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最新寬帶cdma發(fā)射機(jī)低相噪本振源的設(shè)計-資料下載頁

2025-06-30 03:40本頁面
  

【正文】 的電路參量。在相位噪聲方面,該仿真程序考慮了1Hz鑒相器相噪、VCO相噪以及環(huán)路濾波器各電阻所引入的噪聲??傇肼暈楦鞑糠衷肼曉赑LL輸出端的疊加,如(6)式。TotalNoise(f)=10log(10PLLNoise(f)/10+10CCONoise(f)/10+10R2Nsise(f)/10+10R3_Noise(f)/10+10R4_Noise(f)/10+10TotolSpur(f)/10) (6)該程序給出了PLL電路的開環(huán)增益及相位變化。相位余量對應(yīng)于增益為0dB時的相位變化??紤]到本振源對ACPR參數(shù)的影響,在該仿真程序中加入比較頻率上的雜散噪聲。PLL IC的雜散噪聲由漏電雜散噪聲(Leakage Spur)和脈沖雜散噪聲(Pulse Spur)構(gòu)成,其計算公式分別為:LeakageSpur=BaseLeakageSpur+20log(LeakageCurrent/kφ)+SpurGain (7)PulseSpur=BasePulseSpur+SpurGain+40log(Fp/1Hz) (8)其中,BaskLeakageSpur為常量16dBc,LMX2347的BasePulseSpur為322dBc,SpurGain為雜散頻點上的環(huán)路增益,Leakage為電荷泵在三態(tài)高阻上的漏電流,Kφ為鑒相增益,F(xiàn)spur為雜散頻點的頻率。為增強(qiáng)對雜散噪聲抑制以提高鄰道抑制(ACPR)性能,本設(shè)計采用4階環(huán)路濾波器,在仿真過程中主要以雜散噪聲抑制為優(yōu)化目標(biāo),優(yōu)化仿真結(jié)果如圖3,其中標(biāo)“□”的線為閉環(huán)增益與相位響應(yīng),標(biāo)“”的線為開環(huán)響應(yīng)?!啊稹本€為總相位噪聲。(1)相位噪聲參數(shù):根據(jù)仿真生的相噪密度,求得PLL電路產(chǎn)生的RMS Phase error=176。,%2%,滿足指標(biāo)要求;(2)定時間:;(3)穩(wěn)定性:相位余量32176。;(4)?! ∫陨戏椒梢詮V泛應(yīng)用于各種寬帶CDMA(如WCDMA、CDMA2000等)通信電路的設(shè)計。
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