【導(dǎo)讀】近年來(lái)全國(guó)火災(zāi)事故頻繁發(fā)生，造成人、財(cái)、物的巨大損失。警和控制都很落后，造成了巨大的損失?，F(xiàn)在，用戶對(duì)火災(zāi)報(bào)警以至自動(dòng)消防系統(tǒng)。的要求越來(lái)越高,對(duì)火災(zāi)預(yù)防的意識(shí)也越來(lái)越強(qiáng)烈。成數(shù)字信號(hào)，外加聲光報(bào)警電路。外圍設(shè)備，結(jié)合單片機(jī)AD89C52芯片控制電路，以AT89C52單片機(jī)和MQ-2型半導(dǎo)體電阻式煙霧傳感器及數(shù)字式溫度傳感器。為核心設(shè)計(jì)的火災(zāi)報(bào)警器可實(shí)現(xiàn)聲光報(bào)障自診斷、報(bào)警限設(shè)置、延時(shí)報(bào)警及等功能。一定的實(shí)用價(jià)值。

　　

【正文】 25 的 4個(gè)主要的數(shù)據(jù)部份 （ 1） 光刻 ROM中的 64位序列號(hào)是出廠前被光刻好的，它可以看作是該 DS18B20的地址序列碼。 64 位光刻 ROM 的排列是：開始 8位（ 28H）是產(chǎn)品類型標(biāo)號(hào)，接著的 48 位是該 DS18B20 自身的序列號(hào)，最后 8 位是前面 56 位的循環(huán)冗余校驗(yàn)碼（ CRC=X8+X5+X4+1）。光刻 ROM 的作用是使每一個(gè) DS18B20 都各不相同，這樣就可以實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個(gè) DS18B20 的目的。 （ 2） DS18B20 中的溫度傳感器可完成對(duì)溫度的測(cè)量。以 12位轉(zhuǎn)化為例：用 16位符號(hào)擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼讀數(shù)形式提供，以 ℃ /LSB 形式表達(dá)，其中 S 為符號(hào)位。表 34 是 DS18B20 溫度值格式表。 表 34 DS18B20溫度值格式表 bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 LS Byte 23 22 21 20 21 22 23 24 bit15 bit14 bit13 bit12 bit11 bit10 Bit9 Bit8 MS Byte S S S S S S S S 這是 12位轉(zhuǎn)化后得到的 12 位數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)在 18B20 的兩個(gè) 8 比特的 RAM 中，二進(jìn)制中的前面 5 位是符號(hào)位，如果測(cè)得的溫度大于 0，這 5 位為 0，只要將測(cè)到的數(shù)值乘于 即可得到實(shí)際溫度；如果溫度小于 0，這 5 位為 1，測(cè)到的數(shù)值需要取反加 1 再乘于 即可得到實(shí)際溫度。例如 +125℃的數(shù)字輸出為 07D0H，+℃的數(shù)字輸出為 0191H， ℃的數(shù)字輸出為 FF6FH， 55℃的數(shù)字輸出為 FC90H 。表 35是 DS18B20 的溫度數(shù)據(jù)表。 26 表 35 DS18B20 溫度數(shù)據(jù)表 TEMPERATURE DIGITAL OUTPUT(Binary) DIGITAL OUTPUT(Hex) +125176。C 0000 0111 1101 0000 07D0h +85176。C 0000 0101 0101 0000 0550h +176。C 0000 0001 1001 0001 0191h +176。C 0000 0000 1010 0010 00A2h +176。C 0000 0000 0000 1000 0008h +0176。C 0000 0000 0000 0000 0000h 176。C 1111 1111 1111 1000 FFF8h 176。C 1111 1111 0101 1110 FF5Eh 176。C 1111 1110 011 1111 FE6Fh 55176。C 1111 1100 1001 0000 FC90h （ 3） DS18B20 溫度 傳感器的存儲(chǔ)器 DS18B20 溫度傳感器的內(nèi)部存儲(chǔ)器包括一個(gè)高速暫存 RAM 和一個(gè)非易失性的可電擦除的 EEPRAM,后者存放高溫度和低溫度觸發(fā)器 TH、 TL和結(jié)構(gòu)寄存器。 （ 4）配置寄存器 該字節(jié)各位的意義如下 ： 表 36 配置寄存器結(jié)構(gòu) 低五位一直都是 1， TM 是測(cè)試模式位，用于設(shè)置 DS18B20 在工作模式還是在測(cè)試模式。在 DS18B20 出廠時(shí)該位被設(shè)置為 0，用 戶不要去改動(dòng)。 R1和R0 用來(lái)設(shè)置分辨率，如表 37 所示：（ DS18B20 出廠時(shí)被設(shè)置為 12 位）。 TM R1 R0 1 1 1 1 1 27 表 37 溫度分辨率設(shè)置表 R1 R0 分辨率 溫度最大轉(zhuǎn)換時(shí)間 0 0 9位 0 1 10位 1 0 11位 375ms 1 1 12位 750ms 的外部電源供電方式 在外部電源供電方式下， DS18B20 工作電源由 VDD引腳接入，此時(shí) I/O 線不需要強(qiáng)上拉，不存在電源電流不足的問(wèn)題，可以保證轉(zhuǎn)換精度，同時(shí)在總線上理論可以掛接任意多個(gè) DS18B20 傳感器，組成多點(diǎn)測(cè)溫系統(tǒng)。注意：在外部供電的方 式下， DS18B20 的 GND引腳不能懸空，否則不能轉(zhuǎn)換溫度，讀取的溫度總是 85℃。 圖 310 外部供電方式單點(diǎn)測(cè)溫電 路 圖 311 外部供電方式的多點(diǎn)測(cè)溫電路圖 外部電源供電方式是 DS18B20 最佳的工作方式，工作穩(wěn)定可靠，抗干擾能力強(qiáng)，而且電路也比較簡(jiǎn)單，可以開發(fā)出穩(wěn)定可靠的多點(diǎn)溫度監(jiān)控系統(tǒng)。在外接電源方式下，可以充分發(fā)揮 DS18B20 寬電源電壓范圍的優(yōu)點(diǎn)，即使電源電壓 Vcc 降到 3V 時(shí)，依然能夠保證溫度量精度。 的讀操作 （ 1）將數(shù)據(jù)線拉高“ 1”。 1 2 3 4 5 6ABCD654321DCBAT itleN um be r R e vis ionS izeBD ate : 28 M a y 20 10 S he e t of F ile: E :\m ate r ia l\畢業(yè) 工作 \論文 \單片機(jī)知識(shí) \單片機(jī)最小系統(tǒng)原理圖 .ddbD r aw n B y :C130 pFY112MC230 pFP 1. 01P 1. 12P 1. 23P 1. 34P 1. 45P 1. 56P 1. 67P 1. 78R S T/V P D9R X D /P 10T X D /P 11I N T0/ P 12I N T1/ P 13T 0/ P 14T 1/ P 15W R/P 16R D /P 17X TA L 218X TA L 119V s s20P 2. 0( A 8)21P 2. 1( A 9)22P 2. 2( A 10)23P 2. 3( A 11)24P 2. 4( A 12)25P 2. 5( A 13)26P 2. 6( A 14)27P 2. 7( A 15)28P S EN29A LE30E A /V pp31P 0. 7( A D 7)32P 0. 6( A D 6)33P 0. 5( A D 5)34P 0. 4( A D 4)35P 0. 3( A D 3)36P 0. 2( A D 2)37P 0. 1( A D 1)38P 0. 0( A D 0)39V cc40A T89 C 51U1A T89 C 51B EE PR S TSTOEE O CABCL0L1DSD7D6D5D4D3D2D1D0C T110 uFR110KL ED 1L ED 0R3470R2470C3 10 4uV CCV CCL1L0V CCV CCR4 KR5 KR6 KLSD2Q5Q6C LK341P REC LRU 4A74 LS 74D2Q5Q6C LK341P REC LRU 5A74 LS 74Q1C 90 13V CCV CCA LEC LKV CCV CCDSV CCA D C 1A D C 1ABCD7D6D5D4D0D2D1STE O CD3OEC LKA LEV CCR7470D S18 B 20U 3AM Q 2U 6AI N 31I N 42I N 53I N 64I N 75ST6E O C7D38OE9C LK10V CC11V RE F +12G N D13D1142115V RE F 