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2025-08-01 14:41本頁面
【正文】 程中孔底的 Al3+由于濃度差的原因不斷向外擴散也是微孔可以不斷加深的主要動力。 ? 膜層的增長在 Al2O3溶解速度與 Al2O3生成速度平衡時達到動態(tài)平衡。 ? 、陽極氧化膜的組成及形貌。（略） 、硫酸陽極氧化的工藝 ? 硫酸陽極氧化的工藝配方及作業(yè)條件： ? 工藝參數(shù) 一般使用條件 最佳使用條件 20~50min 游離硫酸 g/l 150~200 160~180 150~160 鋁離子 g/l 5~20 1~5 5~15 溫度 ℃ 15~23 19~21 17~19 電流密度 A/dm2 ~ ~ ~ 時 間 視膜厚，粗略為 1um/2min 25~30min 55~65min 陽極氧化工藝參數(shù)的影響 ? 陽極氧化工藝參數(shù)的影響 ? 1） H2SO4濃度。改變 H2SO4濃度對氧化膜的阻擋層厚度，溶 液的導(dǎo)電性、氧化膜的耐蝕性和耐磨性以及后處理的封孔質(zhì)量都將產(chǎn)生一定的影響。 H2SO4濃度 阻擋層厚度 維持電壓 耐蝕、耐磨性 氣化膜質(zhì)量 膜層發(fā)灰，疏松，膜孔外層孔徑大，封孔困難 ? 2）槽液溫度 ? 陽極氧化過程中，部分電能會轉(zhuǎn)化為熱能，槽液溫度會不斷上升，而隨著溫度的上升，膜層損失會增加而且成膜質(zhì)量變差，膜耐磨性下降，尤其對 15um以上膜層，甚至在空氣中就會出現(xiàn) “ 粉化 ”現(xiàn)象，因此過程中需要對槽液降溫，以維持適宜的溫度。 一般來說： ① 槽溫在一定范圍內(nèi)提高，獲得氧化膜重量減小，膜變軟但較光亮。 ② 槽液溫度高，生成的氧化膜外層膜孔徑和度變大，造成封孔困難，也易產(chǎn)生封孔“粉霜”。 ③ 槽溫較高時，氧化膜易染色。但對于保持顏色深淺一致時較難，所以一般染色膜的氧化溫度為 20~25℃ ④ 降低溫度，得到的氧化膜硬度高，耐磨性好，在氧化過程中維持電流密度所需電壓較高，能耗大，所以一般普通氧化選擇18~22℃ ? 3）氧化電壓 ? 陽極氧化電壓決定氧化膜的孔徑大小，低壓生成的膜孔徑小，孔數(shù)多，而高壓生成的膜孔徑大，孔數(shù)小，一定范圍內(nèi)高壓有利于生成致密，均勻的膜。 ? 4）電流密度 ? 電流密度大，成膜快，生產(chǎn)效率高，但過高則易燒傷工件。一般電流密度控制在 ~① 電流密度低，生產(chǎn)效率低，但處理面光亮（約 1A/dm2） ② 電流密度高，成膜快，但易產(chǎn)生軟膜，甚至燒傷 ③ 如果冷凍能力足夠，攪拌良好，則采用較大電流氧化，有利于提 高膜的耐磨性。 ? 5）攪拌 ? 足夠的攪拌可保持槽液溫度的均勻和恒定，對于控制膜厚，膜層質(zhì)量，著色均勻性均有好處。 ? 6）鋁離子和其它雜質(zhì)的影響 ① 鋁離子。 Al3+離子含量升高會使電流密度下降。鋁含量較高會使染色困難，而一定的鋁含量對氧化膜厚度，耐蝕性，耐磨性有很大好處。一般來說鋁含量1~10g/L會產(chǎn)生有利影響，超過 10g/L造成不利影響。我國大多廠家選擇控制為 12~18g/L ② 其他陽離子雜質(zhì) a. 鐵含量超過 25~50mg/g時會導(dǎo)致光亮度下降，膜層松軟等。 b. 銅、鎳總量超過 100mg/g時，將使氧化膜原有的耐蝕性降低，易產(chǎn)生鹽霧試驗不合格。
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