【正文】 能太大，否則會使膠擠出太多，造成缺膠。粘接面必須清潔、干燥、輕水性好，這樣保證粘接質量和可靠性，否則在溫度試驗和環(huán)境測試中會發(fā)生脫膠、起層等現(xiàn)象。超聲熱壓焊采用超聲熱壓焊對焊接要求較低，能減小對器件的熱影響。焊接時，金屬受壓產生一定的塑性變形，使兩個金屬面緊密接觸，其分子相互擴散牢固結合。超聲功率使劈刀振動，使引線與被焊金屬發(fā)生超聲頻率的摩擦，清除界面的氧化層，并引起彈性形變。在超聲波焊的基礎上將載體加熱，這種加熱可以使焊點處的金屬流動性增加，防止超聲焊期間的應變硬化，并為焊接面提供較好的接觸界面和金屬結構，有利于焊點的快速鍵合，提高焊點的鍵合強度。但是，要獲得質量高的焊點，必須根據電路片的種類、鍍金層的情況、金絲的直徑、金帶的寬度和厚度、不同的芯片、芯片焊點的大小及載體來合理選擇超聲波的功率、壓力和焊接持續(xù)時間。此外還有共晶焊技術、平行微隙焊等，這里就不詳細介紹了。我們采用導電膠粘接技術和超聲壓焊相結合來實現(xiàn)GaAs芯片的安裝。芯片的射頻輸入、輸出端口己經匹配到50歐姆，因此只需要通過金絲焊線直接將射頻輸入輸出口與電路中的50歐姆微帶線相連接，芯片嵌入在兩個介質基片之間，芯片與介質基片之間的縫隙應盡可能小，這樣才能保證連接射頻輸入輸出口的金絲足夠短，以減小寄生電感，芯片與介質基片之間的縫隙大約為50um。GaAs芯片的接地已通過鍍金的過孔與芯片的背面金屬相連接，因此無需另外的接地焊線，將芯片直接焊接在屏蔽盒上就可以保證良好的接地和散熱性能。引入直流偏置電壓時，通過直徑為25um的金絲焊線將各級的直流偏置點分別連接到芯片電容上，然后再連接到各個直流偏置電壓上，在靠近芯片的地方采用100pF的芯片電容是為了濾除通帶內的射頻信號，防止其進入直流偏置電路。考慮到機械加工的精度，倍頻器屏蔽外殼選擇黃銅加工材料。黃銅具有容易加工、硬度高、與鐵相比不易氧化的優(yōu)點，同時，銅與GaAS具有相近的熱膨脹系數(shù)，而且具有良好的熱傳導率以確保充分散熱，屏蔽銅殼表面必須光滑同時鍍金以保證良好的接地和便于電路的焊接安裝。 倍頻器測試FET有源四倍頻器裝配、調試完畢后，再對整個裝置進行了測試，測試的主要內容是在一定的輸入頻率、輸入功率情況下測試輸出信號的頻譜和功率。電源QF1722頻譜儀E4470B諧波混頻器FET四倍頻器信號源E8257D功率計DMP2功率頭圖28 FET四倍頻器測試框圖按照圖28所示對倍頻器測試的具體步驟如下:a).對儀器、儀表進行嚴格校準。b).開啟直流電源和所有測試儀器，預熱半小時。直流供電:+12V，即在測試加電前應將直流電壓置為+12V，電流最大輸出限流為350mA。所有的接地線必須連接良好，有輸出開關的直流電源置為“輸出開”的狀態(tài)。用同軸電纜連接信號源的射頻輸出端口和倍頻器輸入端口，倍頻器輸出端口用波導同軸轉換接頭跟頻譜儀或功率計相連。d).用功率計測試倍頻器的輸出功率，測試裝置主要由微波信號源、待測倍頻器、功率頭和功率計組成， ~，輸入功率設為5dBm，開啟射頻輸出，直到加在倍頻器輸入口的信號不超過10dBm，測出倍頻器在各個頻率點上的輸出功率。e).用頻譜儀測試倍頻器的輸出頻譜，觀察倍頻器的諧波電平。測試裝置主要由微波信號源，待測倍頻器、諧波混頻器以及頻譜儀組成，~，輸入功率設為5dBm，開啟射頻輸出，為步進功率逐步增加信號源輸出功率，直到加在倍頻器輸入口的信號不超過10dBm，觀察倍頻器的輸出頻譜特性，頻譜先經過諧波混頻器混頻后再用具有擴頻功能的 AgilentE4407B頻譜儀觀察。f).通過簡單的計算就可以得到四倍頻器的輸出信號功率和諧波抑制，計算方法為:四次諧波信號功率=功率計測試功率諧波信號功率。諧波抑制度=四次諧波信號功率其它諧波信號功率。根據測試數(shù)據判斷倍頻器各項指標是否達到要求。第5章 結論綜上所述微波倍頻器是通信、雷達、電子對抗不可缺少的重要部件，與無源倍頻率、器相比，F(xiàn)ET有源倍頻器倍頻損耗小，溫度穩(wěn)定性好，因而對FET有源倍頻器的研究至關重要！本文分析了倍頻器的基本原理和倍頻機理，為微波倍頻技術的研究提供了可靠的理論依據，然后在理論分析的基礎上，結合ADS軟件對倍頻電路進行了仿真研究并最終優(yōu)化得到預期的結果。