【正文】 本芯片制造技術已經(jīng)逐漸成熟，完成了實驗室小試、中試，工業(yè)化試生產(chǎn)，以及小批量供應國內外用戶使用得到好評。正在進行專利申請，制定產(chǎn)品的企業(yè)標準，并進行項目鑒定。三、應用范圍光電探測器是將光信號轉換為電信號的主要器件，廣泛應用在光纖通信網(wǎng)絡的光交換機、光接收端機、中繼站，移動通信網(wǎng)絡的光直放站，計算機網(wǎng)絡中的光纖收發(fā)器、光纖網(wǎng)卡、光交換機、光集線器，有線電視網(wǎng)絡的光接收機、光工作站、中繼站等設備中和半導體激光器穩(wěn)定驅動電路中?？傊?，只要有光和光纖的地方就需要有光電探測器。四、投產(chǎn)條件和預期經(jīng)濟效益投產(chǎn)條件：作伙伴最好是半導體器件廠家，已經(jīng)具有平面工藝生產(chǎn)線設備。投產(chǎn)資金：600～1000萬元（含設備和流動資金，不含土建）。預期經(jīng)濟效益：成本預算：國產(chǎn)2英寸InGaAs/InP 外延片約 6000元/片，進口約8000～12000元/片。芯片工藝成本約1000元/片。芯片產(chǎn)值預計：每個外延片約有8100個管芯，按成品率75%計算，可產(chǎn)管芯6000只。以最常見的光敏直徑75微米芯片為例。一片2英寸外延片可獲產(chǎn)值約7萬元，利潤約4～5萬元。按設備能力每天至少可生產(chǎn)一片，如果有定單可在2年內回收投資。五、合作方式技術轉讓或合作開發(fā)聯(lián)系地址：廈門大學物理與機電工程學院聯(lián) 系 人：陳 朝 聯(lián)系電話：05922182458(O)。2180940(H)E mail ：cchen@超高亮度GaN基LED芯片的制備一、項目簡介半導體LED（發(fā)光二極管）具有發(fā)光效率高、多色、節(jié)能、壽命長、響應快、體積小、全固化、冷光源（不發(fā)熱）、綠色環(huán)保（無污染）、驅動容易等許多優(yōu)點，廣泛應用于各種信號和圖像的顯示。近年來國際上在GaN基材料上取得突破進展，研制出高效率的藍色和白色高亮度LED，不但能實現(xiàn)大屏幕全彩色顯示，而且有可能取代目前的白熾燈、熒光燈等用于照明工程，從而徹底改變目前人類的生活。當前國內藍色、白色LED芯片主要還是依靠進口，在國內封裝。國內能生產(chǎn)芯片的廠家不多，而且芯片的發(fā)光效率、發(fā)光功率、正向工作電壓、抗靜電感應能力、工作壽命等性能方面和國外還有一定的差距，具有自主知識產(chǎn)權的技術也不多。所以，研發(fā)生產(chǎn)具有自主知識產(chǎn)權的超高亮度GaN基LED芯片是適應當前的LED形勢，具有很大的發(fā)展前景和良好的經(jīng)濟效益。二、技術特色和技術成熟程度目前GaN基材料的P型有效摻雜濃度太低和良好的P型歐姆接觸制備困難，它將降低PN結的注入比、降低發(fā)光效率、增加器件正向工作電壓、使器件發(fā)熱、性能變差，成為約束GaN基材料和器件發(fā)展技術瓶頸。我們提出激光誘導下P型GaN有效摻雜和P型歐姆接觸制備的方法，104Ωcm2的良好效果，已達國際水平，是目前國內所報道的最好結果。已申請了“激光誘導下氮化鎵P型有效摻雜制備方法”（申請?zhí)枺?，公開號：CN1554576A）和“激光誘導下氮化鎵P型歐姆接觸的制備方法”（申請?zhí)枺?，公開號：CN1554575A）兩項發(fā)明專利。該技術和傳統(tǒng)的芯片制備工藝完全兼容，僅增加濺射和激光誘導兩道工序。采用該技術后，GaN 藍色（或白色）LED的性能將得到大大改善：，發(fā)光效率和發(fā)光功率都將得到提高。三、應用范圍半導體LED（發(fā)光二極管）芯片生產(chǎn)。四、預期經(jīng)濟效益目前2英寸直徑的GaN基延片單價$300美元，每個芯片面積約380x380微米，芯片成品率約80％，每片外延片可制備LED芯片 約1萬只。