非接觸感應(yīng)能量傳輸系統(tǒng)中松耦合變壓器的研究-資料下載頁(yè)
2025-06-27 17:06本頁(yè)面
【正文】 0。 由式（10）可知對(duì)于匝數(shù)確定的耦合變壓器來說，繞組流過相同的電流時(shí)，小氣隙和大氣隙變壓器的整個(gè)磁路的磁動(dòng)勢(shì)是相等的。由式（11）知，氣隙變大時(shí)磁通量變小，反映到圖12 中，由于4 區(qū)域的磁感線在磁路發(fā)生變化前相當(dāng)于是主磁通的一部分，也就是2區(qū)域的主磁通椎在不斷減小。由于區(qū)域3 比區(qū)域1的磁阻小的多，所以3區(qū)域的漏磁通遠(yuǎn)遠(yuǎn)多于1 區(qū)域的漏磁通。當(dāng)氣隙增大時(shí)，3 區(qū)域的漏磁通都基本保持不變。由于2區(qū)域主磁通回路磁阻的增大，所以4 區(qū)域的散磁通會(huì)有一部分變?yōu)? 區(qū)域的漏磁通，而2 區(qū)域的主磁通會(huì)有一部分轉(zhuǎn)變?yōu)?區(qū)域的漏磁通。由于整個(gè)變壓器的漏感主要由3 區(qū)域中的漏感部分組成，所以隨著氣隙的增大漏感只是略有增大，但是由于自感減小很快，所以漏感與自感的比值卻有很大的增加。 磁通和電路中的電流一樣，總是從低磁阻的通路通過，高磁阻通路磁通量較少。在用ANSYS仿真時(shí)，耦合到副邊的磁力線只經(jīng)過副邊的磁芯回路，不會(huì)存在散磁通。這就解釋了實(shí)驗(yàn)結(jié)果與ANSYS仿真之間存在差異的原因。4 結(jié)語(yǔ) 文中對(duì)非接觸感應(yīng)能量能量傳輸系統(tǒng)中的松耦合變壓器進(jìn)行了研究，由于耦合系數(shù)直接決定了系統(tǒng)的功率傳輸能力，針對(duì)影響耦合系數(shù)的兩種變壓器的繞法進(jìn)行了仿真。選取耦合系數(shù)較高的一種繞線方法設(shè)計(jì)制作了一臺(tái)1 kW的松耦合全橋諧振變換器。并對(duì)所設(shè)計(jì)的變壓器進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)試，與仿真有所差異，實(shí)驗(yàn)中隨著氣隙的增大漏感值基本保持不變，對(duì)于這一點(diǎn)文中給出了具體的理論分析。 參考文獻(xiàn) [1] Wang ChweiSen, Covic Grant A. Power Transfer Capabilityand Bifurcation Phenomena of Loosely Coupled Inductive Power Transfer Systems [J]. IEEE Transactions on Industrial Electronics, 2004,51(1):148156. [2] Sakamoto H, Harade K, Washimiya S, et al. Large AirGap Coupler for Inductive Charger [J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 1999,35(5):35263528. [3] Kutkut Nasser H, Divan Deepak M, Novoty Donald W,et al. Design Considerations and Topology Selection for a 120 kW IGBT Converter for EV Fast Charging [J].IEEE Transactions on Power Electronics, 1998,13 (1):169178. [4] Souza A F de, Barbi I援A New ZVS Semiresonant High Powerfactor Rectifier with Reduced Conduction Losses [C]. Proceedings of the Power Electronics Specialists Conference, 1996.
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