單片機(jī)的電池兼容性設(shè)計(jì)-資料下載頁(yè)
2025-06-29 22:04本頁(yè)面
【正文】 位置。在應(yīng)用程序中的特定的時(shí)間間隔，軟件會(huì)輪流的向這些未用的RAM中寫(xiě)入1。在一個(gè)關(guān)鍵的任務(wù)運(yùn)行前，會(huì)對(duì)循環(huán)寫(xiě)1的結(jié)果進(jìn)行檢查。如果測(cè)試通過(guò)，任務(wù)將會(huì)執(zhí)行。如果測(cè)試失敗，MCU則是通過(guò)一個(gè)意料之外的跳轉(zhuǎn)進(jìn)入任務(wù)，此時(shí)將會(huì)發(fā)生一個(gè)向初始化程序的跳轉(zhuǎn)。圖9 令牌傳遞的簡(jiǎn)單例子 在大多數(shù)應(yīng)用中，一些程序存儲(chǔ)器可能未用。如果在某些情況下，程序計(jì)數(shù)器被破壞并跳轉(zhuǎn)到未用的存儲(chǔ)器中，那么將會(huì)做出一些可能的控制。如果我們?cè)谖从玫拇鎯?chǔ)器中放入SWI程序，那么任何對(duì)未用區(qū)域的無(wú)意存取將會(huì)導(dǎo)致MCU取得SWI中斷向量。在MCU應(yīng)用中有其他功能需要SWI中斷時(shí)，可以根據(jù)這里的例子對(duì)未用區(qū)域進(jìn)行填充。ORG $3600Unused_area: 9D NOP9D NOPCC 21 21 JMP Known_place9D NOP9D NOPCC 21 21 JMP Known_placeetc.ORG $2121Known_place: CC 01 00 JMP Reset_routine注意: 未用的區(qū)域被9D指令和一個(gè)到Know_place的條件跳轉(zhuǎn)填充。當(dāng)MCU進(jìn)入這個(gè)已知的地方將被迫跳轉(zhuǎn)到一個(gè)初始化程序。 今天許多EMC檢測(cè)中心會(huì)在電子產(chǎn)品上做免疫和輻射測(cè)試，這是由產(chǎn)品要進(jìn)入的國(guó)家要求的。通常這些測(cè)試會(huì)在幾天時(shí)間內(nèi)完成。如果產(chǎn)品沒(méi)有通過(guò)測(cè)試，需要的花費(fèi)和設(shè)計(jì)時(shí)間會(huì)增加，這將延遲產(chǎn)品的上市時(shí)間。為了避免違反EMC規(guī)則，可以在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境做一些低成本的測(cè)試。對(duì)MCU應(yīng)用，兩種類(lèi)型的傳導(dǎo)測(cè)試可以給出最好的結(jié)果。如果MCU應(yīng)用通過(guò)了傳導(dǎo)免疫測(cè)試，這個(gè)應(yīng)用是不大可能通不過(guò)輻射免疫測(cè)試的。靜電放電槍是一個(gè)相對(duì)便宜的可以幫助發(fā)現(xiàn)數(shù)字電路中的高頻感應(yīng)性的工具。使用這種槍最初是為了保證設(shè)計(jì)不會(huì)被高壓靜電損毀。高壓靜電是人體產(chǎn)生，并通過(guò)接觸放電的。我們可以得到電池供電的便攜式靜電放電槍?zhuān)彝ㄟ^(guò)編程智能地設(shè)定不同的工作電壓數(shù)量級(jí)。因?yàn)楸銛y性，EMS槍可以用在許多應(yīng)用的免疫性能測(cè)試中。ESD槍通常為用戶提供了兩種類(lèi)型的尖端：空氣放電尖端和接觸放電尖端(如圖10)?？諝夥烹娂舛耸乔蛐蔚?，然而接觸放電尖端是錐形的。圖10 空氣放電尖端和接觸放電尖端的例子 使用接觸放電，尖端可以放在PCB導(dǎo)線或者器件的引腳上，然后可以按下ESD槍觸發(fā)器。大多數(shù)的ESD槍限制了接觸放電的電壓為8KV。在電源線和外部連接上使用接觸放電可以找到任何設(shè)計(jì)缺陷。一般的步驟是將尖端連接到導(dǎo)線上，當(dāng)應(yīng)用系統(tǒng)在運(yùn)行的時(shí)候，發(fā)射隨機(jī)噪聲尖峰，其初始值小于1KV ，提高電壓直到故障發(fā)生。 空氣放電可以從2KV到小于25KV進(jìn)行設(shè)置，這只能應(yīng)用在外部連接。這種類(lèi)型的ESD測(cè)試通常用在遭受ESD放電的區(qū)域，這種放電是由于充電的人靠近設(shè)備引起的。這種類(lèi)型的ESD測(cè)試可以引起重復(fù)性的問(wèn)題，這種重復(fù)性的問(wèn)題是由尖端采用的角度和尖端靠近放電部位的速度引起的。在內(nèi)部引腳和MCU引腳上應(yīng)用空氣ESD會(huì)造成破壞，因此只推薦在PCB和遭受由人引起的ESD的區(qū)域使用。（IEC 8014） 這種非常嚴(yán)格的測(cè)試包含了脈沖發(fā)生器，它產(chǎn)生ESD類(lèi)型的脈沖并疊加到交流電源上。這些脈沖可以被設(shè)定到4KV。這種類(lèi)型的測(cè)試通常在電源來(lái)自電力線的電路中進(jìn)行。通常沒(méi)有通過(guò)這種測(cè)試的應(yīng)用系統(tǒng)需要對(duì)電源進(jìn)行重新設(shè)計(jì)，即便電源的設(shè)計(jì)很好，有時(shí)一個(gè)不充分退耦的MCU也不能通過(guò)測(cè)試。這個(gè)非常具有侵略性的測(cè)試保證了設(shè)計(jì)一般能夠通過(guò)其他免疫測(cè)試。5總結(jié) 這個(gè)應(yīng)用筆記向設(shè)計(jì)師介紹了設(shè)計(jì)兼顧EMC特性的MCU電路。EMC問(wèn)題通常是由多個(gè)設(shè)計(jì)缺陷構(gòu)成的。通過(guò)軟件或硬件設(shè)計(jì)提高電磁兼容性可以保證最終的產(chǎn)品在免疫和輻射上表現(xiàn)出很好的性能。在這個(gè)應(yīng)用筆記中提到的每一點(diǎn)都能提高免疫性能，且通過(guò)對(duì)提到的每一點(diǎn)進(jìn)行檢查可以保證MCU應(yīng)用在EMC上表現(xiàn)良好。如果采用了這些要點(diǎn)還是不能達(dá)到EMC性能要求,那么唯一的選擇是采用成本更高的解決方案。例如多層PCB板，更好的電源濾波器，對(duì)外部連接的機(jī)械屏蔽。這些類(lèi)型的解決方案需要更加深入的EMC知識(shí)，大多數(shù)工程師可以從EMC測(cè)試室和監(jiān)管機(jī)構(gòu)提供的EMC教材和EMC設(shè)計(jì)實(shí)例中得到。譯文原文出處：Dugald Campbell 摩托羅拉半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用筆記AN1263 摩托羅拉公司 2004年
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