干膜光致抗蝕劑的技術(shù)條件-資料下載頁
2025-08-22 20:54本頁面
【正文】 和耐電鍍性 技術(shù)要求規(guī)定，光聚合后的干膜抗蝕層，應(yīng)能耐三氯化鐵蝕刻液、過硫酸銨蝕刻液、酸性氯 化銅蝕刻液、硫酸——過氧化氫蝕刻液的蝕刻。在上述蝕刻液中，當溫度為50一55℃時，干膜 表面應(yīng)無發(fā)毛、滲漏、起翹和脫落現(xiàn)象。在酸性光亮鍍銅、氟硼酸鹽普通錫鉛合金、氟硼酸鹽光亮鍍錫鉛合金以及上述電鍍的各種 鍍前處理溶液中，聚合后的于膜抗蝕層應(yīng)無表面發(fā)毛、滲鍍、起翹和脫落現(xiàn)象。 ◎去膜性能 曝光后的干膜，經(jīng)蝕刻和電鍍之后，可以在強堿溶液中去除，一般采用3—5％的氫氧化 鈉溶液，加溫至60℃左右，以機械噴淋或浸泡方式去除，去膜速度越快越有利于提高生產(chǎn)效 率。去膜形式最好是呈片狀剝離，剝離下來的碎片通過過濾網(wǎng)除去，這樣既有利于去膜溶液的 使用壽命，也可以減少對噴咀的堵塞。 技術(shù)要求規(guī)定，在3—5％(重量比)的氫氧化鈉溶液中，液溫60土10℃，一級指標為去膜 時間30—75秒，二級指標為去膜時間60一150秒，去膜后無殘膠。◎ 儲存期 干膜在儲存過程中可能由于溶劑的揮發(fā)而變脆，也可能由于環(huán)境溫度的影響而產(chǎn)生熱聚 合，或因抗蝕劑產(chǎn)生局部流動而造成厚度不均勻(即所謂冷流)，這些都嚴重影響干膜的使用。 因此在良好的環(huán)境里儲存干膜是十分重要的。技術(shù)要求規(guī)定，干膜應(yīng)儲存在陰涼而潔凈的 室內(nèi)，防止與化學藥品和放射性物質(zhì)一起存放。儲存條件為：黃光區(qū)，溫度低于27℃(5—21℃ 為最佳)，相對濕度50％左右。儲存期從出廠之日算起不小于六個月，超過儲存期按技術(shù)要求 檢驗合格者仍可使用。在儲存和運輸過程中應(yīng)避免受潮、受熱、受機械損傷和受日光直接照射。◎其它性能 在生產(chǎn)操作過程中為避免漏曝光和重曝光，干膜在曝光前后顏色應(yīng)有明顯的變化，這就是 干膜的變色性能。當使用于膜作為掩孔蝕刻時，要求干膜具有足夠的柔韌性，以能夠承受顯影過程、蝕刻過 程液體壓力的沖擊而不破裂，這就是干膜的掩蔽性能。
化學相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1