【正文】 壓參數(shù)值大小，可確定工作電壓大小。如采用TTL或CMOS等邏輯電平控制時，最好采用有足夠帶載能力的低電平驅(qū)動，并盡可能使“0” V。如在噪聲很強的環(huán)境下工作，不能選用通、斷電壓值相差小的產(chǎn)品，必需選用通、斷電壓值相差大的產(chǎn)品，(如選接通電壓為8 V或12 V的產(chǎn)品)這樣不會因噪聲干擾而造成控制失靈 。我們在這選擇12V的繼電器作為我們使用的器件。使用的具體元件參數(shù)如下表。第五章 溫度控制的軟件設(shè)計 數(shù)碼管動態(tài)顯示“0”時，那么這個數(shù)碼管被選中，這時此數(shù)碼管的哪段為”1“則哪段就被點亮初學者可以利用本實驗板自帶的仿真器功能來單步執(zhí)行，來觀察數(shù)碼管的工作原理，由于I/O資源有限，一個51單片機只有32個I/O所以只能將8個數(shù)碼管以動態(tài)掃描的方式來顯示，何為動態(tài)掃描呢？動態(tài)掃描的連接方式是將8個數(shù)碼管的8個段用相同的I/O來控制，即第一個數(shù)碼管的”a“”a“，動態(tài)掃描的控制原理是：將第一個數(shù)碼管要顯示的內(nèi)容顯示出來，然后立刻將第二個數(shù)碼管的內(nèi)容顯示出來，一次把第8個數(shù)碼管的內(nèi)容顯示出來由于單片機的工作速度非?？欤援旓@示第8個數(shù)碼管的時候第一個數(shù)碼管的內(nèi)容還沒有完全消失，這時立刻重復上面的過程，就實現(xiàn)了數(shù)碼管的。數(shù)碼關(guān)分共陽極數(shù)碼管，還有就是共陰極數(shù)碼管，我們就采用共陰來使用。單片機各個口的電壓輸出的都為高電平。共陰就通過控制陽極，即可控制LED顯示。 DS18B20初始化DS18B20的一線工作協(xié)議流程是：初始化→ROM操作指令→存儲器操作指令→數(shù)據(jù)傳輸。其工作時序包括初始化時序、寫時序和讀時序。故主機控制DS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換必須經(jīng)過三個步驟：每一次讀寫之前都要對DS18B20進行復位，復位成功后發(fā)送一條ROM指令，最后發(fā)送RAM指令，這樣才能對DS18B20進行預定的操作。復位要求主CPU將數(shù)據(jù)線下拉500微秒，然后釋放，DS18B20收到信號后等待16～60微秒左右，后發(fā)出60～240微秒的存在低脈沖，主CPU收到此信號表示復位成功。DS18B20的單線協(xié)議和命令 DS18B20有嚴格的通信協(xié)議來保證各位數(shù)據(jù)的傳輸?shù)恼_性和完整性主機操作單線器件DS18B20必須遵循下面的順序.單線總線上的所有操作均從初始化開始。初始化過程如下：主機通過拉低單線480us以上，產(chǎn)生復位脈沖，然后釋放該線，進入Rx接收模式主機釋放總線時，會產(chǎn)生一個上升沿。單線期間DS18B20檢測到改上升沿后，延時1560us，通過拉低總線60240us來產(chǎn)生應(yīng)答脈沖。主機棘手到從機的應(yīng)答脈沖后，說明有單線器件在線。一旦總線主機檢測到應(yīng)答脈沖，便可以發(fā)起ROM操作命令。工有5位ROM操作命令。在成功執(zhí)行了ROM操作命令之后，才可以使用內(nèi)存操作命令。主機可以提供6種內(nèi)存操作命令。DS18B20要有嚴格的時序來保證數(shù)據(jù)的完整性。在單線DQ上，存在復位脈沖、應(yīng)答脈沖、寫“0”、寫“1”、讀“0”和讀“1”幾種信號類型。