【正文】 阻值。正常的變?nèi)荻O管的正、反向電阻值均為∞。若測得變?nèi)荻O管的正、反向電阻值均有一定阻值或均為0，則是該二極管漏電或擊穿損壞。 （1）電極的判別 將萬用表置于R1k擋，用兩表筆測量雙基極二極管和三個電極中任意兩個電極間的正、反向電阻值，會測出有兩個電極之間的正、反向電阻值均為2～10kΩ，這兩個電極即是基極B1和基極B2，另一個電極即是發(fā)射極E。 再將黑表筆接發(fā)射極E，用紅表筆依次去接觸另外兩個電極，一般回測出兩個不同的電阻值。在阻值較小的一次測量中，紅表筆接的是基極B2，另外一個電極即是B1。 （2）性能好壞的判別 雙基極二極管性能好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表R1k擋，黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆依次接兩個基極，正常時均應有幾千歐至幾萬歐的電阻值。再將紅表筆接發(fā)射極E，黑表筆依次接兩個基極，正常時阻值為無窮大。 雙基極二極管兩個基極之間的正、反向電阻值均為2～10kΩ范圍內(nèi)，若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時，則說明該二極管已損壞。 大多數(shù)的整流全橋上均標注有“+”、“—”、“～”符號（其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“—”為輸出電壓的負極，兩個“～”為交流電壓輸入端），很容易確定出各電極。 檢測時，可通過分別測量“+”極和兩個“～”極、“—”極與兩個“～”之間各整流二極管的正、反向電阻值（與普通二極管的測量方法相同）是否正常，即可判斷該全橋是否損壞。若測得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。 高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管（硅粒）串聯(lián)組成，檢測時，可用萬用表的R10k擋測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kΩ，反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值，則說明該高壓硅堆已被擊穿損壞。 二端肖特基二極管可以用萬用表R1擋測量。正常時，其正向電阻值（黑表筆接正極）～，反向電阻值為無窮大。若測得正、反向電阻值均為無窮大或接近0，則說明該二極管已開路或被擊穿損壞。 三端肖特基二極管應首先測出其公共端，判斷出是共陰對管，還是共陽對管，然后再分別測量兩個二極管的正、反向電阻值。 三極管 一、晶體管 晶體管（簡稱BJT）也稱雙極性晶體管、半導體三極管或三極管，它是內(nèi)部含有兩個pn結(jié)、外部通常為三個引出電極的半導體器件，對電信號有放大和開關控制等作用。 晶體管在電路中的文字符號用字母“V”或“VT”（舊標準中為Q或BG等）表示。 晶體管根據(jù)其使用的半導體材料、極性、結(jié)構(gòu)、制造工藝、電流容量、工作頻率、裝結(jié)構(gòu)、功能及用途的不同，可以分為多種類型。 （1）按使用的半導體材料分類 晶體管按使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。 （2）按極性分類 晶體管按極性可分為鍺npn型晶體管、鍺pnp型晶體管、硅npn型晶體管、和硅pnp型晶體管。 （3）按其結(jié)構(gòu)及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 （4）按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管。 （5）按工作頻率分類 晶體管按工作頻率可分為低頻晶體管、高頻晶體管和超高頻晶體管等。 （6）按封裝形式分類 按封裝結(jié)構(gòu)可分為金屬封裝晶體管、塑料封裝晶體管、玻璃殼封裝晶體管、表面封裝晶體管和陶瓷封裝晶體管等。 （7）按功能和用途分類 晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關晶體管、達林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶阻尼晶體管、微波晶體管、光電晶體管和磁敏晶體管等多種類型。 晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。 （1）電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來表示晶體管的放大能力。 根據(jù)晶體管工作狀態(tài)的不同，電流放大系數(shù)又分為直流電流放大系數(shù)和交流電流放大系數(shù)。 直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù)，是指在靜態(tài)（無變化信號輸入）時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般有hFE表示。 交流電流放大系數(shù)也稱動態(tài)電流放大系數(shù)或交流放大倍數(shù)，是指在交流狀態(tài)下，晶體管集電極電流變化量ΔIC與基極電流變化量ΔIB的比值，一般用β或hFE表示。hFE和β既有區(qū)別又關系密切兩個參數(shù)值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。 （2）耗散功率 耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大集電極耗散功率。它與晶體管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關系。 晶體管在使用時其實際功耗不允許超過PCM值，否則回造成晶體管因過載而損壞。通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管，而將PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管稱為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。 （3）頻率特性 頻率特性參數(shù)主要包括特征頻率fT最高震蕩頻率fM等。晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大系數(shù)值將隨著頻率的升高而下降。 特征頻率是指晶體管的工作頻率升高到β值降位1時的頻率。通常將特征頻率fT小于或等于3MHz的晶體管稱為低頻管，而將fT大于3MHz的晶體管稱為高頻管。 最高振蕩頻率fM是指晶體管的功率增益降為1時所對應的頻率。通常，高頻晶體管的最高振蕩頻率低于其基極截止頻率fα，而特征頻率fT則高于其基極截止頻率fα，低于其集電極截止頻率fβ。晶體管的電流放大系數(shù)與工作頻率有關。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會出現(xiàn)放大能力減弱甚至失去作用。 （4）集電極最大電流ICM 集電極最大電流ICM是指晶體管集電極電極所允許通過的最大電流。當晶體管的集電極電流IC超過ICM時，晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。 （5）最大反向電壓 最大反向電壓是指晶體管在工作時所允許施加的最高電壓。它包括集電極發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極基極反向擊穿電壓和發(fā)射極基極反向擊穿電壓。 集電極發(fā)射極反向擊穿電壓是指當晶體管基極開路時，其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。 集電極基極反向擊穿電壓是指當晶體管發(fā)射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，一般用VCBO或BVCBO表示。 發(fā)射極基極反向擊穿電壓是指當晶體管集電極開路時，其發(fā)射極與基極之間的最大允許反向電壓，一般用VEBO或BVEBO表示。 （6）反向電流 晶體管的反向電流包括其集電極基極之間的反向電流ICBO和集電極發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO。 集電極基極之間的反向電流ICBO也稱集電結(jié)反向漏電電流，是指當晶體管的發(fā)射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度系數(shù)越好。 集電極發(fā)射極之間的反向擊穿電流ICEO是指當晶體管的基極開路時，其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流。此電流值越小，說明晶體管的性能越好。 （1）晶體管的結(jié)構(gòu) 晶體管內(nèi)部有兩個pn結(jié)構(gòu)成，其三個電極分別為集電極（C極）、基極（B極）和發(fā)射極（E極）。晶體管的兩個pn結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，晶體管又分為pnp型和npn型兩類，在電路圖形符號上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）方向不同。pnp型晶體管的發(fā)射極箭頭內(nèi)，npn型晶體管的發(fā)射極箭頭朝外。 （2）晶體管各個電極的作用及電流分配 晶體管三個電極的作用是：發(fā)射極用來發(fā)射電子；基極用來控制E極發(fā)射電子的數(shù)量；集電極用來收集電子。 晶體管在正常工作時，其發(fā)射極電流IE等于基極電流IB與集電極電流IC之和。 （3）晶體管的放大原理 晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指它對電流的放大能力。 晶體管的放大原理是：當晶體管的基極電流發(fā)生變化時，其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加如一個較小的信號，則其集電極輸出一個較大的信號。 （4）晶體管的工作條件 晶體管的工作條件是：發(fā)射結(jié)要加上較低的正向電壓（即正向偏置電壓），集電結(jié)要加上較高的反向電壓（即反向偏置電壓）。 晶體管發(fā)射極的正向偏置電壓約等于pn結(jié)電壓，～，～。集電結(jié)的反向偏置電壓視具體型號而定。 （5）晶體管的工作狀態(tài) 晶體管有截止、導通和飽和導通三種狀態(tài)。 在晶體管不具備工作條件時，它處于截止狀態(tài)，內(nèi)阻很大，各極電流幾乎為零。 當晶體管的發(fā)射結(jié)加上合適的正向偏置電壓、集電極加上反向偏置電壓，晶體管導通，其內(nèi)阻變小，各電極均有工作電流產(chǎn)生（IE=IB+IC）。適當增大其發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓、使基極電流IB增大時，集電極電流IC和發(fā)射極電流IE也會隨之增大。 當晶體管發(fā)射結(jié)的正向偏置電壓增大至一定值（，）時，晶體管將從導通放大狀態(tài)進入飽和導通狀態(tài)，此時集電極電流IC將處于較大的恒定狀態(tài)，且已不受基極電流IB的控制。晶體管的導通內(nèi)阻很?。ㄏ喈斢陂_關被接通），集電極與發(fā)射極之間的電壓低于發(fā)射結(jié)電壓，集電極也由反偏狀態(tài)變?yōu)檎珷顟B(tài)。 常用晶體管有高頻晶體管、超高頻晶體管、中低頻晶體管、開關晶體管、帶阻尼行輸出管、帶阻尼晶體管等。 （1）高頻晶體管 高頻晶體管（指特征頻率大于30MHz的晶體管）可分為高頻中、小功率晶體管和高頻大功率晶體管。 高頻小功率晶體管一般用于工作頻率較高、功率不超過1W的放大、振蕩、混頻、控制等電路中。常用的國產(chǎn)高頻小功率晶體管有3AG1～3AG3AG11～3AG13CG3CG13CG23DG3DG2DG13DG130等。常用的進口高頻小功率晶體管有2N5552N540BC14BC15BC32BC54BC559011～901S9011～S9012SA1012SC1812SA673等型號。高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅(qū)動電路、高壓開關電路及行推動等電路。常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DA83DA93DA151等型號。 （2）超高頻晶體管 超高頻晶體管也稱微波晶體管，其頻率特性一般高于500MHz，主要用于電視機的高頻調(diào)諧器中處理甚高頻信號和特高頻信號。常用的國產(chǎn)超高頻晶體管有3DG56（2G210）3DG80（2G212G910）等型號。 （3）中、低頻晶體管 低頻晶體管的頻率特性一般低于或等于3MHz中頻晶體管的頻率特性一般低于30MHz. 中、低頻小功率晶體管主要用于工作頻率較低、功率在1W以下的低頻放大和功率放大等電路中。常用的國產(chǎn)低頻小功率晶體管有3AX33BX33AX83DX200～3DX203CX200～3CX204等型號。常用的進口中、低頻小功率晶體管有2SA92SC2072SC1812SB132N2944～2N2946等型號。中、低頻大功率晶體管一般用在電視機、音響等家電中作電源調(diào)整管、開關管、場輸出管、行輸出管、功率輸出管。常用的國產(chǎn)低頻大功率晶體管有3DD103DD1DD0DD03AD3AD3DA5DF104等型號。 （4）開關晶體管 開關晶體管是一種飽和導通與截止狀態(tài)變化速度較快的晶體管，可用于各種脈沖電路、開關電源電路及功率輸出電路中。 開關晶體管分為小功率開關晶體管和高壓反向大功率開關晶體管。小功率開關晶體管一般用于高頻放大電路、脈沖電路、開關電路及同步分離電路等。高反壓大功率開關晶體管通常為硅npn型，其最高反向電壓VCBO高于800V，一般用于開關電源中做開關管。 常用的國產(chǎn)小功率和大功率開關晶體管有3AK系列、3CK系列等。常用的高反壓大功率晶體管有2SD82SD850、2SD1402SD1431～2SD1432SC1942得便法型號。 （5）達林頓管 達林頓管也稱復合晶體管，具有較大的電流放大系數(shù)及較高的輸入阻抗。它又分為普通林達頓管和大功率林達頓管。 普通林達管通常有兩只晶體管或多只晶體管復合連接成，內(nèi)部不帶保護電路，耗散功率在3W以下，主要用于高增益放大電路或繼電器驅(qū)動電路等。大功率林達頓管在普通林達頓管的基礎沙鍋增加了由泄放電阻和續(xù)流二極管組成的保護電路，主要用于音頻放大、電源穩(wěn)壓、大電流驅(qū)動、開關控制等電路。 二、場效應晶體管 場效應晶體管（英文簡稱FET，以下簡稱場效應管）是一種高輸入阻抗的電壓控制型半導體器件，在電路中的文字符號用字母“V”或“VT”（舊標準用字母“FET”）表示。 場效應管可以根據(jù)其結(jié)構(gòu)、導電溝道材料、絕緣層材料、工作方式等方面的不同，可分為多種類型。 （1）按結(jié)構(gòu)分 場效應管按結(jié)構(gòu)可分為為結(jié)型場效應管和絕緣柵型場效應管（金屬氧化物半導體型）兩種類型。 （2）按導電溝道材料的不同分類 場效應管按導電溝道材料的不同可分為n溝道結(jié)型場效應管、p溝道結(jié)型場效應管、n溝道絕緣柵型場效應管和p溝道絕緣柵型場效應管。 （3）絕緣層材料的不同分類 場效應管按柵極與半導體之間所用絕緣層材料的不同，絕緣柵型場效應管又可分為MOS場效應管、MNS場效應管和MALS場效應管等多種。、 （4）按工作方式的不同分類 場效應管按工作方式的不同可分為n溝道耗盡型結(jié)型場效應管、p溝道耗盡型結(jié)型場效應管、n溝道耗盡型絕緣柵型場效應管、p溝道耗盡型絕緣柵型場效應管、n溝道增強型絕緣柵型場