建筑材料之晶體材料的結(jié)構(gòu)-資料下載頁
2024-12-30 19:25本頁面
【正文】 錯處可造成刃位錯的攀移，間隙原子和異類原子的存在會增加位錯的運(yùn)動阻力。會使強(qiáng)度提高，塑性下降、 線缺陷 — 位錯 ●位錯是晶體中若干列原子發(fā)生有規(guī)律 錯排 的現(xiàn)象，常見的一種為刃位錯 ——出現(xiàn)半原子面 而形成的位錯。 ●刃邊附近的原子都偏離平衡位置，形成一個 晶格畸變的管道 ，這就是位錯線，如圖中 EF 線。 ●金屬材料內(nèi)部的位錯受力時會運(yùn)動，附近產(chǎn)生應(yīng)力場，位錯之間會發(fā)生復(fù)雜的交互作用，對金屬的力學(xué)性能會有重大的影響。 位錯矢量 (柏氏矢量 Burgers vector)： 位錯矢量的確定方法： 1. 在完整晶體中作一封閉回路； 2. 在包含位錯的區(qū)域作一相應(yīng)的作一回路，由于位錯的存在，曲線無法閉合； 3. 終點(diǎn)到起點(diǎn)連線（含方向）即為柏氏矢量。 4. 刃位錯的柏氏矢量與位錯線垂直。 螺型位錯： 混合型位錯： 位錯的密度 ： 位錯密度 ρ 是描述晶體中位錯的數(shù)量， 用單位體積位錯線的總長度表示。在金屬材料中，退火狀態(tài)下，按一般平衡狀態(tài)所得到的材料，位錯的密度常在 106的數(shù)量級；經(jīng)過較大的冷塑性變形，位錯的密度可達(dá) 101012的數(shù)量級。但和整個晶體相比還是非常少，所以位錯的存在不會影響材料為晶體的基本特性。 位錯對材料性能的影響 1) 位錯線附近的晶格有相應(yīng)的畸變，有高于理想晶體的能量； 2) 位錯線附近異類原子濃度高于平均水平； 3) 位錯在晶體中可以發(fā)生移動，即可動，性是材料塑性變形基本方式之一； 4) 位錯與異類原子的作用，位錯之間的相互作用，對材料的力學(xué)性能有明顯的影響。 詳細(xì)內(nèi)容到塑性變形一章再論述。 面缺陷 ⑴晶界： 晶界處的原子皆偏離平衡位置，形成晶格畸變。 ⑵亞晶界： 晶粒內(nèi)存在著位向差很小的微小區(qū)域，稱為亞晶粒。亞晶界附近也產(chǎn)生晶格畸變。 晶格畸變會使晶體的力學(xué)、物理化學(xué)性能發(fā)生重要變化。 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT
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