sc6800h平臺(tái)bootloader和nandflash學(xué)習(xí)交流-資料下載頁
2025-03-08 10:43本頁面
【正文】 會(huì)遇到錯(cuò) 誤或者失敗，而這些有錯(cuò)誤或發(fā)生失敗的塊就叫做壞塊。 BML 專門用于管理這些壞塊，并且還可以對一些無效塊進(jìn)行管理 . BML主要包括：分區(qū)信息管理 (Partition Information Management) ,交錯(cuò)訪問 Nand Flash設(shè)備 (NAND Device Interleaving),壞塊管理 (Bad Block Management),軟件 ECC(Software ECC),多卷管理 (Multiple Volume Management)等。 Nand flash常用的軟件管理方案 XSR(eXtended Sector Remapper) LLD(Low Level Device Driver) LLD(底層設(shè)備驅(qū)動(dòng)層 )是所有 XSR的結(jié)構(gòu)層中真正 同物理層接觸的，即真正能夠訪問物理設(shè)備的層次。 通過前面 STL和 BML的轉(zhuǎn)換， LLD使用上面?zhèn)鱽淼恼嬲? 的物理地址，找到需要的 Nand Flash空間，對它進(jìn)行 所需的各種操作。 Nand flash常用的軟件管理方案 XSR(eXtended Sector Remapper) OAM(OS Adaptation Module) OAM(操作系統(tǒng)適配模塊層 )用于接收操作系統(tǒng)提 供的服務(wù)，并將它們作用到 XSR架構(gòu)中。 OAM是一個(gè)相 對獨(dú)立的層次，當(dāng)操作系統(tǒng)改變后，用戶只需要改變 OAM的配置即可。 OAM會(huì)提供一些中斷，時(shí)序，異步 / 同步標(biāo)志等功能函數(shù)。 Nand flash常用的軟件管理方案 XSR(eXtended Sector Remapper) PAM(Platform Adaptation Module) PAM(平臺(tái)適配模塊層 )用于將 XSR同具體的平臺(tái)聯(lián) 系在一起，用于獲取平臺(tái)的相關(guān)信息或者功能。 PAM 同樣也是獨(dú)立的層次，平臺(tái)改變后，用戶只需改變 PAM相關(guān)配置即可。這里所指的平臺(tái)是由 CPU， SDRAM， Nand Flash等組成的系統(tǒng)。 6800H平臺(tái) Nand Interface簡介 支持 8/16bit寬度。 支持 Nand的容量不大于 2Gbyte，支持 3～ 4地址序列，若是每頁大小為 2k byte，支持4～ 5地址序列。 若是每頁大小為 512byte，硬件上支持 4頁連續(xù)讀寫。 支持硬件 ECC校驗(yàn)，但須由軟件來糾錯(cuò)。 支持 Small Page(512byte)和 Large Page(2K byte)。 6800H平臺(tái) Nand flash驅(qū)動(dòng)配置 6800H平臺(tái)推薦的 memory方案是Nand+SDRAM(目前 Nor+pSram方案還沒有做好 )。其中完成一款新的 Nand驅(qū)動(dòng)一般是配置一張表 ,即 astNandSpec[ ]表 ,對應(yīng)的結(jié)構(gòu)體為LLDSpec。 6800H平臺(tái) Nand flash驅(qū)動(dòng)配置 結(jié)構(gòu)體 LLDSpec的定義為： 6800H平臺(tái) Nand flash驅(qū)動(dòng)配置 LLDSpec參數(shù)說明： 6800H平臺(tái) Nand flash驅(qū)動(dòng)配置 這里特別說明一下幾個(gè)參數(shù)： UINT8 nBadPos。/* BadBlock Information Poisition*/ UINT8 nLsnPos。/* LSN Position */ UINT8 nEccPos。/* ECC Byte Position */ UINT8 nAdvance。/* the property of Advance */ UINT16 nTrTime。/* readtime of NAND device (unit: usec)*/ UINT16 nTwTime。/* writetime of NAND device (unit : usec)*/ UINT16 nTeTime。/* erasetime of NAND device (unit : usec)*/ UINT16 nTfTime。/* transfertime from NAND device to host*/ 6800H平臺(tái) Nand flash分區(qū) Nand的第一個(gè) Block是用特殊工藝生產(chǎn)保證其永遠(yuǎn)不會(huì)變成壞塊 ,用來存放 Bootloader。 其他各個(gè)分區(qū)分成兩類： BML分區(qū)和 STL分區(qū)。 6800H平臺(tái) Nand flash分區(qū) 分區(qū)示意圖： 6800H平臺(tái) Nand flash分區(qū) BML分區(qū)： BML分區(qū)一般情況下只在程序下載時(shí)寫入 ,在手機(jī)程序運(yùn)行時(shí)該分區(qū)是只讀屬性。 OS Image Partition、 Download NV Partition、 Calibration Partition和MMIResource Partition都屬于 BML分區(qū)。 6800H平臺(tái) Nand flash分區(qū) STL分區(qū)： STL分區(qū)是在程序運(yùn)行過程中可讀可寫的邏輯分區(qū)。 Running NV Partition和 Udisk管理區(qū)都屬于 STL分區(qū)。 用戶還可以創(chuàng)建最多不超過 2個(gè)的 STL分區(qū)用作一些其他應(yīng)用。 6800H平臺(tái) Nand flash分區(qū) 如何修改分區(qū)的大?。? (1)修改 small page的 Nand flash分區(qū)在文件： (2)修改 large page的 Nand flash分區(qū)在文件： 下面的 Code是 的部分配置： 6800H平臺(tái) Nand flash分區(qū) 6800H平臺(tái) Nand flash分區(qū) 修改各分區(qū) size時(shí)需要注意： (1)修改了任何分區(qū)的大小都可能導(dǎo)致 U盤大小的變更 ， 一定要根據(jù)實(shí)際情況修改 U盤的大小 ， 修改地方為 Makefile文件中的UDISK_SIZE或 UDISK_SIZE_1 Q A The End ! 演講完畢，謝謝觀看！
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