其中，出來映帶脈沖之外，均由主機產(chǎn)生。數(shù)據(jù)位的讀和寫則是通過使用讀、寫時隙實現(xiàn)的。首先來看寫時隙。當主機將數(shù)據(jù)從高電平來至低電平時，產(chǎn)生寫時隙。有2種類型的寫時隙：寫“1”和寫“0”。所有寫時隙必須在60us以上，各個寫時隙之間必須保證最段1us的恢復時間。DS18B20在DQ線變低后的1560us的窗口對DQ線進行采樣，如果為高電平，就寫“1”；如果為低電平就寫“0”。對于主機產(chǎn)生寫“1”時隙的情況，數(shù)據(jù)線必須先被拉低，然后釋放，在寫時隙開始后的15us，允許DQ線來至高電平。讀主機產(chǎn)生寫“0”時隙的情況，DQ線必須被拉至低電平且至少保持低電平60us。再來看讀時隙。當主機從DS18B20讀數(shù)據(jù)時，把數(shù)據(jù)線從高電平來至低電平，產(chǎn)生讀時隙。數(shù)據(jù)線DQ必須保持低電平至少1us，來自DS18B20的輸出數(shù)據(jù)在讀時隙下降沿之后15us內(nèi)有效。因此，在此15us內(nèi)，主機必須停止將DQ引腳置低。在讀時隙結(jié)束時，DQ引腳將通過外部上拉電阻拉回來至高電平。所有的讀時隙最短必須持續(xù)60us，各個讀時隙之間必須保證延時到最段1us的恢復時間。所以的讀寫時隙至少需要60us，且每兩個獨立的時隙之間至少需要1us的恢復時間。在寫時隙中，主機將在拉低中線15us內(nèi)釋放總線，并向DS18B20寫“1”。若主機拉低總線后能保持至少60us的低電平，則向單總線期間寫“0”。DS18B20僅在主機發(fā)生讀時隙時才向主機傳輸數(shù)據(jù)，所以，當主機向DS18B20發(fā)生讀數(shù)據(jù)命令后，必須馬上產(chǎn)生讀時隙，以便DS18B20能傳輸數(shù)據(jù)。 系統(tǒng)流程圖開始初始化啟動18B20讀溫度計算溫度顯示溫度？≤下限？≥上限結(jié)束 謝辭 經(jīng)過幾個月的學習和試驗，終于完成了我的畢業(yè)設(shè)計?？粗约盒燎诘某晒睦锓浅８吲d。在這期間遇到了很多從來都沒有遇到過的問題，但通過自己的努力和老師，同學的幫助，最后把他們一一解決了。其中在柳銘老師的精心安排和指導下，對題目有了較深入的理解，也嘗到了電路系統(tǒng)設(shè)計的艱辛。在本次設(shè)計中我在各個環(huán)節(jié)中都做到了深入實際，動手實踐，不僅對我們學過的理論知識進行了一次全面的復習和鞏固，而且對電路、單片機等方面拓展了我們的知識，為將來實際工作打下了良好的基礎(chǔ)，特別是在分析問題、解決問題的方面得到了良好的鍛煉機會，受益匪淺。 由于本人水平和經(jīng)驗有限，再設(shè)計的過程中難免存在一些不足甚至錯誤，敬請各位老師和同學批評指正。最后，向我的指導老師老師表示誠摯的感謝，同時，也向幫助過我的同學們表示感謝！參考文獻[1] [M].北京：北京航空航天大學出版社，1998 [2] ［M］.北京：電子工業(yè)出版社，2000年8月[3] 何立民 AVR單片機原理與接口技術(shù)[M].北京:北京航空航天大學出版社，2002[4] 楊幫文 新型繼電器實用手冊[M].北京:[5] 何立民 單片機的Ｃ語言應(yīng)用程序設(shè)計[M].北京:北京航空航天大學出版社，1997[6] ，2009，4648，104110[7] 寧愛民 藍如波 單片機應(yīng)用技術(shù)[M] .北京理工大學出版社，[8] 李國興 單片機開發(fā)應(yīng)用技術(shù)[M] .北京大學出版社，2007.附錄成品圖：22