at89c51單片機(jī)溫度控制系統(tǒng)-資料下載頁
2025-07-07 11:39本頁面
【正文】 壓參數(shù)值大小，可確定工作電壓大小。如采用TTL或CMOS等邏輯電平控制時(shí)，最好采用有足夠帶載能力的低電平驅(qū)動(dòng)，并盡可能使“0” V。如在噪聲很強(qiáng)的環(huán)境下工作，不能選用通、斷電壓值相差小的產(chǎn)品，必需選用通、斷電壓值相差大的產(chǎn)品，(如選接通電壓為8 V或12 V的產(chǎn)品)這樣不會(huì)因噪聲干擾而造成控制失靈 。我們在這選擇12V的繼電器作為我們使用的器件。使用的具體元件參數(shù)如下表。第五章 溫度控制的軟件設(shè)計(jì) 數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示“0”時(shí)，那么這個(gè)數(shù)碼管被選中，這時(shí)此數(shù)碼管的哪段為”1“則哪段就被點(diǎn)亮初學(xué)者可以利用本實(shí)驗(yàn)板自帶的仿真器功能來單步執(zhí)行，來觀察數(shù)碼管的工作原理，由于I/O資源有限，一個(gè)51單片機(jī)只有32個(gè)I/O所以只能將8個(gè)數(shù)碼管以動(dòng)態(tài)掃描的方式來顯示，何為動(dòng)態(tài)掃描呢？動(dòng)態(tài)掃描的連接方式是將8個(gè)數(shù)碼管的8個(gè)段用相同的I/O來控制，即第一個(gè)數(shù)碼管的”a“”a“，動(dòng)態(tài)掃描的控制原理是：將第一個(gè)數(shù)碼管要顯示的內(nèi)容顯示出來，然后立刻將第二個(gè)數(shù)碼管的內(nèi)容顯示出來，一次把第8個(gè)數(shù)碼管的內(nèi)容顯示出來由于單片機(jī)的工作速度非常快，所以當(dāng)顯示第8個(gè)數(shù)碼管的時(shí)候第一個(gè)數(shù)碼管的內(nèi)容還沒有完全消失，這時(shí)立刻重復(fù)上面的過程，就實(shí)現(xiàn)了數(shù)碼管的。數(shù)碼關(guān)分共陽極數(shù)碼管，還有就是共陰極數(shù)碼管，我們就采用共陰來使用。單片機(jī)各個(gè)口的電壓輸出的都為高電平。共陰就通過控制陽極，即可控制LED顯示。 DS18B20初始化DS18B20的一線工作協(xié)議流程是：初始化→ROM操作指令→存儲(chǔ)器操作指令→數(shù)據(jù)傳輸。其工作時(shí)序包括初始化時(shí)序、寫時(shí)序和讀時(shí)序。故主機(jī)控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過三個(gè)步驟：每一次讀寫之前都要對DS18B20進(jìn)行復(fù)位，復(fù)位成功后發(fā)送一條ROM指令，最后發(fā)送RAM指令，這樣才能對DS18B20進(jìn)行預(yù)定的操作。復(fù)位要求主CPU將數(shù)據(jù)線下拉500微秒，然后釋放，DS18B20收到信號(hào)后等待16～60微秒左右，后發(fā)出60～240微秒的存在低脈沖，主CPU收到此信號(hào)表示復(fù)位成功。DS18B20的單線協(xié)議和命令 DS18B20有嚴(yán)格的通信協(xié)議來保證各位數(shù)據(jù)的傳輸?shù)恼_性和完整性主機(jī)操作單線器件DS18B20必須遵循下面的順序.單線總線上的所有操作均從初始化開始。初始化過程如下：主機(jī)通過拉低單線480us以上，產(chǎn)生復(fù)位脈沖，然后釋放該線，進(jìn)入Rx接收模式主機(jī)釋放總線時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)上升沿。單線期間DS18B20檢測到改上升沿后，延時(shí)1560us，通過拉低總線60240us來產(chǎn)生應(yīng)答脈沖。主機(jī)棘手到從機(jī)的應(yīng)答脈沖后，說明有單線器件在線。一旦總線主機(jī)檢測到應(yīng)答脈沖，便可以發(fā)起ROM操作命令。工有5位ROM操作命令。在成功執(zhí)行了ROM操作命令之后，才可以使用內(nèi)存操作命令。主機(jī)可以提供6種內(nèi)存操作命令。DS18B20要有嚴(yán)格的時(shí)序來保證數(shù)據(jù)的完整性。在單線DQ上，存在復(fù)位脈沖、應(yīng)答脈沖、寫“0”、寫“1”、讀“0”和讀“1”幾種信號(hào)類型。其中，出來映帶脈沖之外，均由主機(jī)產(chǎn)生。數(shù)據(jù)位的讀和寫則是通過使用讀、寫時(shí)隙實(shí)現(xiàn)的。