模擬電子技術(shù)部分-資料下載頁
2025-07-14 00:28本頁面
【正文】 f(UBE)│U CE=常量（2）輸出特性 IC = f(UCE)│IB=常量 ①載止區(qū)：對應(yīng)IB＝0以下的區(qū)域 IC＝ICE0＝0,UBE＜0；可靠截止c、e結(jié)均處于反偏 ②放大區(qū)：UBE＞0、UBC＜0，IC受IB控制（e結(jié)正偏、c結(jié)反偏）③飽和區(qū)：UCE＝UBE（UCB＝0），IC不受IB控制，UCES＝（c結(jié)、e結(jié)均為正偏） 主要參數(shù)(1)特性參數(shù)①電流放大系數(shù)，②集－基極反向截止電流ICB0③集－射極反向截止電流ICE0(2)極限參數(shù)①集電極最大允許電流ICM②集－射極向擊穿電壓U(BR)CEO③集電極最大允許耗散功率PCM216。 例題討論：178。 有兩只晶體管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它參數(shù)大致相同。你認為應(yīng)選用哪只管子？為什么？ 解：選用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β適中、ICEO較小，因而溫度穩(wěn)定性較另一只管子好。178。 已知兩只晶體管的電流放大系數(shù)β分別為50和100，現(xiàn)測得放大電路中這兩只管子兩個電極的電流如圖所示。分別求另一電極的電流，標出其實際方向，并在圓圈中畫出管子。 解：答案如解圖所示： 178。 測得放大電路中六只晶體管的直流電位如圖所示。在圓圈中畫出管子，并分別說明它們是硅管還是鍺管。 解：晶體管三個極分別為上、中、下管腳，答案如下表所示：管號T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe9 /
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