 /R X D10IC 1A T 8 9 C 5 1 圖 晶振電路 外部振蕩信號由 X2 引入， X1 和 X2：片內(nèi)振蕩電路輸入、輸出引腳，這兩個端子用來外接石英晶體和微調(diào)電容。在石英晶體的兩個管腳加交變電場時，它將會產(chǎn)生一定頻率的機械變形 ，而這種機械振蕩又會產(chǎn)生交變電場，上述物理現(xiàn)象稱為壓電效應。一般情況下，無論是機械振動的振幅，還是交變電場的振幅都非常小。但是，當交變電場的頻率為某一特定值時，振幅驟然增大，產(chǎn)生共振，稱之為壓電振蕩。這一特定頻率就是石英晶體的固有頻率，也稱諧振頻率，即用來連接 89C51 片內(nèi) OSC 的定時反饋回路。石英晶振起振后要能在 X2 線上輸出 一 個 3V 左右的正弦波，以便使 MCS51 片內(nèi)的 OSC 電路按石英晶振相同頻率自激振蕩。通常 OSC 的輸出時鐘頻率 fosc 為 ～ 16 MHz，典型值為 12 MHz 或者 MHz。電容 C5， C6可以幫助起振，典型值為 33 pF，調(diào)節(jié)它們可以達到微調(diào) fosc 的目的。 內(nèi)蒙古科技大學畢業(yè)設計 說明書（畢業(yè) 論文 ） 24 元器件的選擇 AT89C51 簡介 AT89C51 美國 ATMEL 公司生產(chǎn)的 低電壓，高性能 CMOS8 位 單片機 ，片內(nèi) 帶 4K 字節(jié)閃爍可編程可擦除 只讀存儲器 （ EPROM）和 128bytes 的隨機存取數(shù)據(jù)存儲器 (RAM), 兼容標準 MCS51 指令系統(tǒng)，片內(nèi)置通用 8位中央處理器和 Flash 存儲單元 。 AT89C51 提供 4K字節(jié) Flash 閃速存儲器， 128 字節(jié)內(nèi)部 RAM， 32 個 I/O 端口， 2 個 16 位可編程定時計數(shù)器 ,5個向量兩級中斷結構， 2個全雙工串行通信口， 片內(nèi)振蕩器及時鐘電路。同時 AT89C51可降至 0HZ 的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式?？臻e方式停止 CPU的工作，但允許 RAM、 定時計數(shù)器 、 串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存 RAM中的 內(nèi)容， 但振蕩器停止工作并禁止其他所有部件工作直到下一個硬件復位 . [1] N etP 01N etP 02N etP 03N etP 04N etP 05N etP 06N etP 07N etP 08N etP 09N etP 10N etP 11N etP 12N etP 13N etP 14N etP 15N etP 16N etP 17N etP 39N etP 38N etP 37N etP 36N etP 35N etP 34N etP 33N etP 32N etP 28N etP 27N etP 26N etP 25N etP 24N etP 23N etP 22N etP 21N etP 29N etP 31N etP 30E A /V P P31X119X218R E S E T9R D / P 3 717W R /P 3 616P 32 /IN T 012P 33 /IN T 113P 34 /T 014P 35 /T 115P 101P 112P 123P 134P 145P 156P 167P 178P 0039P 0138P 0237P 0336P 0435P 0534P 0633P 0732P 2021P 2122P 2223P 2324P 2425P 2526P 2627P 2728P S E N29A L E /P R D G30P 31 /T X D11P 30 /R X D10IC 1A T 8 9C 51 圖 AT89C51 的管腳圖 設計中單片機采用 AT89C51 型，它是一種 帶 4K 字節(jié)閃爍可編程可擦除 只讀存儲器 的低電壓，高性能 CMOS 8 位 微處理器，該器件存儲器制造技術與工業(yè) 標準 MCS51 指令 集和輸出管腳相兼容， 由于將多功能 8 位 CPU 和閃爍 存儲器組合在單個芯片中， ATMEL 的AT89C51 是一種高效微 控制器。 AT89C 單片機為很多嵌入式控制系統(tǒng)提供了一種靈活性高且價廉的方案。 內(nèi)蒙古科技大學畢業(yè)設計 說明書（畢業(yè) 論文 ） 25 ： 與 MCS51 兼容 4K 字節(jié)可編程閃爍存儲器 壽命： 1000 寫 /擦循環(huán) 數(shù)據(jù)保留時間： 10 年 全靜態(tài)工作： 0Hz24Hz 三級程序存儲器鎖定 1288 位內(nèi)部 RAM 32 個 可編程 I/O 線 兩個 16 位定時器 /計數(shù)器 5 個中斷源 可編程串行通道 低功耗的閑置和掉電模式 片內(nèi)振蕩器和時鐘電路 ： VCC：供電電壓。 GND：接地。 P0 口 ： 作為 I/O 引腳使用時， P0口是 漏級開路雙向口， 向 P0 口 鎖存器寫入 1時，I/O 引腳將懸空，是 高阻輸入 引腳；在讀寫外部存儲器時， P0 口 作低 8位 地址 /數(shù)據(jù) 總線 。在 FIASH 編程時， P0 口作為原碼輸入口，當 FIASH 進行校驗時， P0 輸出原碼，此時 P0外部必須被拉高。 P1 口 ： 內(nèi)部帶有弱上拉的準 雙向 I/O口， 作輸入引腳使用前，先向 P1口 鎖存器寫入 1， 使 P1 口引腳被上拉至高電平。 內(nèi)蒙古科技大學畢業(yè)設計 說明書（畢業(yè) 論文 ） 26 、 引腳除了可作為一般 I/O 引腳使用外，還具有第二輸入 /輸出功能： T2（ ） —— 定時器 T2的計數(shù)輸入端或定時器 T2 的時鐘輸出端。 T2EX（ ） —— 定時器 T2 的 外部觸發(fā) 輸入端 。 P2 口 ：內(nèi)部 帶有弱 上拉的 準 雙向 I/O 口， 作輸入引腳使用前，先向 P2 口 鎖存器 寫入 1， 使 P2 口引腳被上拉至高電平。在 讀 /寫外部存儲器時， P2 口輸出高 8位地址信號 A15～ A8。 P3 口 ： 內(nèi)部 帶有弱 上拉的 準 雙向 I/O 口， 作輸入引腳使用前，先向 P2 口 鎖存器 寫入 1， 使 P2口引腳被上拉至高電平。 P3 口 除了可作為一般 I/O 引腳使用外，還具有第二輸入 /輸出功能： RXD（ ） —— 串行 數(shù)據(jù)接收（ 輸入 ）端 TXD（ ） —— 串行 數(shù)據(jù)發(fā)送（ 輸出 ） 端 /INT0（ ） —— 外 中斷 0 輸入端 /INT1（ ） —— 外 中斷 1 輸入端 T0（ ） ——