薄膜生長第04章-資料下載頁
2025-08-16 00:50本頁面
【正文】 。 這些結構屬于增原子模型 ，增原子有 T4和 H3兩種位置 ， 如圖 。 Ge(111) 4.2.4 Ge(111) Ge(001) GeSi(111) GaAs(110) GaAs(001) GaAs(111) 金屬再構表面結構 一 、 Au,Pt,Ir的 (110)－ (1 2)再構 二 、 Au(111) 三 、 Au,Pt的 (100) 四 、 Au在 Ni(110) 吸附表面結構 物理吸附和化學吸附 一 、 襯底和增原子之間的兩種吸附：物理吸附和化學吸附 。 物理吸附時襯底和增原子之間沒有電荷轉移 ， 兩者之間的吸引力是 Van der Waals 力和 /或靜電力 。 它存在于任何分子之間 。 物理吸附時沒有勢壘 ， 不需要熱激活 。 物理吸附和化學吸附 物理吸附一層分子后還可以通過Van der Waals 力繼續(xù)吸附 ， 因此物理吸附一般是多層的 。 化學吸附時襯底原子和增原子之間有電荷轉移 ， 二者之間發(fā)生了化學結合 ，二者之間的力由化學鍵的性質決定 。 化學吸附一層分子后不能繼續(xù)形成化學鍵 ，因此化學吸附一般是單層的 。 物理吸附和化學吸附 一般來說物理吸附能小于化學吸附能 。 相應地化學吸附時分子離表面的距離比物理吸附時小 。 化學吸附時有勢壘 ，需要熱激活 ， 因此化學吸附速度較慢 ，而物理吸附速度較快 。 化學鍵的形成有選擇性 ， 因此化學吸附只能在一定元素之間進行 ， 而物理吸附則沒有選擇性 。 物理吸附和化學吸附 二 、 物理吸附中的作用勢 1. LennardJones勢： Van der Waals 吸引勢＋電子云重疊引起的量子力學性質的排斥勢能 2. 靜電感應勢 ：許多薄膜實驗的襯底是離子晶體 ， 即使沉積粒子是非極性的 ， 這些沉積原子會受到襯底離子電場的作用感應出電偶極距或四極距 ， 電偶極和所有離子之間的互作用勢加起來就可以得到吸附能 。 Si吸附表面 氣體 /Si吸附表面： Si(111)－ (7 7)吸附約 1單原子層 (ML)H后產生 H覆蓋的(1 1)結構 ， 超過 750℃ ， H脫附顯著 ，又出現 (7 7)結構 。 經 HF腐蝕的 Si(111)也顯示為 (1 1)結構 。 在 STM中用 2～ 10eV電子脈沖使部分 H脫附后 ， 出現百分之幾的 (2 1)結構 。 Si吸附表面 O在 Si(111)－ (7 7)結構上有兩種反應態(tài) ， 表現為 STM上較高和較低的增原子 ， 兩種反應原子均集中在 (7 7)晶胞的層錯部位 。 表面相變 從前面介紹知道 ， 結構一定的再構表面是存在于一定的溫度范圍內的 ，超出這個溫度范圍 ， 再構表面將轉化成另一種再構表面或無再構的表面 ， 這就是表面相變 。 最著名的再構表面相變是Si(111)－ (7 7)的相變 。 表面相變 Si(111)－ (7 7)到 (1 1)的相變發(fā)生在 875℃ ， 反射電子顯微術 (REM)研究得出 ， 降溫時 (1 1)到 (7 7)的相變從臺階上邊緣開始成核 ， 沿臺面向里發(fā)展 。低能電子顯微術 (LEEM)觀察到高溫下淬火的樣品中存在 (7 7)三角形 ． 高溫STM測定的相變溫度為 868℃ 。
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