1-二硫化鉬納米結(jié)構(gòu)-資料下載頁(yè)
2025-06-25 05:04本頁(yè)面
【正文】 的最優(yōu)厚度是4nm,1065106(體積分?jǐn)?shù))。類(lèi)石墨烯二硫化鉬除可用作氣體傳感器之外,經(jīng)沉積、退火后發(fā)現(xiàn)具有良好的光敏感性。Zhang等92用單層二硫化鉬制作光晶體管并用于光檢測(cè),發(fā)現(xiàn)器件中光電流的產(chǎn)生只取決于入射光的強(qiáng)度且光電流的產(chǎn)生和湮滅在50ms內(nèi)便可完成轉(zhuǎn)換過(guò)程,且光檢測(cè)的波長(zhǎng)范圍可通過(guò)使用不同厚度的類(lèi)石墨烯二硫化鉬來(lái)調(diào)控。93Im等94分別用單層和雙層二硫化鉬制作成光晶體管來(lái)作光檢測(cè)器,發(fā)現(xiàn)單層和雙層二硫化鉬光晶體管能有效檢測(cè)綠光,發(fā)現(xiàn)多層二硫化鉬因相對(duì)更窄的能隙()和更寬的光譜反應(yīng)范圍而比單層二硫化鉬的光檢測(cè)性能更佳,其光譜探測(cè)范圍橫跨紫外區(qū)近紅外區(qū)。、存儲(chǔ)器等方面有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)具有自發(fā)光、廣視角、低耗能、全彩色等優(yōu)點(diǎn),在平板顯示、固態(tài)照明等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。96和被廣泛應(yīng)用于OLED空穴注入材料的三氧化鉬一樣,62,100報(bào)道了將類(lèi)石墨烯二硫化鉬用作OLED陽(yáng)極的空穴注入層(見(jiàn)圖8(a,b)),在結(jié)構(gòu)為ITO/MoS2/MoO3/PFO/Ca/Al(PFO:polyfluorene)的器件中,經(jīng)過(guò)二硫化鉬修飾的陽(yáng)極導(dǎo)致器件具有較好的性能:。3V時(shí)亮度達(dá)到1000cd:在藍(lán)光磷光器件ITO/HIL/(MoS2/PFO)/Ca/Ag中,PFO作為客體材料,類(lèi)石墨烯二硫化鉬則作為器件的主體材料,100176。C退火后器件能在空氣中穩(wěn)定7h。(PVP)和乙醇的混合溶液中超聲,結(jié)果得到MoS2PVP的納米復(fù)合物并成功制作閃存型(flash)存儲(chǔ)器件,其中開(kāi)/關(guān)電流比達(dá)到100(見(jiàn)圖8(c,d))。6總結(jié)類(lèi)石墨烯二硫化鉬因其獨(dú)特的微觀結(jié)構(gòu)和理、化性質(zhì),在克服零帶隙石墨烯的缺點(diǎn)同時(shí)依然具有石墨烯的很多優(yōu)點(diǎn),從而在二次電池、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、傳感器、電致發(fā)光、電存儲(chǔ)等眾多領(lǐng)域擁有廣闊的應(yīng)用前景。但是具有二維層狀納米結(jié)構(gòu)類(lèi)石墨烯二硫化鉬的研究還有很多理論和應(yīng)用的基本科學(xué)問(wèn)題需要解決:首先就其制備方法來(lái)看,不論常用的微機(jī)械力剝離法、離子插層、液相超聲法等為主的“自上而下”的剝離法,還是以高溫?zé)岱纸獾葹榇淼摹白韵露稀钡暮铣煞ǘ加写晟?如何改進(jìn)類(lèi)石墨烯二硫化鉬的制備方法以期實(shí)現(xiàn)制備工藝簡(jiǎn)單、制備效率高、可重復(fù)性好及批量化生產(chǎn)仍然是當(dāng)前的研究重點(diǎn)。就結(jié)構(gòu)表征和光物理性質(zhì)研究方面來(lái)看,找到一種快速、準(zhǔn)確且不破壞樣品結(jié)構(gòu)的表征手段具有重要意義,有關(guān)類(lèi)石墨烯二硫化鉬吸收、熒光發(fā)射等現(xiàn)象的深層原因仍有待進(jìn)一步探究和完善。就在光電子器件方面的應(yīng)用來(lái)看,類(lèi)石墨烯二硫化鉬不僅可應(yīng)用于二次電池、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、傳感器等領(lǐng)域,而且在有機(jī)發(fā)光二極管、電存儲(chǔ)等領(lǐng)域前景光明,然而相應(yīng)的器件結(jié)構(gòu)和性能仍有待優(yōu)化和提高。由于目前基于硅半導(dǎo)體微納電子器件的制作已接近理論極限,而類(lèi)石墨烯二硫化鉬卻由于自身優(yōu)勢(shì)極有可能在未來(lái)取代硅半導(dǎo)體材料,因此這一領(lǐng)域的研究方興未艾。11
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