本課題的完成，對以后的學習和工作是非常有幫助的，尤其是在微波理論分析階段和ADS軟件仿真過程中所積累的經驗，為以后的微波仿真設計打下了堅實的基礎。致謝：首先向我的導師周曉萍副教授致以衷心的感謝，本論文能得以順利完成離不開周老師的悉心教導。四年來，周老師廣博的知識、嚴謹?shù)闹螌W態(tài)度、平易近人的學者風范，對事業(yè)的奉獻精神以及對學生無微不至的關心，都將是我一生難忘的。感謝周老師在論文過程中給予的耐心細致的指導和幫助。本文的工作從方案論證到軟件仿真設計，都是在周老師的指導下完成的，她豐富的工程經驗以及對我的精心指導是本文能夠順利完成的關鍵。感謝孟海成師兄在本文完成過程中給予的幫助，感謝池源、趙聞等同學給予的支持和鼓勵。感謝我的父母和親人在我漫長的求學過程中給予的理解和支持！感謝為評閱本文付出辛勤勞動的老師、學者們。參考文獻：1. 李宗謙，佘京兆，：清華大學出版社，20042. David 微波工程第三版北京：電子工業(yè)出版社， 2006 3. Inder Bahl and Prakash Bhartia 微波固態(tài)電路設計第二版北京：電子工業(yè)出版社， 2006 4. V波段有源倍頻器的設計，孫國駿5. 高樹廷. 倍頻器的研究. 半導體情報, 1998, 35(4): 3335.6. 張盡顏, 苗敬峰. MESFET倍頻器的研究. 東南大學學報, 1994, 24(1): 1216.7. 王惠功. 非線性微波毫米波電路分析與設計. 北京: 北京郵電學院出版社, 1991.8. KlymyshynDM, Ma Zhen. Active frequencymultiplier ddsign using CAD. IEEETransactions on Microwave Theory andTechniques, 2003, 51(4): 1 3771 385.9. 費元春. 固態(tài)倍頻. 北京: 高等教育出版社, 1985.10. Jian Zhang and Antti V. Computer2Aided Design of Step Recovery Diode Frequency Multipliers [ J ] . IEEE Trans. Microwave Theory Tech. ,1996 ,44 (12) :2612 2616.11. 雷振亞. 射頻P微波電路導論[M] . 西安:西安電子科技大學出版社,2005.12. RF and Microwave Circuit Design handbook [M] . Agilent Technolo2gies. 2002.13. 楊愛琴，1995, 4 (2) : 711.14. Reinhold Ludwig , Pavel Bretchko《RF Circuit Design: Theory and Applications》.Beijing: Publishing House of Electronics Industry, 200215. 朱明 微波電路 1994 16. H Jones and Erik . HeterostructureBarrierVaractor Designs 2000(4) 17. Monolithic Millimeter Ware Frequency Doublers 2000(4) 18. Jesus Krozer Modeling and design as pects of millimeterwave and submillimeterwave schottky diode varactor frequency multipliers 2000(4) 19. Tetsuo OGAWA Uniplanar Monolithic Frequency Doublers 1989(8) 20. 高樹廷 倍頻器的研究 1998(4) 21. 階躍恢復二極管倍頻器 1998(1) 22. 星載高性能微帶倍頻器的精確設計 1999(3) 23. ～ GHz高諧波抑制度的十二倍頻器 [期刊論文] 上海大學學報(自然科學版)2000(2) 24. 傅陽波 S波段微波四倍頻組件的設計與制作 [期刊論文] 福建電力與電工1999(1) 25. ：哈爾濱工程大學出版社，200032