將一片外延片加工為芯片的費用約￥1000元。每個芯片的價格約（￥~）。具體效益主要由定單決定。五、合作方式技術轉讓或技術入股合作研發(fā), 總經(jīng)費投入約1000萬元人民幣（含技術轉讓費）。聯(lián)系地址：廈門大學物理與機電工程學院聯(lián) 系 人：陳 朝，劉寶林聯(lián)系電話：05922180940(H), 05922182458(O)，0592－2188277（O）；Fax：05922189426(O)E mail ：cchen@， blliu@ 環(huán)保型半導體溫差電源及其應用一、項目特點和技術指標溫差發(fā)電是利用半導體熱電轉換材料將熱能轉化為電能的全靜態(tài)直接發(fā)電方式。本成果是一種符合環(huán)保的綠色能源技術，具有設備結構緊湊、性能可靠、運行時無噪聲、無磨損、無泄漏、移動靈活等優(yōu)點。當前我國電力資源還比較緊張，我們生活的周圍常存在太陽輻射熱、汽車尾氣、工業(yè)余熱、地熱等。本技術提供一種基于半導體溫差發(fā)電模塊的環(huán)保電源系統(tǒng)。采用直接加熱如煤灶等能直接帶動節(jié)能燈、低功耗電視等負載；也可解決野外旅游時像手機、筆記本電腦、MP3播放器、PDA、掌上游戲機、數(shù)碼攝像機等便攜式設備的電池充電?；跓崴陌雽w溫差電源結合高效能高亮度的LED燈。該裝置還可推廣至日益普及的小區(qū)熱水、暖氣供應系統(tǒng)及太陽能熱水器，結合電源控制系統(tǒng)可組裝成一個溫差發(fā)電系統(tǒng)，為小區(qū)用戶提供清潔持久電能。技術特點：根據(jù)各種半導體溫差發(fā)電模塊工作溫度特性和用戶特定的使用環(huán)境，模塊熱端采熱采用三種方式：（溫度約250176。C）；（溫度低于100176。C）；（溫度約150176。C），可輸出穩(wěn)定的12 V直流電。產(chǎn)品的主要技術指標：本技術提供一種適合熱源條件較廣的溫差電源系統(tǒng)。類 別項 目指 標直接加熱開路電壓（單個模塊） V短路電流（單個模塊）650 mA熱水導熱開路電壓（單個模塊） V短路電流（單個模塊）320 mA太陽能集熱開路電壓（單管帶兩個模塊） V短路電流（單管帶兩個模塊）480 mA三、技術成熟程度該技術主要依據(jù)本課題組申報的兩項實用新型專利發(fā)展而成，已基本成形。四、應用范圍特別適合遠離電網(wǎng)、單獨架設電力線成本較高或應急用電的小功率用電體系。如夜景工程、廣告裝潢、道路交通指示系統(tǒng)、野外旅游用電、邊遠和孤島供電、家庭應急照明等。五、投產(chǎn)條件和預期經(jīng)濟效益主要的設備及手段：基本電子生產(chǎn)設備。效益分析：屬于高科技產(chǎn)品，可穩(wěn)定性長期運行，因此具有較高的性價比和利潤空間。六、合作方式技術轉讓或聯(lián)合開發(fā)聯(lián)系地址：廈門大學物理與機電工程學院聯(lián) 系 人：陳 忠 聯(lián)系電話：05922181712(辦)E mail ：chenz@全光纖磁光開關制造一、項目特點和技術指標近年來，通信網(wǎng)絡的傳輸和交換容量增長非常迅速，全光網(wǎng)絡成為各國共同關注的熱點技術之一。光開關和光開關陣列是構建全光網(wǎng)絡的核心器件和決定網(wǎng)絡性能的關鍵因素，其地位和重要性日益凸現(xiàn)。全光纖磁光開關是一種將磁光材料和偏振合/分束器等主要元件制作成光纖形狀的磁光開關。其在光通信領域里的應用非常廣泛。本方法采用法拉第磁光效應，并將開關的主要元件制作成光纖型，其具有如下的技術特點和指標： 技術特點：1. 全光纖型，在國內外均未有相關研究報道，是一種全新的磁光開關方案，已申請發(fā)明專利；2. 外形尺寸細小，全光纖磁光開關尺寸相對于已有的磁光開關有較大程度的減?。?3. 