【導(dǎo)讀】第六章建廠條件和廠址選擇.......

　　

【正文】 具有以下突出優(yōu)點(diǎn)：高溫下的光伏輸出特性好，比晶體硅太陽能 電池 有更大的實(shí)際功率輸出，環(huán)境又 好，更少的能量償還時(shí)間。 全球太陽能電池行業(yè)正在發(fā)生革命性的變化， 2020 年之前將是薄膜硅和結(jié)晶硅齊頭并進(jìn)， 2020 年以后薄膜硅將成主流。其依據(jù)是，薄膜太陽能電池在技術(shù)開發(fā)上已超越傳統(tǒng)的硅電池，生產(chǎn)成本也迅速跟上市場競爭的需要。另一方面，鑒 于資源的短缺， 結(jié) 晶硅材料的制造和獲取都非常困難。隨著全球光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，非晶硅薄膜太陽能電池市場前景看好，技術(shù)日臻成熟，光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性不斷提高?；诰w硅 (單晶硅和多晶硅 )的太陽能電池由于發(fā)展歷史較早且技術(shù)比較成熟，在裝機(jī)容量一直占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管技術(shù)進(jìn)步和市場擴(kuò)大使其成本不斷下降，但由于材料和工藝的限制，晶體硅太陽能電池進(jìn)一步降低成本的空間相當(dāng)有限。因此第一代太陽能電池很難承擔(dān)太陽能光伏發(fā)電大比例進(jìn)入人類能源結(jié)構(gòu)并成為基礎(chǔ)能源的組成部分的歷史使命，薄膜太陽能電池益發(fā)得到世界各國的重視。 目前， 薄膜 太陽能 電池 廠家也在積極擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，每條生產(chǎn)線的生產(chǎn)規(guī)模大多在 20MW 以上，產(chǎn)品規(guī)格多相當(dāng)于 TFTLCD 五代線以上水平，面積在 平方米以上。天威保變計(jì)劃投入 32 億元用于非晶硅薄膜太陽能電池項(xiàng)目；江西賽維宣布在南昌建設(shè)全球技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大的薄膜太陽能電池項(xiàng)目； 2020 年 7 月，強(qiáng)生光電 25MWSel ect ion. Par agr aphForm at . Li neSpaci ngLi nesToPoi nt s( 2)Selecti on. Par agraphFor mat. LineSpaci ngLi nesToPoi ntsel e ct i on. Par agr aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaphForm at . Li neSpaci ngLinesToPoi nt s( 2) Selecti on. Par agraphFor mat. LineSpaci ngLi nesToPocti aphForm Sel ect i on. Par agr aphFor maaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaat .Li neSpacingLinesToPoint s( 2)Selecti mat .LineSpaci ngLi nesToPointselecti on. Par agr aphFor mat. LineSpacingLi nesToPoi nts(2) Sel ect aphForm at .Li neSpaci ngLinesToPoction. Par agr aphFor mat. LineSpacingLinesToPoi nt s(2Selection. Par agr aphFor mat. LineSpacingLinesToPoi nt s(2)Sel ect .Li neSpaci ngLinesToPointselecti on. Par agraphFor mat. LineSpaci ngLi nesToPoi nts(2) Sel ect agr aphForm at .Li neSpacingLinesToPocti on. Par agraphFor mat. LineSpacingLi nesToPoi nts(2) Sel ect agr aphFaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa hF Sel ect ion. Par agr aphForm at . Li neSpaci ngLi nesToPoi nt s( 2)Selecti on. Par agraphFor mat. 