16D017D418D519D620D721A LE22C23B24A25I N 026I N 127I N 228A D C 08 09U 2AA D C 08 091 2 3 4 5 6ABCD654321DCBAT i t leN u m be r R e v i s i onS i z eBD a t e : 8 Jun 20 10 S he e t o f F i l e : C : \ P R O G R A M F I L E S \ P R O T E L 99S E 漢化版 \ E X A M P L E S \ C 51 C .D D BD r a w n B y :D S 18 B 201C*****************D S 18 B 202CD S 18 B 203C KV C CIOV C C 28 （ 2）延 時(shí) 2 微秒。 （ 3）將數(shù)據(jù)線拉低“ 0”。 （ 4）延時(shí) 15 微秒。 （ 5）將數(shù)據(jù)線拉高“ 1”。 （ 6）延時(shí) 15 微秒。 （ 7）讀數(shù)據(jù)線的狀態(tài)得到 1 個(gè)狀態(tài)位，并進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。 （ 8）延時(shí) 30 微秒。 的寫操作 （ 1）數(shù)據(jù)線先置低電平“ 0”。 （ 2）延時(shí)確定的時(shí)間為 15微秒。 （ 3）按從低位到高位的順序發(fā)送字節(jié)（一次只發(fā)送一位）。 （ 4）延時(shí)時(shí)間為 45 微秒。 （ 5）將數(shù)據(jù)線拉到高電平。 （ 6）重復(fù)上（ 1）到（ 6）的操作直到所有的字節(jié)全部發(fā)送完為止。 （ 7）最后將數(shù)據(jù)線拉高。 的初始化 （ 1）先將數(shù)據(jù)線置高電平“ 1”。 （ 2）延時(shí)（該時(shí)間要求的不是很嚴(yán)格，但是盡可能的短一點(diǎn)）。 （ 3）數(shù)據(jù)線拉到低電平“ 0”。 （ 4）延時(shí) 750 微秒（該時(shí)間的時(shí)間范圍可以從 480 到 960 微秒）。 （ 5）數(shù)據(jù)線拉到高電平“ 1”。 （ 6）延時(shí)等待（如果初始化成功則在 15到 60毫秒時(shí)間之內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)由 DS18B20所返回的低電平“ 0”。據(jù)該狀態(tài)可以來(lái)確定它的存在，但是應(yīng)注意不能無(wú)限的進(jìn)行等待，不然會(huì)使程序進(jìn)入死循環(huán)，所以要進(jìn)行超時(shí)控制）。 （ 7）若 CPU 讀到了數(shù)據(jù)線上的低電平“ 0”后，還 要做延時(shí)，其延時(shí)的時(shí)間從發(fā)出的高電平算起（第（ 5）步的時(shí)間算起）最少要 480 微秒。 （ 8）將數(shù)據(jù)線再次拉高到高電平“ 1”后結(jié)束。 29 前向通道電路設(shè)計(jì) ADC0809 芯片的基本知識(shí) ADC0809 是帶有 8 位 A/D 轉(zhuǎn)換器、 8路多路開關(guān)以及微處理機(jī)兼容的控制邏輯的 CMOS 組件。它是逐次逼近式 A/D 轉(zhuǎn)換器，可以和單片機(jī)直接接口。 ADC0809 的內(nèi)部邏輯結(jié)構(gòu)如圖 312。 圖 312 ADC0809內(nèi)部邏輯結(jié)構(gòu) 由上圖可知， ADC0809 由一個(gè) 8 路模擬開關(guān)、 一個(gè)地址鎖存與譯碼器、一個(gè) A/D轉(zhuǎn)換器和一個(gè)三態(tài)輸出鎖存器組成。多路開關(guān)可選通 8 個(gè)模擬通道，允許 8路模擬量分時(shí)輸入，共用 A/D 轉(zhuǎn)換器進(jìn)行轉(zhuǎn)換。三態(tài)輸出鎖器用于鎖存 A/D 轉(zhuǎn)換完的數(shù)字量，當(dāng) OE 端為高電平時(shí)，才可以從三態(tài)輸出鎖存器取走轉(zhuǎn)換完的數(shù)據(jù)。 ADC0809 引腳結(jié)構(gòu) 由圖可知 ADC0809 為 28 引腳為雙列直插式封裝。引腳結(jié)構(gòu)圖如圖 313所示。 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7