首先來看寫時(shí)隙。當(dāng)主機(jī)將數(shù)據(jù)從高電平來至低電平時(shí)，產(chǎn)生寫時(shí)隙。有2種類型的寫時(shí)隙：寫“1”和寫“0”。所有寫時(shí)隙必須在60us以上，各個(gè)寫時(shí)隙之間必須保證最段1us的恢復(fù)時(shí)間。DS18B20在DQ線變低后的1560us的窗口對DQ線進(jìn)行采樣，如果為高電平，就寫“1”；如果為低電平就寫“0”。對于主機(jī)產(chǎn)生寫“1”時(shí)隙的情況，數(shù)據(jù)線必須先被拉低，然后釋放，在寫時(shí)隙開始后的15us，允許DQ線來至高電平。讀主機(jī)產(chǎn)生寫“0”時(shí)隙的情況，DQ線必須被拉至低電平且至少保持低電平60us。再來看讀時(shí)隙。當(dāng)主機(jī)從DS18B20讀數(shù)據(jù)時(shí)，把數(shù)據(jù)線從高電平來至低電平，產(chǎn)生讀時(shí)隙。數(shù)據(jù)線DQ必須保持低電平至少1us，來自DS18B20的輸出數(shù)據(jù)在讀時(shí)隙下降沿之后15us內(nèi)有效。因此，在此15us內(nèi)，主機(jī)必須停止將DQ引腳置低。在讀時(shí)隙結(jié)束時(shí)，DQ引腳將通過外部上拉電阻拉回來至高電平。所有的讀時(shí)隙最短必須持續(xù)60us，各個(gè)讀時(shí)隙之間必須保證延時(shí)到最段1us的恢復(fù)時(shí)間。所以的讀寫時(shí)隙至少需要60us，且每兩個(gè)獨(dú)立的時(shí)隙之間至少需要1us的恢復(fù)時(shí)間。在寫時(shí)隙中，主機(jī)將在拉低中線15us內(nèi)釋放總線，并向DS18B20寫“1”。若主機(jī)拉低總線后能保持至少60us的低電平，則向單總線期間寫“0”。DS18B20僅在主機(jī)發(fā)生讀時(shí)隙時(shí)才向主機(jī)傳輸數(shù)據(jù)，所以，當(dāng)主機(jī)向DS18B20發(fā)生讀數(shù)據(jù)命令后，必須馬上產(chǎn)生讀時(shí)隙，以便DS18B20能傳輸數(shù)據(jù)。 系統(tǒng)流程圖開始初始化啟動(dòng)18B20讀溫度計(jì)算溫度顯示溫度？≤下限？≥上限結(jié)束 謝辭 經(jīng)過幾個(gè)月的學(xué)習(xí)和試驗(yàn)，終于完成了我的畢業(yè)設(shè)計(jì)?？粗约盒燎诘某晒?，心里非常高興。在這期間遇到了很多從來都沒有遇到過的問題，但通過自己的努力和老師，同學(xué)的幫助，最后把他們一一解決了。其中在柳銘老師的精心安排和指導(dǎo)下，對題目有了較深入的理解，也嘗到了電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)的艱辛。在本次設(shè)計(jì)中我在各個(gè)環(huán)節(jié)中都做到了深入實(shí)際，動(dòng)手實(shí)踐，不僅對我們學(xué)過的理論知識(shí)進(jìn)行了一次全面的復(fù)習(xí)和鞏固，而且對電路、單片機(jī)等方面拓展了我們的知識(shí)，為將來實(shí)際工作打下了良好的基礎(chǔ)，特別是在分析問題、解決問題的方面得到了良好的鍛煉機(jī)會(huì)，受益匪淺。 由于本人水平和經(jīng)驗(yàn)有限，再設(shè)計(jì)的過程中難免存在一些不足甚至錯(cuò)誤，敬請各位老師和同學(xué)批評指正。最后，向我的指導(dǎo)老師老師表示誠摯的感謝，同時(shí)，也向幫助過我的同學(xué)們表示感謝！參考文獻(xiàn)[1] [M].北京：北京航空航天大學(xué)出版社，1998 [2] ［M］.北京：電子工業(yè)出版社，2000年8月[3] 何立民 AVR單片機(jī)原理與接口技術(shù)[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社，2002[4] 楊幫文 新型繼電器實(shí)用手冊[M].北京:[5] 何立民 單片機(jī)的Ｃ語言應(yīng)用程序設(shè)計(jì)[M].北京:北京航空航天大學(xué)出版社，1997[6] ，2009，4648，104110[7] 寧愛民 藍(lán)如波 單片機(jī)應(yīng)用技術(shù)[M] .北京理工大學(xué)出版社，[8] 李國興 單片機(jī)開發(fā)應(yīng)用技術(shù)[M] .北京大學(xué)出版社，2007.附錄成品圖：22
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