納秒脈沖技術，全光纖磁光開關采用納秒脈沖技術，利用晶體管的雪崩特性為高速磁場提供納秒控制電流脈沖；4. 高速磁場及其控制，全光纖磁光開關采用高速磁場及其控制技術，具有速度快、磁滯小和耗能少等優(yōu)點；5. 驅動電壓低，光纖可以卷曲成光纖圈，磁場利用率相對提高，所需驅動電壓低、耗能低、發(fā)熱量小、溫度穩(wěn)定性相對提高；6. 可集成可擴展，全光纖磁光開關結構纖細，可以大規(guī)模集成為高密度的磁光開關三維陣列。產(chǎn)品的主要技術指標：：~ dB：~1 ms：30~50 dB：1530~1560 nm：5~12 V二、技術成熟程度已經(jīng)獲得三項國家發(fā)明專利。三、應用領域及市場前景光開關作為一種光元器件，可以集成到各種不同的光網(wǎng)元中，例如光網(wǎng)絡自動保護倒換裝置、光網(wǎng)絡監(jiān)視系統(tǒng)、光通信器件測試系統(tǒng)、光分插/分復用系統(tǒng)（OADM）、光交叉連接器（OXC）、光纖傳感器系統(tǒng)和光纖測試系統(tǒng)等。因此其市場前景非常廣泛。四、投產(chǎn)條件和預期經(jīng)濟效益投產(chǎn)條件：小型生產(chǎn)規(guī)模，需廠房100~200 m2，投產(chǎn)啟動資金150萬，包括設備的購買資金和技術轉讓費。預期經(jīng)濟效益：該項目完成后，可年生產(chǎn)全光纖磁光開關1000臺。其制作成本大約為4500元，售價在5800元以上，預計五年內可收回投資成本。五、合作方式技術轉讓或聯(lián)合開發(fā)聯(lián)系地址：廈門大學物理與機電工程學院聯(lián) 系 人：翁梓華 聯(lián)系電話：05928622841, 2181164E mail ：xmuxmuxmu@LED投影式電視一、項目特點和技術指標目前占市場主流地位的CRT彩色電視經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展后，其在能耗、輻射、圖像還原精確性和體積重量存在一定的缺點而逐漸為新一代平板電視主要是LCD（液晶）和PDL（等離子）彩色電視所替代。LCD和PDL為主流的平板電視雖存有零輻射，低耗能，散熱小、纖薄輕巧、精確還原圖像，顯示字符銳利、屏幕調節(jié)方便等優(yōu)點，但其響應時間、亮度和對比度、可視角度、高價格等方面的因素也阻礙了其進一步的發(fā)展?；趥鹘y(tǒng)的CRT和目前市場以LCD和PDL為主導的新型平板電視各自優(yōu)缺點，經(jīng)過數(shù)年關注和研究電子顯示領域的發(fā)展動向，我們力圖提出一種以LED（發(fā)光二極管）新技術主導的彩色投影電視，不僅綜合了CRT和平板電視的各自的優(yōu)勢，而且價格更平易近人，具有一定的市場潛力。本項目主要是使用RGB三基色LED作為發(fā)光源，并通過外部色彩轉換控制電路和高速掃描機構來投影成像。技術成熟，性能穩(wěn)定。技術特點：1. 采用超高亮度的RGB三基色的LED作為發(fā)光源2. 自行設計新型的RGB三基色LED光源系統(tǒng)3. 采用自行設計高速掃描機構投影成像的方案產(chǎn)品的主要技術指標：（1）標準光亮度（流明）：2500（2）對比度 3000：1（3）分辨率 1024768（4）投影方式：正投或吊投（5）最小/最大投影距離：2~6米二、技術成熟程度本項目的各個部分已通過初步的可靠性認證，并在著手產(chǎn)品試制過程中。三、應用領域及市場前景本項目產(chǎn)品屬于家用電器范疇，主要應用于家庭娛樂方面，也可以用作為商業(yè)用途。四、投產(chǎn)條件和預期經(jīng)濟效益投產(chǎn)條件：該項目屬中小型生產(chǎn)規(guī)模，生產(chǎn)車間約100~200m2，投產(chǎn)需要啟動資金150萬元，包括相關設備以及技術轉讓費。