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LineSpacingLi nesToPoi nts(2) Sel ect agr aphFaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaahF 6 非晶硅太陽能薄膜電池生產(chǎn)線正式投產(chǎn)；贛能股份宣布組建合資公司，建設(shè)目標(biāo)為年產(chǎn)能 50MW 的非晶硅光電薄膜電池生產(chǎn)線。此前，無錫尚德、孚日股份、拓日新能、綜藝股份等公司也都紛紛宣布進(jìn)軍薄膜電池領(lǐng)域。 光伏能 源要能與常規(guī)能源競爭，關(guān)鍵在于 發(fā)電成本的降低，而發(fā)電成本的降低，一是光伏系統(tǒng)本身的發(fā)電效率要高，二是光伏系統(tǒng)的造價(jià)成本要低。光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率，一是取決于組件的光轉(zhuǎn)效率，二是組件可發(fā)電時(shí)間的長短，三是組件在各種光照環(huán)境下的吸光特性。簡言之，電池組件的光轉(zhuǎn)效率高、發(fā)電時(shí)間長、吸光特性好，則愈能產(chǎn)生更多的電量，從而降低發(fā)電的成本。光伏系統(tǒng)的造價(jià)成本多寡，一者取決組件的價(jià)格，二是 .（ Battery、 Charger、 Inverter、Combiner Box 等）的支出，三為人工的費(fèi)用（含利潤）。簡言之，組件價(jià)格低、 、人工費(fèi)用便宜，光伏系統(tǒng)造價(jià)成本則低。以現(xiàn)時(shí)光伏產(chǎn)業(yè)而言，硅基薄膜電池雖然在光轉(zhuǎn)效率不如晶硅電池，然在吸光特性、發(fā)電時(shí)間上遠(yuǎn)勝於晶硅電池，故同樣發(fā)電功率的光伏系統(tǒng)，硅基薄膜電池已被證明具有較高的發(fā)電量?？傊?，未來在愈來愈多企業(yè)投入硅基薄膜電池產(chǎn)業(yè)之下，薄膜電池光伏系統(tǒng)的發(fā)電效率及造價(jià)成本，在可見的二、三年內(nèi)，相信會(huì)有很大的改善及下降空間。 盡管對(duì)薄膜太陽能電池的發(fā)展一致看好，但在供應(yīng)鏈組織方面，產(chǎn)品生產(chǎn)所需的高透光率的超白玻璃 (或鍍有透明導(dǎo)電膜的 TCO 玻璃 )、高純硅烷、 PVB 膜等 ，都只有有限的供應(yīng)來源。如何爭取穩(wěn)定且價(jià)格便宜的材料來源，也是投資人面臨的主要難題。 Sel ect ion. 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LineSpacingLi nesToPoi nts(2) Sel ect agr aphFaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaahF 7 本項(xiàng)目產(chǎn)品是電子級(jí)的高純二乙基鋅 （ 4N 和 6N） ，化學(xué)式為Zn(CH2CH3)2，英文名為 DiethylZinic。 二乙基鋅是一種無色透明液體，性質(zhì)：有毒的透明液體。熔點(diǎn) 28℃ 。沸點(diǎn) 118℃ 。密度 。溶于乙醚、石油醚、苯和其他烴類。廣泛用于聚合反應(yīng)的催化劑；高純二乙基鋅是一種可用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝和外延生長。目前，二乙基鋅是用于 TCO 導(dǎo)電玻璃的主要原料 。 TCO（ Transparent conducting oxide）玻璃，即透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃，是在平板玻璃表面通過物理或者化學(xué)鍍膜的方法均勻鍍上一層透明的導(dǎo)電氧化物薄膜，主要包括 In、 Sn、 Zn 和 Cd 的氧化物及其復(fù)合多元氧化物薄膜材料。 TCO 玻璃首先被應(yīng)用于平板顯示器中，現(xiàn)在 ITO 類型的導(dǎo)電玻璃仍是平板顯示器行業(yè)的主流玻璃電極產(chǎn)品。近幾年，晶體硅價(jià)格的上漲極大地推動(dòng)了薄膜太陽能電池的發(fā)展，目前薄膜太陽能電池占世界光伏市場份額已超過 10％，光伏用 TCO 玻璃作為電池前電極的必要構(gòu)件，市場需求迅速增長，成為了一個(gè) 炙手可熱的高科技鍍膜玻璃產(chǎn)品。 透明導(dǎo)電氧化物的鍍膜原料和工藝很多，通過科學(xué)研究進(jìn)行不斷的篩選，目前主要有以下三種 TCO 玻璃與光伏電池的性能要求相匹配。 ITO 鍍膜玻璃：是一種非常成熟的產(chǎn)品，具有透過率高，膜層牢固，導(dǎo)電性好等特點(diǎn)，初期曾應(yīng)用于光伏電池的前電極。但隨著光吸Sel ect ion. Par agr aphForm at . 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