【正文】 lectrical Engineering Institute of NEDU 晶閘管的觸發(fā)電路V V2構(gòu)成 脈沖放大環(huán)節(jié) 。脈沖變壓器 TM和附屬電路構(gòu)成 脈沖輸出環(huán)節(jié) 。圖 127 常見的晶閘管觸發(fā)電路常見的晶閘管觸發(fā)電路2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU全控型器件的驅(qū)動電路 (1) GTOGTO的 開通控制 與普通晶閘管相似。GTO關(guān)斷控制 需施加負(fù)門極電流。GTO驅(qū)動電路通常包括開通驅(qū)動電路 、 關(guān)斷驅(qū)動電路 和 門極反偏電路三部分。 圖 128　推薦的 GTO門極電壓電流波形O ttOuGiG電流驅(qū)動型器件的驅(qū)動電路正的門極電流5V的負(fù)偏壓2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU全控型器件的驅(qū)動電路圖 129 典型的直接耦合式 GTO驅(qū)動電路15v+15v2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU全控型器件的驅(qū)動電路(2) GTR? 開通驅(qū)動電流應(yīng)使 GTR處于準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)。? 關(guān)斷時，施加一定的負(fù)基極電流，有利于減小關(guān)斷時間和關(guān)斷損耗。? 關(guān)斷后應(yīng)在基射極之間施加一定幅值（ 6V左右）的負(fù)偏壓。tOib 圖 130 理想的 GTR基極驅(qū)動電流波形2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU全控型器件的驅(qū)動電路GTR的一種驅(qū)動電路。圖 131　 GTR的一種驅(qū)動電路2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU全控型器件的驅(qū)動電路電力 MOSFET和 IGBT是電壓驅(qū)動型器件。為快速建立驅(qū)動電壓，要求驅(qū)動電路輸出電阻小。使 MOSFET開通的驅(qū)動電壓一般 1015V，使 IGBT開通的驅(qū)動電壓一般 15 20V。關(guān)斷時施加一定幅值的負(fù)驅(qū)動電壓（一般取 5 15V）有利于減小關(guān)斷時間和關(guān)斷損耗。在柵極串入一只低值電阻可以減小寄生振蕩。 電壓驅(qū)動型器件的驅(qū)動電路2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU全控型器件的驅(qū)動電路 (1) 電力 MOSFET的一種驅(qū)動電路：圖 132　電力 MOSFET的一種驅(qū)動電路2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU全控型器件的驅(qū)動電路(2) IGBT的驅(qū)動 多采用專用的混合集成驅(qū)動器。 常用的有三菱公司的 M579系列和富士公司的 EXB系列。2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU 電力電子器件器件的保護(hù) 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù) 過電流保護(hù) 緩沖電路2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù)外因過電壓：主要來自雷擊和系統(tǒng)操作過程等外因內(nèi)因過電壓：主要來自電力電子裝置器件的開關(guān)過程換相過電壓關(guān)斷過電壓過電壓 —— 外因過電壓 和 內(nèi)因過電壓2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護(hù)過電壓保護(hù)措施圖 134　過電壓抑制措施及配置位置可視具體情況只采用其中的幾種。其中 RC3和 RCD為抑制內(nèi)因過電壓的措施，屬于緩沖電路范疇。2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU 過電流保護(hù)過電流 ——過載 和 短路 兩種情況保護(hù)措施負(fù)載觸發(fā)電路開關(guān)電路過電流繼電器交流斷路器動作電流整定值短路器電流檢測電子保護(hù)電路快速熔斷器 變流器 直流快速斷路器電流互感器變壓器圖 137　過電流保護(hù)措施及配置位置2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU緩沖電路關(guān)斷緩沖電路 （ du/dt抑制電路） —— 吸收器件的關(guān)斷過電壓和換相過電壓，抑制 du/dt，減小關(guān)斷損耗。開通緩沖電路 （ di/dt抑制電路） —— 抑制器件開通時的電流過沖和 di/dt，減小器件的開通損耗。復(fù)合緩沖電路 —— 關(guān)斷緩沖電路和開通緩沖電路的結(jié)合。緩沖電路 (Snubber Circuit) ： 又稱 吸收電路 ，抑制器件的內(nèi)因過電壓、 du/dt、過電流和 di/dt，減小器件的開關(guān)損耗。2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU緩沖電路b)tuCEiCOdidt抑制電路無 時didt抑制電路有 時有緩沖電路時無緩沖電路時uCEiC2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU 晶閘管的串聯(lián)晶閘管的串聯(lián) 晶閘管的并聯(lián)晶閘管的并聯(lián) 電力電力 MOSFET和和 IGBT并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn)并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn)2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU 晶閘管的串聯(lián)問題：理想串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。靜態(tài)不均壓 ：串聯(lián)的器件流過的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等。動態(tài)不均壓 ：由于器件動態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓。目的 ： 多個器件串聯(lián)來承擔(dān)較大的電壓2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU 晶閘管的串聯(lián)靜態(tài)均壓措施 ：選用參數(shù)和特性盡量一致的器件。采用電阻均壓， Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時的正、反向電阻小得多。b)a)RCRCVT1VT2RPRPIO UUT1IRUT2VT1VT2圖 141　晶閘管的串聯(lián)a)　伏安特性差異　 b)　串聯(lián)均壓措施動態(tài)均壓措施 ：選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件。用 RC并聯(lián)支路作動態(tài)均壓。采用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)可以顯著減小器件開通時間的差異。2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU晶閘管的并聯(lián)目的 ：多個器件并聯(lián)來承擔(dān)較大的電流問題 ：因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻。均流措施 ：挑選特性參數(shù)盡量一致的器件。采用均流電抗器。用門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流。2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU MOSFET和 IGBT并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn)電力 MOSFET并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn)Ron具有正溫度系數(shù)，并聯(lián)時電流自動均衡。在源極電路中串入小電感 ,起到均流電抗器的作用。IGBT并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn)在 1/2或 1/3額定電流以下的區(qū)段，通態(tài)壓降具有 負(fù) 溫度系數(shù)。在以上的區(qū)段則具有 正 溫度系數(shù)，并聯(lián)時電流自動均衡。2023/3/1星期一電氣工程學(xué)院Electrical Engineering Institute of NEDU謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAI