工程材料學(xué)之晶體材料的結(jié)構(gòu)-資料下載頁
2024-12-29 14:54本頁面
【正文】 ） 在 111方向上的強(qiáng)度遠(yuǎn)大于在 100方向上的強(qiáng)度多晶體是各向同性： 多晶體材料中，盡管每個晶粒內(nèi)部象單晶體那樣呈現(xiàn)各向異性，每個晶粒在空間取向是隨機(jī)分布，大量晶粒的綜合作用，整個材料宏觀上不出現(xiàn)各向異性。 二、晶體中的缺陷晶體缺陷： 正常晶體中原子排列受到破壞 —— 缺陷。 正常晶體中原子完全呈現(xiàn)周期性的重復(fù)的排列（ 平移對稱性 ）。 實(shí)際晶體中的原子排列不是理想的，不具有完全的平移對稱性，而是存在一些偏離了理想原子排列的區(qū)域， 這些區(qū)域即構(gòu)成缺陷。 缺陷會引起材料性能的巨大變化，如：理想完整晶體的強(qiáng)度通常是實(shí)際晶體的數(shù)十倍，甚至數(shù)百倍。晶體缺陷的類型：?點(diǎn)缺陷?線缺陷?面缺陷點(diǎn)缺陷點(diǎn)缺陷： 在三維空間各方向上尺寸都很小，是原子尺寸大小的晶體缺陷。 點(diǎn)缺陷的類型 ：1) 空位 在晶格結(jié)點(diǎn)位置應(yīng)有原子的地方空缺，這種缺陷稱為 “ 空位 ”。 2) 間隙原子 在晶格非結(jié)點(diǎn)位置，往往是晶格的間隙，出現(xiàn)了多余的原子。它們 可能是同類原子 ， 也可能是異類原子 。 3) 異類原子 在一種類型的原子組成的晶格中， 不同種類 的原子占據(jù)原有的原子位置。 線缺陷線缺陷： 在三維空間的一個方向上的尺寸很大 (晶粒數(shù)量級 )，另外兩個方向上的尺寸很小 (原子尺寸大小 )的晶體缺陷。其具體形式就是晶體中的 位錯 （ Dislocation）位錯的形式 ： 刃型位錯 螺型位錯 混合型位錯刃型位錯 螺型位錯位錯的產(chǎn)生： 在正常原子排列的晶體中，某一部分多了一層或少了一層原子面實(shí)際晶體材料中都存在位錯，而且位錯對材料性能影響很大，如：理想晶體 Feσb≈5600Mpa實(shí)際晶體 Feσb≈1300Mpa1) 位錯線附近的晶格有相應(yīng)的畸變 ，有高于理想晶體的能量；2) 位錯線附近 異類原子濃度高于平均水平 ；3) 位錯在晶體中可以發(fā)生移動 ，是材料塑性變形基本原因之一；4) 位錯與異類原子的作用 ，位錯之間的相互作用，對材料的力學(xué)性能有明顯的影響。 位錯特點(diǎn)面缺陷面缺陷： 在三維空間的兩個方向上的尺寸很大 (晶粒數(shù)量級 )，另外一個方向上的尺寸很小 (原子尺寸大小 )的晶體缺陷。面缺陷的形式 ：晶界面 亞晶界面 相界面晶格像的實(shí)例晶格像的實(shí)例 Si中中 (111)面的晶格像面的晶格像StackingFaultSmallanglegrainboundaryNanostackingfault謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT
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