開關(guān)電源emi濾波器原理與設(shè)計研究-資料下載頁
2025-06-28 18:45本頁面
【正文】 可知，只要測量他們與頻率軸的交點，即可得出fR,CM和fR，DM，圖6所示為其示意圖。 （a）實線為共模目標衰減；虛線為斜率為40dB/dec切線 （b）實線為差模目標衰減；虛線為斜率為60dB/dec切線 圖6 fR,DM與fR,CM的確定 （3）濾波器元件參數(shù)設(shè)計 ——共模參數(shù)的選取 Cy接在相線和大地之間，該電容器容量過大將會造成漏電流過大，安全性降低。對漏電流要求越小越好，安全標準通常為幾百μA到幾mA。 EMI對地漏電流Iy計算公式為 Iy=2πfCVc（10） 式中：f為電網(wǎng)頻率。 在本例中，Vc是電容Cy上的壓降，f=50Hz，C=2Cy，Vc=220/2=110V，則 Cy=（11） ，可求得Cy≈2200pF。將Cy代入步驟（2）中求得fR,CM值，再將fR,CM代入式（6）中可得 Lc=（12） ——差模參數(shù)選取 由式（8）可知，Cx1，Cx2，以及LD的選取沒有唯一解，允許設(shè)計者有一定的自由度。 由圖2可知，共模電感Lc的漏感Lg也可抑制差模噪聲，有時為了簡化濾波器，也可以省去LD。經(jīng)驗表明，％～2％。Lg可實測獲得。此時，相應(yīng)地CxCcx2值要更大。 3 結(jié)語 本文的論述是基于低通濾波器的低頻模型分析。由于實際元件寄生參數(shù)的影響，尤其在高頻段更加顯著，因而往往需要在第一次確定參數(shù)之后反復(fù)修正參數(shù)，以及使用低ESR和ESL的電容，優(yōu)化繞制磁芯的材料和工藝，逐步逼近要求的技術(shù)指標。 由于只涉及到單級濾波器的設(shè)計，如LC型濾波器衰減程度只有40dB/dec，當(dāng)要求衰減程度在60～80dB以上的指標時，往往需要使用多級濾波器。 通用型的EMI濾波器通常很難設(shè)計，這是由于不同的功率變換器之間，由于拓撲、選用元件、PCB布版等原因，電磁環(huán)境水平相差很大，再加上阻抗匹配的問題，在很大程度上影響了濾波器的通用性，所以，濾波器的設(shè)計往往需要有針對性，并在實際調(diào)試中逐步修正。 作者簡介 魏應(yīng)冬，男，碩士研究生，現(xiàn)從事電力電子拓撲及電磁兼容相關(guān)研究。 吳燮華，女，教授，碩士生導(dǎo)師，現(xiàn)從事電力電子系統(tǒng)集成及智能控制等方面研究。
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