高頻單片開關芯片設計多組開關穩(wěn)壓電源-資料下載頁
2025-06-30 16:29本頁面
【正文】 節(jié)占空比D，使UO產生相反的變化，從而抵消UO的波動。上述穩(wěn)壓過程可歸納為： UO ↑→UK ↓→IF ↑→IC ↑→D ↓→UO↓→最終使UO不變。其余各路輸出未加反饋，輸出電壓均由高頻變壓器的匝數來確定。變壓器設計變壓器的設計是整個電源設計的關鍵，它的好壞直接影響電源性能。磁芯及骨架的確定由于本文選用漆包線繞制，而且EE型磁芯的價格低廉，磁損耗低且適應性強，故選擇EE22，其磁芯長度A=22mm。從廠家提供的磁芯產品手冊中可查得磁芯有效橫截面積SJ=，有效磁路長度1=，磁芯等效電感AL=／匝2，骨架寬度b=。確定最大占空比Dmax根據公式：其中，UOR=135V，直流輸入最小電壓值UImin=90V，MOSFET的漏源導通電壓UDS(ON)=10V，代入上式得：Dmax=％，接近典型值67％。Dmax隨著輸入電壓的升高而減小。計算初級線圈中的電流輸入電流的平均值IAVG為初級峰值電流IP為： 其中，KRP為初級紋波電流IR與初級峰值電流IP的比值，當電壓為寬范圍輸入時。將Dmax=％代入得，IP=。 確定初級繞組電感LP其中，損耗分配系數Z=，IP=，KRP=，PO=10W，代入得：LP≈1265μH。 確定繞組繞制方法并計算各繞組的匝數初級繞組的匝數NP可以通過下式計算：其中，磁芯截面積SJ=，磁芯最大磁通密度BM=60，IP=，LP≈1265μH，代入可得NP=，實取30匝。 次級繞組采用堆疊式繞法，這也是變壓器生產廠家經常采用的方法，其特點是由5V繞組給12V繞組提供部分匝數，而24V繞組中則包含了5V、12V的繞組和新增加的匝數。堆疊式繞法技術先進，不僅可以節(jié)省導線，減小線圈體積，還可以增加繞組之間的互感量，加強耦合程度。以本電源為例，當5V輸出滿載而12V和24V輸出輕載時，由于5V繞組兼作12V、24V繞組的一部分，因此能減小這些繞組的漏感，可以避免因漏感使12V、24V輸出電路中的濾波電容被尖峰電壓充電到峰值，即產生所謂的峰值充電效應，從而引起輸出電壓不穩(wěn)定。這里將5V繞組作為次級的始端。對于多輸出高頻變壓器，各輸出繞組的匝數可以取相同的每伏匝數。每伏匝數nO可以由下式確定：其單位是匝／VO將NS取5匝，UO1=5V，UF1=(肖特基整流管導通壓降)代入上式得到nO=／V。 對于24V輸出，已知UO2=24V，UF2=，則該路輸出繞組匝數為NS2= 匝／V()=，實取22匝。對于12V輸出，已知UO3=12V，UF2=，則該路輸出繞組匝數為NS2=／V (12V+)=，實取11匝。對于反饋繞組，已知UF=12V，UF3=(硅快速恢復整流二極管導通壓降)，則該路輸出繞組匝數為NS2=／V(12V+)=，實取11匝。確定初／次級導線的內徑首先根據初級層數d、骨架寬度b和安全邊距M，利用下式計算有效骨架寬度bE(單位是mm)：bE=d(b2M) (7)將d=2，b=，M=0代入上式可得bE=。利用下式計算初級導線的外徑(帶絕緣層)DPM：DPM=bE／NP (8)將bE=，NP=78匝代人得DPM=，扣除漆皮厚度，裸導線內徑DPM=。，，不宜選用。而次級繞組選用與初級相同的導線，根據電流的大小，采用多股并繞的方法繞制。試驗數據該開關電源的輸人特性數據見表1，在u=85～245V的寬范圍內變化時，主路輸出UO1=5V(負載為65Ω)的電壓調整率SV=177。％，輸出紋波電壓最大值約為67mV；輔助輸出UO2=24V(負載為250Ω)，輸出紋波電壓最大值約為98mV；輔助輸出UO3=12V(負載為100Q)，輸出紋波電壓最大值約為84
教學教案相關推薦
鄂ICP備17016276號-1