成本及利潤評估：電視機在全球正處于產(chǎn)品更新?lián)Q代時期，市場需求相當大。每臺產(chǎn)品在扣除相關成本后可獲利千元。形成生產(chǎn)能力后，可同時開發(fā)國內和國際市場，預計5~8年可收回全部投資。五、合作方式技術轉讓或聯(lián)合開發(fā)聯(lián)系地址：廈門大學物理與機電工程學院聯(lián) 系 人：翁梓華聯(lián)系電話：05928622841, 2181164E mail ：xmuxmuxmu@GaN基高亮度藍光發(fā)光二極管（LED）外延一、項目特點和技術指標GaN基高亮度藍色LED在白光照明、LCD背光模塊、汽車用燈、全彩顯示屏、交通號等方面有廣泛應用。尤其在白光照明方面，世界上掌握GaN基LED技術的新興半導體企業(yè)紛紛和老牌燈泡制造商連手，搶占這未來的市場。目前在標準工作電流下，標準的GaN基藍色LED芯片的發(fā)光功率約為4mW，許多廠商從提高外量子效率入手來提高出光功率。本技術從降低外延片中缺陷密度、提高p型層質量入手來提高內量子效率。如果加上其它提高外量子效率的手段，可大幅度提高LED產(chǎn)品的檔次，提高經(jīng)濟效益。進一步提高該技術、完成向產(chǎn)業(yè)的轉移需要一定的資金投入。二、技術成熟程度已可以小批量生產(chǎn)三、應用范圍GaN基高亮度藍色LED在白光照明、LCD背光模塊、汽車用燈、全彩顯示屏、交通號等方面有廣泛應用。四、投產(chǎn)條件和預期經(jīng)濟效益100萬至500萬元之間五、合作方式合作開發(fā)，技術轉讓聯(lián)系地址：廈門大學物理與機電工程學院聯(lián) 系 人：康俊勇聯(lián)系電話：05922033025E mail ：jykang@Si基MEMS紅外光源制造技術一、項目特點和技術指標Si基MEMS紅外光源具有很多優(yōu)點：①光源具有體積小、能耗低和壽命長的特點。根據(jù)不同的使用目的和要求可封裝成標準的單個和陣列器件，即插即用，方便可靠；②光源可在連續(xù)工作模式和脈沖模式下工作，高調制特性可實現(xiàn)編碼調制的隱蔽工作方式，因此在軍事目標敵我識別上有較大應用前景；③光源可實現(xiàn)低成本大批量的制造。使用了特殊的晶片以簡化紅外光源的光學襯底的生長工藝, 可與現(xiàn)有的COMS工藝相兼容，生產(chǎn)成本低，提高了產(chǎn)業(yè)化的可能；④該光源通過技術擴展可實現(xiàn)窄帶發(fā)射和波長可調諧的特點，可用來實現(xiàn)特種氣體探測芯片的制造；⑤綠色、環(huán)保、無污染光源。芯片體積3mm3mm功耗500～2000mW光譜范圍1～20mm發(fā)射率近于黑體的輻射能量效率～20 %表面溫度最高850176。C調制速度50%調制深度可達50Hz壽命600176。C時不低于5年二、技術成熟程度我們從2006年就開始Si基MEMS紅外光源的制備研究，現(xiàn)正在申請Si基MEMS紅外光源制備方法和相關的4項中國發(fā)明專利。目前Si基MEMS紅外光源的制備工藝已很成熟，已進行了多次中試試驗，性能達到或優(yōu)于國外同類產(chǎn)品的技術指標。使用Al電極，器件最高溫度可以達到850176。C，在600176。C時壽命不低于5年，可靠性測試表明器件滿足使用要求。三、應用范圍可用于大氣環(huán)境監(jiān)測（有毒氣體、爆炸氣體、汽車尾氣等）、工礦企業(yè)生產(chǎn)安全、食品和藥品生產(chǎn)安全、分光光度計、防盜報警、紅外照明和顯示、目標識別和跟蹤、無人值守傳感網(wǎng)絡等。四、投產(chǎn)條件與預期經(jīng)濟效益Si基MEMS紅外光源的制備與傳統(tǒng)的半導體微加工制備工藝完全兼容。在超凈（100級、1000級和萬級）的環(huán)境條件下，需要LPCVD或PECVD薄膜生長設備、紫